3.3半导体随机存储器

一、主存储器基本组成在这里插入图片描述

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000对应十进制的0,然后译码器会找到对应的字选线,给其一个高电平的输出,这样的就可以读出数据了
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当读写控制线有两条时,用低电平控制
当只有一条时,低电平写,高电平读

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每条地址线或者每条数据线都会有一个对应的金属引脚,
片选线也会有引脚,每个内存条会有多个存储芯片,如果要读取的信息在某一个芯片上,我们就会给对应的片选线一个低电平,给别的一个高电平,这样就可以对应上。
读写控制线至少会有一条,看上面的图,也就是至少对应一条金属引脚。

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n位地址对应n条地址线,
②8k*8位,8k表示存储单元的个数,8位指的存储字长。
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二、SRAMandDRAM

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当给字选线一个5v电压,mos管就会接通,同时给数据线一个5v电压,即二进制的1,这时上金属板上为5v,下面为0v,这样就会存储电荷。完成了二进制1的存储

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将一维排列改成二维排列,左边会需要2的n次个选通线,右边会需要2的2分之n个选通线。
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对于地址00000000,左边会找到第0号存储单元;右边,会将地址分为两半,前半是行地址,后半是列地址。

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三、RAM

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