如何仿真MOS电容的电压-电容曲线？ 按照上面内容设置完port源之后，在ADE L中选择sp仿真，在Ports一栏选择原理图中的port器件，然后在固定频率下扫描电容的偏压「VB」，其中频率固定为 f=12π.需要注意的是sp仿真得到的是阻抗值，按照上面公式所述，由于仿真时取频率为 f=12π ，所以得到的阻抗值在数值上与电容值的倒数一样，那么对仿真结果取倒数即可得到电容值。下图为处理后的sp仿真结果，黄色曲线为理想电容，接近1pF，其中误差值来源于固定频率的值使用了近似数，红色曲线为MOS电容的电压-电容曲线。
磁饱和的产生原因和影响；磁化强度H和磁感应强度B 先说明一下什么是磁饱和。导磁物质可理解为由一个一个方向杂乱的磁畴组成。有外加磁场时，随磁场强度升高，磁畴变得同向的程度也升高，到所有磁畴都同向时，就达到了磁饱和。变压器铁芯在线圈产生的磁场中，线圈电流增大，感应磁场也增大，感应磁场是阻碍电流变化的，在交变电流情况下会达到一个平衡，感生电动势和电源电压时时相等，电流也维持在一个稳定的交流值。一旦铁芯达到磁饱和，感生电动势就不再随着电流增加而增加，再有电流的增加，增量部分就是短路电流，不再受感生电动势的制约，所以会烧毁变压器。为什么变压器磁饱和之后感量会下降？
开关电源技术 图解伏秒积安秒积_我叫夏满满的博客-CSDN博客_伏秒积开关电源基础知识_耗子0_0的博客-CSDN博客_开关电源csdn 开关电源(DC/DC)原理分析_大不列颠小小咸鱼的博客-CSDN博客_dcdc原理 解析MOS管电流方向反及其体二极管能过多大电流问题_KIA半导体的博客-CSDN博客_mos管 体二极管
MOS的体二极管以及寄生二极管 而电感的电流是不能断的，死区时间电感的电流就是走的下管的体二极管。这个管子导通电流可以到59A，在10us时间内能通过的电流是236A，而体二极管也是236A，二者是相同的，而且都很大，也就是说体二极管的瞬间电流根本就不会成为使用的瓶颈。也就是说，下管NMOS的电流方向是从S到D的，也就是反着流，并且这个电流可以是很大的，因为电感的电流是可以比较大的，跟负载有关。从上表直接可以看到，体二极管的持续电流是可以到38A，脉冲电流是可以到236A的，同时，也可以看到，二极管最大导通电压是1V。
施密特触发器特性 它也有两个稳定状态，但与一般触发器不同的是，施密特触发器采用电位触发方式，其状态由输入信号电位维持；对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，有不同的。能够处理的方波波形，而且由于施密特触发器具有滞回特性，所以可用于抗干扰，其应用包括在开回路配置中用于抗扰，以及在闭回路正回授/负回授配置中用于实现多谐。施密特触发器可作为波形整形电路，能将模拟信号波形整形为。dt trigger）是包含正回授的。施密特触发器（Sch。
电阻的温度系数 4）轻掺杂的半导体材料（接近绝缘体的特性）构成的电阻是负温系数，重掺杂的半导体（接近金属导体特性）呈正温系数！1）低阻半导体，重掺杂，高温——晶格振动加剧, 载流子散射加剧——迁移率下降——电阻升高——正温度系数,2）高阻半导体，轻掺杂，高温——本征载流子ni激发——载流子浓度增大——电阻减小——负温度系数。电阻率=q*u*n，q为电荷量1.6*10^-19，u为迁移率，n为载流子浓度。一般的，poly，n+，p+，nwell，等等都是正温度系数。讨论一下，为什么high poly电阻是负温度系数？
源极跟随器+OP（未解决） 但是两个输入端（反转输入和非反转输入）的FET的VGS之差成为电路输入偏置电压，所以两个源极跟随器使用的FET的VGS应该尽量一致（在放大器中使用时，输入偏置电压被设定增益倍增后变成了电路的输出偏置电压——输出端不需要的直流成分）。这个电路是在OP放大器的反馈环中插入源极跟随器（当然，反馈是从OP放大器的输出端加到非反转输入侧的源极跟随器的栅极上），因为源极跟随器没有电压增益，所以没有必要为电路工作的稳定性而追加新的相位补偿电路。前级采用FET的OP放大器要比前级采用晶体管的OP放大器的噪声特性差些。
