无片外电容LDO电路设计

最新推荐文章于 2024-09-23 14:24:34 发布
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完整IP现成电路，smic130nm，无版图

1、具有过温保护和过流保护，带隙，BUFFER都有，性能指标已流片验证。

2、同时有相关文献、各模块电路功能分析简化计算笔记，适合学习入门！不适合纵向！

3、附赠一些学习时觉得比较有帮助的资料。

 

具体的指标：

带隙PSRR -90dB，LDO -66dB

带载1-200m

瞬态上下冲10+mV，恢复时间几us

环路增益110dB，GBW20M

电路可以直接在Cadence virtuoso打开，

testbench都建好了，附赠工艺库PDK

 

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