mos管的快速关断原理
R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了,当低电位来时Q1为泻放扩流管。
功率MOS管怎样关断?能否用PWM实现,怎样实现?
功率mosfet的三个端口,G极,D极,S极。G极控制mosfet的开通,关断,给GS极之间加正向电压(高电平)[url=13/],达到导通电压门槛值之后就能导通。同理,[url=15/]给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM实现,不过在具体应用中,应考虑PWM输出高低电平电压范围,PWM电压的输出驱动能力等。驱动能力太小,即使电压很高,依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路,再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲,可以快速关断MOS管。
MOS管的加速关断原理第一还有就是.R4的作用.也搞不懂没。
看来楼不太清楚三极管的原理了,没有R4怎么满足Q1集电极反偏的要求(不管是PNP还是NPN三极管,其工作时必须满足集电结反偏,发射结正偏).D1前施加一个负脉冲Q1就导通了,[url=31/]就可以把基极的电流抽走,加速MOS管的关断了啊。D1的作用是单向导通[url=32/],不要把基极电流分往脉冲放大电路,让电流去接地。你明白了吗?
它能起到加速MOS管关断的作用,谢谢