LPDDR4芯片学习（二）——Functional Description

一、LPDDR4寻址表

以每个die容量为4GB为例：

• Memory density(per channel) 2Gb：每个通道大小为2Gb，一个die有两个通道
• Configuration 16Mb × 16DQ× 8 banks× 2 channels ：16Mb的寻址空间16位每个channels8个bank*每个die两channels。16Mb为R[13:0] 和C[9:0]组成的寻址空间。 214 × 210 ÷ 102 ÷ 1024 = 16Mb。
• Channel density(bits per channel) 2,147,483,648 ：每个通道的粒度，即每个通道可以存储多少位的数据
• Total density (bitsper die) 4,294,967,296：每个die的粒度，每个die有两个channel，这个值为Channel density的两倍
• Bank address BA[2:0]：bank选择通道
• Row add R[13:0] ：行选信号
• Col. add C[9:0]：列选信号

LPDDR4协议规范之 (一)地址映射和容量计算_lpddr4 bl-CSDN博客

二、LPDDR4 State Diagram

三、LPDDR4上电、复位以及初始化过程

power on -> reset -> ZQ start -> CA BUS Training -> Write Leveling -> DQ Training

• Ta阶段power on后，RESET_n推荐为LOW（≤0.2×Vdd2），所有input必须在VILmin和VIHmax之间。
• Ta时刻上电，至Tb时刻上电结束，该过程不大于20ms，在这个过程，Vdd1升压必须同时或早于Vdd2，Vdd2同时或早于Vddq；
• Tb时刻开始，RESET_n需要保持为低至少200us至Tc，所有的输出在RESET_n为低期间全部保持高阻态Z，Tc前也就是RESET_n变为非有效值之前至少10ns，CKE需要设为低。
• Tc时刻，复位释放，需要至少等待2ms才可以断言CKE，并且在CKE断言之前CS信号保持为低，CKE断言之前，clk需要稳定至少五个周期。
• CKE使能之后，后续会完成模式寄存器读写、ZQ校准、CA training、Write Leveling、DQ Training，即完成初始化。

注：上述步骤是强制的，并且all通道是同时的。除非特殊指定。

power off：即CKE拉低（≤0.2×Vdd2），CKE拉低期间，所有输出会保持高阻态Z。

Timing Parametres: