ASEMI代理Infineon英飞凌IPB072N15N3G原厂MOS管

最新推荐文章于 2024-09-25 17:02:08 发布
最新推荐文章于 2024-09-25 17:02:08 发布
阅读量598 收藏
点赞数
文章标签： 单片机
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/qyx3868/article/details/130770227
版权

编辑-Z

IPB072N15N3G参数描述：

型号：IPB072N15N3G

持续漏极电流：100A

脉冲漏极电流：400A

雪崩能量，单脉冲：780 mJ

栅极-源极电压：±20V

功率耗散：300W

操作和储存温度：-55 to 175℃

漏源击穿电压：150V

栅极阈值电压：3V

零栅极电压漏极电流：0.1µA

栅极-源极泄漏电流：1nA

漏极源导通状态电阻：6.2mΩ

栅极电阻：2.3Ω

输入电容：5470pF

输出电容：638pF

开通延迟时间：25ns

关断延迟时间：46ns

栅极平台电压：5.5V

二极管连续正向电流：100A

二极管脉冲电流：400A

二极管正向电压：1V

反向恢复时间：146ns

 

IPB072N15N3G特征：

N通道，正常电平

优秀的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）

接通电阻非常低R DS（接通）

175°C工作温度

无铅电镀；符合RoHS

根据JEDEC对目标应用进行鉴定

适用于高频开关和同步整流

无卤素，符合IEC61249-2-21

qyx3868
关注
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB60R099CP原厂MOS管
qyx3868的博客
05-18 547
操作和储存温度：-55 to 150℃。栅极-源极泄漏电流：100 nA。型号：IPB60R099CP。符合JEDEC标准的目标应用。连续二极管正向电流：18A。零栅极电压漏极电流：5µA。反向恢复时间：450 ns。栅极-源极电压：±20V。输入电容：2800 pF。开通延迟时间：10 ns。关断延迟时间：60 ns。二极管正向电压：0.9V。TO263中的最佳Rds。雪崩电流，重复：11A。二极管脉冲电流：93A。漏源击穿电压：600V。输出电容：130 pF。持续漏极电流：31A。
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB64N25S3-20原厂MOS管
qyx3868的博客
05-17 410
型号：IPB64N25S3-20。零栅极电压漏极电流：0.1µA。MSL1最高260°C峰值回流。绿色产品（符合RoHS标准）栅极-源极泄漏电流：1nA。二极管连续正向电流：64A。雪崩电流，单脉冲：27A。栅极-源极电压：±20V。输入电容：5240 pF。输出电容：2900 pF。二极管脉冲电流：256A。反向恢复时间：174ns。脉冲漏极电流：256A。漏源击穿电压：250V。开通延迟时间：18ns。关断延迟时间：45ns。持续漏极电流：64A。二极管正向电压：1V。
ASEMI代理Infineon/英飞凌AIGW50N65H5原厂渠道车规级IGBT
qyx3868的博客
10-19 223
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃。
AIGW50N65H5-ASEMI原厂代理英飞凌IGBT管AIGW50N65H5
qyx3868的博客
10-28 561
AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为21ns，关闭延迟时间td(off)为173ns，其中有3条引线。输入电容（Cies）：2800pF。
AIGW40N65H5-ASEMI原厂代理英飞凌IGBT管AIGW40N65H5
qyx3868的博客
10-27 280
AIGW40N65H5的功耗（Ptot）为250W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为2300pF，输出电容（Coss）为43pF。AIGW40N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为120A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为20ns，关闭延迟时间td(off)为149ns，其中有3条引线。输入电容（Cies）：2300pF。
英飞凌IPW65R150CFDA车规MOS，原厂渠道ASEMI代理
qyx3868的博客
10-11 389
这种极低的开关损耗、换向损耗和传导损耗以及最高的稳健性相结合，使得谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更酷。ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃。
英飞凌IPW65R110CFDA车规MOS，原厂渠道ASEMI代理
qyx3868的博客
10-11 229