LDO的原理以及重要指标 LDO的负载电流或输入输出电压差降增加时 ，会迅速导致功耗的增加，在选择LDO的封装时必须考虑到这一因素，确保其可以承担这一功耗。它与输出端的电容值，电容的ESR，LDO控制环路的增益带宽以及负载电流变化的大小和速率有关。LDO的 PSRR数据是用来量化LDO对不同频率的输入电源纹波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪声和电压波动、保持输出电压稳定的能力。在一些对噪声敏感的电路中，如ADC，DAC，Camera sensor模拟电压等，必须选择LDO，而且是高PSRR的LDO，而不是DCDC。
电容两端电压不能突变结论 当V1的点位发生突变的时候，如果左边电阻很小，那么电容左端的点位将会随着V1突变，进而导致右端电位跟着突变，如果左边电阻巨大，那么……电容右端就会保持在V2，而电容左端也不会突变，进而V1就自个儿给电容充放电去了= =，不会耦合到右边。真实的电路中，电阻是永远存在的，电容两端的充放电难度（例如较为简单的电路情形就是电阻的大小）决定了电容哪边的电势可以突变，进而耦合到另外一端。为了进一步理解这件事，我们看下面的电路。......
MOS的亚阈值区和深度线性区 对于CMOS管，大家都清楚线性区和饱和区，管子的工作状态一般也在饱和区。电压电流关系如下：不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。亚阈值区（即second-effect order效应中的subthreshold conduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在Vgs
MOS基础工作原理——从内部结构理解 栅极电流对Cgs和Cgd充电，Vgs上升到开启电压Vgs(th)，此间，MOS没有开启，无电流通过，即MOS管的截止区。：Vgs达到Vth后，MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io，出现电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，这个阶段是MOS管的可变电阻区，或者叫线性区。如果要进一步了解MOS管的工作原理，剖析MOS管由截止到开启的全过程，必须建立一个完整的电路结构模型，引入寄生参数，如下图。由上面的分析可以看出米勒平台是有害的，造成开启延时，不能快速进入可变电阻区，导致损耗严重，但是这个效应又是无法避免的。
MOS的串联并联 串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。如果两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。...
图解伏秒积安秒积 右边是di对时间的积分，这个积分结果可不是电流，而是在0～t这段时间内通过电感电流的增量Δ，也就是这段时间内电感中电流的变化量。左边是通过电容的电流对时间的积分，意思就是电容在0～t这段时间内充或者放的电量，在国际单位制中单位是库仑，也就是安·秒。我们还知道：电感中电流与电感的磁通量直接相关，对空气芯电感，磁通量与电感中电流成正比，对铁芯电感，磁通量不大时磁通量也和电流成正比。所以，无论是电容还是电感，要恢复到原来的状态，对电感来说，两端电压对时间的积分必须为零，对电容来说，通过电流对时间的积分必须为零。.
反激变换器 原边开关管关断时，由于电感电流不能突变，原边电流通过磁芯耦合到副边（既能量在此时由原边传递到副边），此时副边绕组有电流，且原边电流与匝比的乘积等于副边电流与匝比的乘积（术语叫做磁动势平衡）。正常情况变压器不开气隙，反激变压器开气隙，并且（开关管导通时）能量实际是储存于气隙中的（因为气隙的磁阻远大于磁芯，所以磁位降都降在气隙上，自然能量也在气隙中）。正激式变压器原副边同时导通（能量是通过磁场感应传递的）,电压比等于匝比。反激变压器原副边间隔导通，原边导通时副边不导通，原边是电感储能。...
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