ASEMI代理Infineon英飞凌IPB64N25S3-20原厂MOS管

最新推荐文章于 2024-09-25 17:02:08 发布
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编辑-Z

IPB64N25S3-20参数描述：

型号：IPB64N25S3-20

持续漏极电流：64A

脉冲漏极电流：256A

雪崩电流，单脉冲：27A

栅极-源极电压：±20V

功率耗散：300W

操作和储存温度：-55 to +175℃

漏源击穿电压：250V

栅极阈值电压：3V

零栅极电压漏极电流：0.1µA

栅极-源极泄漏电流：1nA

漏极源导通状态电阻：17.5mΩ

输入电容：5240 pF

输出电容：2900 pF

开通延迟时间：18ns

关断延迟时间：45ns

二极管连续正向电流：64A

二极管脉冲电流：256A

二极管正向电压：1V

反向恢复时间：174ns

 

IPB64N25S3-20特征：

N通道-增强模式

AEC合格

MSL1最高260°C峰值回流

175°C工作温度

绿色产品（符合RoHS标准）

100%雪崩测试

 

qyx3868
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ASEMI代理Infineon英飞凌IPB60R099CP原厂MOS管
qyx3868的博客
05-18 547
操作和储存温度：-55 to 150℃。栅极-源极泄漏电流：100 nA。型号：IPB60R099CP。符合JEDEC标准的目标应用。连续二极管正向电流：18A。零栅极电压漏极电流：5µA。反向恢复时间：450 ns。栅极-源极电压：±20V。输入电容：2800 pF。开通延迟时间：10 ns。关断延迟时间：60 ns。二极管正向电压：0.9V。TO263中的最佳Rds。雪崩电流，重复：11A。二极管脉冲电流：93A。漏源击穿电压：600V。输出电容：130 pF。持续漏极电流：31A。
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB072N15N3G原厂MOS管
qyx3868的博客
05-19 598
优秀的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）操作和储存温度：-55 to 175℃。根据JEDEC对目标应用进行鉴定。型号：IPB072N15N3G。雪崩能量，单脉冲：780 mJ。零栅极电压漏极电流：0.1µA。漏极源导通状态电阻：6.2mΩ。二极管连续正向电流：100A。栅极-源极泄漏电流：1nA。栅极-源极电压：±20V。二极管脉冲电流：400A。反向恢复时间：146ns。持续漏极电流：100A。脉冲漏极电流：400A。漏源击穿电压：150V。输入电容：5470pF。开通延迟时间：25ns。
AIGW50N65H5-ASEMI原厂代理英飞凌IGBT管AIGW50N65H5
qyx3868的博客
10-28 561
AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为21ns，关闭延迟时间td(off)为173ns，其中有3条引线。输入电容（Cies）：2800pF。
AIGW40N65H5-ASEMI原厂代理英飞凌IGBT管AIGW40N65H5
qyx3868的博客
10-27 280
AIGW40N65H5的功耗（Ptot）为250W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为2300pF，输出电容（Coss）为43pF。AIGW40N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为120A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为20ns，关闭延迟时间td(off)为149ns，其中有3条引线。输入电容（Cies）：2300pF。
25N120-ASEMI的MOS管25N120
qyx3868的博客
10-21 908
编辑-Z 25N120在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。25N120的脉冲集电极电流(ICM)为75A，G-E极漏电流(IGES)为100nA，25N120的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的电性参数是：集电极电流(Ic)为25A，集电极-发射极电压为1200V，G-E极阈值电压(VGE)为5.5V，其中有3条引线。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 特性：大电流MOS管 电性参数：25A 1200V 芯片材质：
ASEMI代理Infineon/英飞凌AIGW50N65H5原厂渠道车规级IGBT
qyx3868的博客
10-19 223
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃。
ASE20N60-ASEMI的MOS管ASE20N60
qyx3868的博客
02-20 490
ASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。
FCH041N65F-ASEMI原厂代理安森美MOS管FCH041N65F
qyx3868的博客
10-25 312
FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss）为9790pF，输出电容（Coss）为355pF。FCH041N65F的电性参数是：连续漏极电流（ID）为76A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.2V，反向恢复时间（trr）为213ns，其中有3条引线。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃。
STW43NM60ND-ASEMI原厂代理意法MOS管STW43NM60ND
qyx3868的博客
10-26 295
STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW43NM60ND的输入电容（Ciss）为4300pF，输出电容（Coss）为250pF。STW43NM60ND的电性参数是：连续漏极电流（ID）为35A，漏源击穿电压为600V，二极管正向电压（VSD）为1.3V，反向恢复时间（trr）为280ns，其中有3条引线。零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA。
KBU1510-ASEMI整流桥堆PDF规格参数下载.pdf
09-12
从给定文件中我们可以了解到关于KBU1510-ASEMI整流桥堆的详细技术规格参数以及应用领域、相关型号和供应商信息。以下是基于这些信息的知识点： 1. 整流桥堆简介： 整流桥堆是一种四端半导体器件，它含有四个或更多...
AO3400 MOS管驱动推拉式电磁铁
07-28
AO3400 MOS管可以用于驱动推拉式电磁铁。推拉式电磁铁是一种常见的电磁装置，通过电流的通断控制来实现铁芯的吸合和释放。使用AO3400作为开关，可以控制电流的通断，从而控制推拉式电磁铁的工作状态。具体的电路连接...
ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征
qyx3868的博客
02-26 3161
编辑-Z 场效应管AO3401参数： 型号：AO3401 漏源电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏极电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃ 漏源击穿电压（BVDSS）：-30V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA 栅体漏电流（IGSS）：±100nA 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ 正向跨导（gFS）：7S 二极管正向电压（VSD）：0
ABS210-ASEMI手机适配器整流桥ABS210
12-23 1370
ABS210-ASEMI手机适配器整流桥ABS210
- 串口通信
最新发布
m0_71813740的博客
09-25 1402
- 如果只写发送数据的语句，那么怎么知道上次的数据是否已经发送完了，如果上次的数据没有发送完的情况下，再次发送数据的话，就会覆盖上次的数据，所以需要判断上次的数据是否发送完成。-- 发送数据空标志位为1，表示数据发送完成，反之标志位为0，上一次的数据还没有发送完成，所以需要等待，直到标志位为1，表示数据发送完成，再发送数据。通信方式（其实就是接口是一致的，学习单片机其实就是学习它的各种接口），如IO，TIM，USART，I2C，SPI，ADC，DAC，PWM等。- 两个设备要工作的相同的频率下。
20 基于STM32的温度、电流、电压检测proteus仿真系统（OLED、DHT11、继电器、电机）
weixin_70360261的博客
09-23 587
基于STM32F103C8T6 采用DHT11读取温度、滑动变阻器模拟读取电流、电压 通过OLED屏幕显示，设置电流阈值为80，电流小阈值为50，电压阈值为60，温度阈值为30 随便哪个超过预祝，则继电器切断，LED灯灭掉，若电流小于50，则屏幕清屏，表示待机。
【STM32】定时器
qq_58204972的博客
09-23 1468
一、 系统定时器SysTick 叫做系统滴答时钟、 系统定时器， 属于 Cortex-M4 内核中的一个外设(外围设备)， 它 24bit 向下递减的计数 器,计到0 时，将从RELOAD 寄存器中自动重装载定时初值。只要不把它在SysTick 控制及状态寄存器中的使能位清除，就永不停息，即使在睡眠模式下也能工作。SysTick定时器被捆绑在NVIC中，用于产生SYSTICK异常（异常号：15）。Systick中断的优先级也可以设置。二、 系统定时器的中断使用方法1.代码的初始化。
STM32 MCU学习资源
qq_50930131的博客
09-19 690
作者: @bushuo联系方式: 3513566868@qq.com。
江科大51单片机
qq_57907966的博客
09-20 2323
在函数形参括号后加修饰符 interrupt m，系统编译时把对应函数转化为中断函数，自动加上程序头段和尾段，并按 51系统中断的处理方式自动把它安排在程序存储器中的相应位置。不过 AUXR 设置定时器时钟那一步是针对最新版本可以调整单片机定时器使能而添加的，我们的单片机加上会报错，需要删掉。SBUF：物理上是接收和发送两个寄存器，实际上共用相同的地址，只是使用时有不同的意义。SM0，SM1：设置工作方式。比如P2^4=1, P2^3=1, P2^2=0, 输入就是110，取反后就是001，就是LED1。
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