-
二极管的组成
-
将PN结加上相应的电极引线和管壳——二极管
-
二极管的分类
-
按用途分类
- 大/小功率二极管
- 稳压二极管
- 发光二极管
-
按PN结结构
-
-
二极管重要特性:单向导电性
-
-
二极管的伏安特性
二极管的电流与其电压的关系i=f(u)称为伏安特性
明显其具有非线性特征,说明二极管是一个非线性元件,具有非线性
-
(1)工作区的划分
-
死区:当外加正向电压很低时,外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力,导致正向电流几乎为零。
-
导通压降:开启工作区的最小外加正向电压
材料 导通压降 Si 0.5-0.8V(0.7V) Ge 0.1-0.3V -
反向饱和电流(Is):二极管两端加反向电压时,将有很小的、由少子漂移形成的电流
-
随温度升高增长很快(本征激发激烈)
-
反电压不超过一定范围时,反向电流的大小基本恒定
材料 反向饱和电流 Si 1μA以下 Ge 几十μA 性能上看,Si管性能更好
-
反向击穿电压(反向电压过大时,二极管被击穿,反向电流突然增大)
-
电击穿(可逆)
- 雪崩击穿(掺杂浓度低)
- 齐纳击穿(掺杂浓度高)
雪崩击穿和齐纳击穿的原理
-
热击穿(不可逆)
-
-
-
-
(2)二极管的电流方程
i D = I s ( e U d / U T − 1 ) i_D = I_s(e^{U_d/U_T}-1) iD=Is(eUd/UT−1)
U d U_d Ud为二极管两端电压, U T U_T UT为温度电压当量 U T = k T / q (常温为 26 m V ) U_T = kT/q(常温为26mV) UT=kT/q(常温为26mV)
-
(3)伏安特性受温度影响
反向特性受温度影响更大
- (4)二极管正向动态电阻
r
D
=
Δ
V
d
/
Δ
I
d
r_D= \Delta{V_d}/\Delta{I_d}
rD=ΔVd/ΔId