经典场效应管如何快速关断技巧-KIA MOS管

本文探讨了MOS管的快速关断原理,强调了PWM在控制中的应用,以及R4和Q1在加速关断过程中的作用。通过分析UC3637和IR2110的电路,提出了提高关断速度的策略,包括增加驱动电阻、栅极跟随器以及栅极泄放回路。同时,提到了KIA半导体MOS管在开关电源领域的优势。
摘要由CSDN通过智能技术生成

mos管的快速关断原理
R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了,当低电位来时Q1为泻放扩流管。

功率MOS管怎样关断?能否用PWM实现,怎样实现?
功率mosfet的三个端口,G极,D极,S极。G极控制mosfet的开通,关断,给GS极之间加正向电压(高电平)[url=13/],达到导通电压门槛值之后就能导通。同理,[url=15/]给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM实现,不过在具体应用中,应考虑PWM输出高低电平电压范围,PWM电压的输出驱动能力等。驱动能力太小,即使电压很高,依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路,再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲,可以快速关断MOS管。

MOS管的加速关断原理第一还有就是.R4的作用.也搞不懂没。
在这里插入图片描述

看来楼不太清楚三极管的原理了,没有R4怎么满足Q1集电极反偏的要求(不管是PNP还是NPN三极管,其工作时必须满足集电结反偏,发射结正偏).D1前施加一个负脉冲Q1就导通了,[url=31/]就可以把基极的电流抽走,加速MOS管的关断了啊。D1的作用是单向导通[url=32/],不要把基极电流分往脉冲放大电路,让电流去接地。你明白了吗?

它能起到加速MOS管关断的作用,谢谢

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