杂乱而又系统化的半导体随机存储器

随机存储器：

SRAM存储器：

• 静态随机存储器的存储原是用双稳态触发器六管MOS来接信息的，非破坏性读出
• 读取速度快，但集成度低功耗较大，一般用来组成高速缓冲存储器
• 断电信息便会丢失，属于易失性半导体存储器

DRAM存储器：

• 采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，分行、列两次传送，但是有行通选线和列通选线，片选线由行通选来代替
• DRAM利用存储元电路中栅极电容上的电荷来存储信息的
• DRAM具有容易集成，低价位，容量大，功耗低等优点；但是读取速度慢，用来做主存系统
• 断电信息便会丢失，属于易失性半导体存储器

常用的刷新方式：

• 集中刷新

            利用一段固定的时间，在此期间停止对存储器的读写操作，称为“死时间”，又称为访存“死区”。

            优点是读写操作时不受刷新工作的影响，因此系统的存取速度比较高

             缺点是在死时间不能访问存储器。

• 分散刷新      

            一个存储器的系统工作周期分为两部分:前半部分用于正常读、写或保持:后半部分用于刷新某行。

            这种刷新方式增加了系统的存取周期，如存储芯片的存取周期为0.5微秒,则系统的存取周期应为1微秒

            优点是没有死区;缺点是加长了系统的存取周期，降低了整机的速度。

• 异步刷新

           它既可缩短“死时间”，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。具体做法是将刷新周期除以行数，得到两次刷新操作之间的时间间隔t，利用逻辑电路每隔时间t产生一次刷新请求。如果将刷新安排在不需要访问存储器的译码阶段，则既不会加长存取周期，也不会产生“死
时间”，这是分散刷新方式的发展，也称作“透明刷新”。

DRAM的刷新需注意以下问题:①刷新对CPU是透明的，即刷新不依赖于外部的访问:

                                               ②动态RAM的刷新单位是行，故刷新操作时仅需要行地址:

                                               ③刷新操作类似于读操作，但又有所不同。

刷新操作仅是给栅极电容补充电荷，不需要信息输出。另外，刷新时不需要选片，即整个存储器中的所有芯片同时被刷新。

 

SRAM和DRAM的区别：

区别主要在于是否可以动态刷新。

	SRAM	DRAM
存储信息	触发器	电容
破坏性读出	非	是
是否需要刷新	不需要	需要
送行列地址	同时送	分两次送
运行速度	快	慢
集成度	低	高
发热量（功耗）	大	小
存储成本	高	低
主要用途	高速缓存	主机内存

只读存储器（ROM）：

ROM和RAM都是支持随机存取的存储器

ROM的特点：

1. 结构简单，所以位密度比可读写存储器高。
2. 具有非易失性，所以可靠性高。
3. 掉电也不会丢失信息，在计算机系统中是只供读出

ROM的类型：

• 掩膜式只读存储器(MROM)：

            制造厂写入以后中任何人都无法改变其内容。

            优点是可靠性高，集成度高，价格便宜；缺点是灵活性差。

•  一次可编程只读存储器(PROM)：

            允许自己写入，一旦写入，无法修改。

• 可擦除可编程只读存储器(EPROM)：

           可多次修改，但修改内容时，需要将全部内容移除。

• 闪速存储器(Fash Memory)：

           既有EPROM的价格便宜、集成度高的优点，又有EPROM电可擦除重写的特点，且擦除重写的速度快。

• 固态硬盘(Solid  State  Drives )：

           由控制指单元和存储单元(FLASH芯片)组成。具有读写速度快，低功耗的特性，缺点是价格较高。

芯片的引脚由片选线读  /  写控制线，数据线地址线组成。

几乘几   第一个是代表着存储单元的个数，第二个是每个存储单元有多少位。

随机存取存储器与随机存取是不同的,只读存储器（ROM）也是随机存取的。

计算机的操作系统保存在硬盘上，需要BIOS的引导程序将操作系统引导到主存ram中，而引导程序则固化在ROM中。

为了提高刷新存储器带宽可采用以下技术：

1. 采用高速DRAM芯片
2. 采用多体交叉存储结构
3. 刷新存储器至显示存储器的内部总线宽度加倍
4. 采用双端口存储器将刷新端口和更新端口分开