MOS管和IGBT管有什么区别?KIA-MOS管

最新推荐文章于 2024-03-15 17:00:00 发布
最新推荐文章于 2024-03-15 17:00:00 发布
阅读量724 收藏 7
点赞数
分类专栏： 关于MOS管详解 MOS管
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/qq_42597971/article/details/105296870
版权

MOS管和IGBT管有什么区别？不看就亏大了

在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？

在这里插入图片描述

下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！

什么是MOS管？

场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
在这里插入图片描述
MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管

最低0.47元/天 解锁文章
KIA半导体
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 7
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
MOS管和IGBT区别，一看就懂
成都亿佰特的博客
10-21 2899
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。总的来说，MOSFET优点是高频特性好，工作频率高，缺点是导通电阻大，在高压大电流场合功耗较大；IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。MOS管即MOSFET，又叫绝缘栅场效应管，是场效应管的一种类型。较小的输出功率的场合 较大输出功率的场合。
详解：MOS管和IGBT的区别
plane1plane的博客
03-26 4763
转载--硬件攻城狮2022-03-23 12:15 在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 1、什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离.
MOS管、IGBT的区别
wpgddt的博客
03-15 2200
这种器件的工作原理独特且高效，主要是通过控制栅极电压来调控电流在两个源极和漏极之间的流动，这也是其被称为场效应晶体管（Field-Effect Transistor， 简称FET）的原因。IGBT在处理和传导中至超高电压和大电流具有极大优势，由于它拥有非常高的栅极绝缘特性，并且在电流传导过程中产生非常低正向压降，尽管出现浪涌电压，IGBT的运行也不会受到干扰。此外，通过改变栅极上的电压，我们可以调控导电通道的宽度，从而改变源极和漏极之间的电阻，实现电流的精确控制。
电机控制中MOSFET和IGBT基础知识
04-19
比较MOSFRT 和IGBT区别，在实际应用的优缺点
MOSFET与IGBT的应用区别
小王的自我修行路
09-17 3395
MOSFET与IGBT POWERMOSFET优点是高频特性十分优秀（MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品），驱动简单(电压型驱动)，抗击穿性妤(没有雪崩效应) POWERMOSFET的弱点是高耐压化后之功率损失激增。缺点是耐高压的器件，导通电阻大．在高压大电流场合功耗较大，因此大功率(1500W以上)有些困难。 对于MOSFET来说,仅由多子承担的电荷
仅仅只需7步 便秒懂MOS管选型-细说MOS管选型技巧-KIA MOS管
01-20
MOS管选型技巧 　选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，为重要的是，为...　MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要
MOS管在2020年即将爆发的十大电子应用领域-KIA MOS管
01-06
提供功率MOSFET的型号选型及应用问题分析以及AC-DC,DC-DC电源IC方案型号推荐—场效应管MOS管在2020年即将爆发的十大电子应用在哪个领域呢？ 答：2019年，5G手机试水，TWS耳机爆量，ETC覆盖率达90%，AR／VR迈向爆发...
KIA3401-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
最新发布
05-10
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
KIA2301-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
05-10
SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V；
KIA3400-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
05-10
SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；
MOS管和IGBT管到底有什么区别吧
07-12
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 ▲ MOSFET种类与电路符号 有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。 关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向
ART-Pi 电路原理图浅析
Eureka1024的博客
10-24 6767
2020-10-24（各位同行1024程序员节节日快乐，码出新世界） Just for Fun Linux之父 – Linus Torvalds 一、前言 ART-Pi — RT-Thread团队历时半年精心打磨，能很好的满足绝大多数开发人员的 DIY 想法，其具备性能强大的主控，实用的外设，丰富的扩展接口。此外，基于它来学习 RT-Thread 能时刻得到官方团队的原生技术支持！（关注公众号 RTThread物联网操作系统，并在后台回复”ART“即可获取ART-Pi详细资料） 除此之外，AR.
MOSFET驱动电路总结
[嵌入式开发模块]机械按钮模块 纯C语言 面向对象实现 按键消抖、长按、连击
11-08 1854
中心议题： MOS管种类和结构 MOS管导通特性 MOS开关管损失 MOS管驱动 MOS管应用电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其
解析MOS管的作用是什么-细说MOS管特性、性能参数、作用等
shuiyue51的专栏
07-12 1万+
MOS管概述 mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P
概述MOS管的结构知识、原理详解-KIA MOS管
树卡花
10-25 2128
什么是MOS管 MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效
晶体管与场效应管的区别
Blanchet的博客
12-14 6896
晶体管与场效应管的区别 一点点个人读书时候摘抄的笔记，希望能够帮到你。来源——《模拟电子技术基础》（第五版，董诗白，高等教育出版社）侵删。 场效应晶体管的栅极G、源极S、漏极D对应于晶体管的基极B、发射极E、集电极C，它们的作用相类似。 一、场效应管用栅-源电压U-GS控制漏极电流I-D，栅极基本不取电流。而晶体管工作的时候基极总是要索取一定的电流。因此，要求输入电阻高的电路应选用场效应管；而若信号源可以提供一定的电流，则可选用晶体管。 二、场效应管只有多子参与导电。晶体管内既有多子又有少子参与导电，而少子
mos管工作原理_场效应管原理 JFET管和MOS管区别
weixin_39719476的博客
11-22 1332
前天在电子元器件采购网，油柑网上买了50pcs的MOS场效应管 L2N7002LT1G SOT-23，N沟道，60V，0.115A，7.5Ω5V，所以去查了一下资料，那么今天就主要介绍场效应管原理以及JFET管和MOS管区别。场效应管原理场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积...
Node.js中搭建一个web服务器
qq_28578599的博客
10-15 419
一Node的中的http模块 node中的http模块是node内置的模块，可以让我在自己的电脑上开启一个服务器。可以让我们在电脑上创建完成http服务 二、使用步骤 代码如下（示例）： 2.读入数据 代码如下（示例）： data = pd.read_csv( 'https://labfile.oss.aliyuncs.com/courses/1283/adult.data.csv') print(data.head()) 该处使用的url网络请求的数据。 总结 提示：这里对文章进行总结：
MOS管引脚G、S、D分别解析-KIA MOS管
热门推荐
树卡花
01-28 1万+
** MOS管引脚 ** mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管引脚定义 G：gate...
nginx将https://www.kia.cn/activity/2022/07/k3/做301跳转到https://www.kia.cn/vehicles/thenewa如何配置
11-01
`ssl_certificate`和`ssl_certificate_key`指定SSL证书和私钥的路径，`location /activity/2022/07/k3/`表示匹配请求路径为`/activity/2022/07/k3/`的请求，`return 301 https://www.kia.cn/vehicles/thenewa;...

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值