3 KW Vienna 整流器的硬件设计（主电路器件选型）

(1)开关器件选型

SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以更高的掺杂浓度并且膜厚更薄的漂移层制作出600V～数千V的高压功率器件。高压功率器件的电阻成分主要由该漂移层的电阻所组成，因此使用SiC材料可以实现单位面积导通电阻非常低的高压器件。理论上当耐压相等时，SiC在单位面积下的漂移层电阻可以降低到Si的1/300。对于Si材料来说，为了改善由于器件高压化所带来的导通电阻增大的问题，主要使用例如IGBT等少数载流子器件（双极型器件），但是却存在开关损耗较大的问题，其结果是所产生的发热问题限制了IGBT的高频驱动应用。SiC材料能够以具有快速器件结构特征的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）实现高压化，因此可以同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。

故本文采用SiC MOSFET（以下简称MOSFET）作为主电路的功率开关器件。对MOSFET器件型号选择时，一般需要考虑其承受电压应力、电流应力的能力。

电压应力：根据Vienna整流器的工作原理分析可知，当功率开关管断开时，其两端所承受的反向电压等于输出电压的一半。鉴于其实际存在中点电位不平衡问题，开关管电压应力需要留出1.5-2.5倍的裕量,为安全考虑，MOSFET型号的选择以2.5倍裕量选择额定电压，即额定电压为1200V的MOSFET。

电流应力：当功率开关管导通时，流过开关管的最大电流应小于开关管的额定电流。由电流峰值计算式：

（3-37）

式中，Ipk为电流峰值；ΔI为输入电流纹波，取输入电流的20%，P为样机的额定功率(Pout=3KW)；η为系统效率(取η=95%)；emin为输入相电压的最小值(emin=99V)。此外，鉴于系统的过载能力以及电流纹波等影响因素，选择开关管的额定电流时还需留有足够的裕度，本文以1.5倍裕量进行计算，得其峰值电流为24.81A。

综合上述对功率开关器件MOSFET的可允许电压、电流分析，选择的是ROHM公司型号为SCT3105KL的SiC MOSFET。SCT3105KL相关参数为：额定电压：1200V，额定电流：25A，导通电阻：105MΩ。

(2)二极管选型

二极管的选择相较于功率开关管MOSFET，除了需要考虑其所能承受的最大电压和电流外，还需考虑二极管的反向恢复时间。鉴于第三章的整流器工作原理分析，功率开关管在频繁“开通”和“关断”的同时，二极管也时刻承受正反向电压。由于其单向导通特性，二极管也频繁出现“开通”和“关断”状态，此时如果二极管的反向恢复时间过长，将导致整流器桥臂出现直通现象。故在选取二极管时，其反向恢复时间是需要重点考虑的因素。综合考虑下，选取Infineon公司型号为IDWD30G120C5的SiC二极管。IDWD30G120C5相关参数为：额定电压：1200V，额定电流：30A。

(3)网侧电感选型

在三相Vienna整流器的主拓扑中，网侧滤波电感主要有滤波、升压等作用。从理论上分析，网侧滤波电感越大，对谐波的抑制效果与升压效果越强，但在实际硬件设计中，网侧滤波电感越大，存在体积大、经济费用高、系统动态响应慢等问题。同时，其选取范围为：

（3-38）

式中：emax为网侧相电压峰值；imax为网侧电流峰值；Δimax为最大谐波电流脉动量；ω为基波角频率。

根据上述分析，综合考虑后网侧滤波电感取值0.5mH。

(4)直流侧电容选型

直流侧电容具有对输出电压进行稳压和滤波的作用，因此电容大小的选取尤为重要，容值过大，能够增强电压稳定性，减少纹波，但同样会带来响应速度降低、灵敏性减弱等问题，如式(3-46)。综合三相Vienna整流器的整体性能，上下母线各取5个容值为530uF/450V的电解电容并联后再串联，其容值大小为5300uF。

3-39）

式中：ΔUdc为直流侧输出电压波动值；Δt为脉动周期，其在单位工频周期内脉动六次，故Δt=1/6f；Iout为直流侧额定电流值。