三极管和MOS管开关电路基础

三极管驱动LED电路

NPN、PNP三极管搭建LED控制电路,并说明控制信号高低电平对应的LED亮和灭?

T1是NPN型三极管,R2是LED限流电阻,R1是基极电阻,J1是控制信号,原理如下:

  • J1高电平,三极管导通,LED亮;

  • J1低电平,三极管截止,LED灭;

T2是PNP型三极管,R3是LED限流电阻,R4是基极电阻,J2是控制信号,原理如下:

  • J2高电平,三极管截止,LED灭;

  • J2低电平,三极管导通,LED亮;

NPN驱动电路中电流计算:

三极管饱和导通时,Vce=0V,所以Rc=(5V-2V)/10mA=300Ω

查询芯片手册,三极管MMBT3904的的放大倍数β(hfe)如下图所示:

可以看到,在Ic=10mA时,放大倍数最小为100。

那么Ib=10mA/100=100uA,三极管导通时,Vbe约为0.7V,继而求得Rb=(3.3-0.7V)/100uA=26K。

也就是说只要Rb<26K,三极管就工作在了饱和状态,像这种情况,我一般取Rb=2.2K,或者是1K,4.7K,10K,这样Ib更大,更能让三极管工作在饱和状态

具体取多少,取决于整个板子的电阻使用情况,比如10K电阻用得多,那我就取10K,这样物料种类少,生产更方便。

或者咱为了保险一点,比如要兼容别的三极管型号,可以取Rb=1K,这样即使别的三极管β小于100,也能工作在饱和状态。

MOS管驱动LED电路

mos管驱动LED电路和三极管驱动电路接法一样。

NMOS管:

PMOS管:

驱动MOS开关电路

还一个电路也用得非常多,那就是驱动电源的PMOS开关,如下图:

在in为低时,三极管不导通,相当于是开路,PMOS管的Vgs为0,PMOS管也不导通,Vcc2没有电。

在in为高时,三极管导通,集电极相当于是接地GND,于是PMOS管的Vgs为-Vcc1,PMOS管导通,也就是Vcc1与Vcc2之间导通,Vcc2有电。

转载文章:https://blog.csdn.net/li707414287/article/details/128809993

### 使用三极管驱动NMOS管实现开关功能电路设计 #### NMOS管的工作原理 NMOS管是一种场效应晶体管,其工作状态取决于栅源电压 \( V_{GS} \) 阈值电压 \( V_{TH} \)[^3]。当栅源电压超过阈值电压时,NMOS管进入导通状态;反之,则处于截止状态。 #### 三极管的作用 在数字电路中,三极管通常用于电流放大或作为开关元件。通过控基极电流,可以使集电极发射极之间导通或断开,从而达到开关的效果[^1]。 #### 设计思路 为了使NMOS管能够可靠地切换状态,需要提供足够的栅源电压使其完全开启。由于许多微控器或其他逻辑器件无法直接输出足够高的电压来驱动NMOS管,因此引入了三极管作为前置级放大器,以增强驱动能力并确保NMOS管正常工作于饱区或截止区[^4]。 #### 实际应用中的连接方式 以下是具体的设计方案: - **输入信号**:来自单片机IO口或者其他TTL/CMOS兼容的数字信号源。 - **NPN型三极管Q1**:负责将弱电信号转换成较强电流信号去触发NMOS管。选择合适的型号如2N2222A等小型功率三极管即可满足需求。 - **下拉电阻Rb**:防止浮空状态下误触发,同时也起到限流保护作用。 - **上拉电阻Rp**(可选):如果前级驱动能力较弱的话可以考虑加入此组件帮助提升速度响应特性。 - **负载RL**:被控对象比如LED泡、继电器线圈等等。 下面是具体的电路图表示法: ```plaintext +Vcc ---|>|--- RL --- (DRAIN of MOSFET) | | GND SOURCE /| / | Q1(COLLECTOR) / | BASE <-- Input Signal through Rb / | EMITTER /\ GND ``` 在这个配置里,当给定高电平时,三极管会导通并将MOSFET的GATE拉低至接近0伏特的位置,这样就能让MOSFET打开形成回路供电给LOAD;而一旦输入变为低电平则相反过程发生切断电源供给路径。
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