这种极低的开关损耗、换向损耗和传导损耗以及最高的稳健性相结合，使得谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更酷。ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃。
FCH041N65F-ASEMI原厂代理安森美MOS管FCH041N65F
qyx3868的博客
10-25 312
FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss）为9790pF，输出电容（Coss）为355pF。FCH041N65F的电性参数是：连续漏极电流（ID）为76A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.2V，反向恢复时间（trr）为213ns，其中有3条引线。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃。
STW78N65M5-ASEMI原厂代理意法MOS管STW78N65M5
qyx3868的博客
10-26 259
STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss）为9000pF，输出电容（Coss）为210pF。STW78N65M5的电性参数是：连续漏极电流（ID）为69A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.5V，反向恢复时间（trr）为504ns，其中有3条引线。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃。
KBU1510-ASEMI整流桥堆PDF规格参数下载.pdf
09-12
从给定文件中我们可以了解到关于KBU1510-ASEMI整流桥堆的详细技术规格参数以及应用领域、相关型号和供应商信息。以下是基于这些信息的知识点： 1. 整流桥堆简介： 整流桥堆是一种四端半导体器件，它含有四个或更多...
ASEMI工程师讲解集成整流桥电路工作原理图
07-15
集成整流桥，简称整流桥，它是二极管的一个简单的集成元件，其内部有四个二极管以桥式方式连接，它可以把方向和大小不断变化的交流电转化成方向不变，大小变化的直流电，经过后面整流电路和滤波电路，可以把其转化为...
ASEMI工程师带你看二极管整流桥电路图
07-18
### 单相整流桥电路图详解 #### 一、整流桥概述 整流桥是一种常见的电力电子元件，主要用于将交流电（AC）转换为直流电（DC）。在多种电子设备和系统中都能见到其身影，如电源适配器、电机驱动、太阳能逆变器等。...
ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征
qyx3868的博客
02-26 3161
编辑-Z 场效应管AO3401参数： 型号：AO3401 漏源电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏极电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃ 漏源击穿电压（BVDSS）：-30V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA 栅体漏电流（IGSS）：±100nA 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ 正向跨导（gFS）：7S 二极管正向电压（VSD）：0
AO3400 MOS管驱动推拉式电磁铁
07-28
AO3400 MOS管可以用于驱动推拉式电磁铁。推拉式电磁铁是一种常见的电磁装置，通过电流的通断控制来实现铁芯的吸合和释放。使用AO3400作为开关，可以控制电流的通断，从而控制推拉式电磁铁的工作状态。具体的电路连接...
- 串口通信
最新发布
m0_71813740的博客
09-25 1402
- 如果只写发送数据的语句，那么怎么知道上次的数据是否已经发送完了，如果上次的数据没有发送完的情况下，再次发送数据的话，就会覆盖上次的数据，所以需要判断上次的数据是否发送完成。-- 发送数据空标志位为1，表示数据发送完成，反之标志位为0，上一次的数据还没有发送完成，所以需要等待，直到标志位为1，表示数据发送完成，再发送数据。通信方式（其实就是接口是一致的，学习单片机其实就是学习它的各种接口），如IO，TIM，USART，I2C，SPI，ADC，DAC，PWM等。- 两个设备要工作的相同的频率下。
20 基于STM32的温度、电流、电压检测proteus仿真系统（OLED、DHT11、继电器、电机）
weixin_70360261的博客
09-23 587
基于STM32F103C8T6 采用DHT11读取温度、滑动变阻器模拟读取电流、电压 通过OLED屏幕显示，设置电流阈值为80，电流小阈值为50，电压阈值为60，温度阈值为30 随便哪个超过预祝，则继电器切断，LED灯灭掉，若电流小于50，则屏幕清屏，表示待机。
【STM32】定时器
qq_58204972的博客
09-23 1468
一、 系统定时器SysTick 叫做系统滴答时钟、 系统定时器， 属于 Cortex-M4 内核中的一个外设(外围设备)， 它 24bit 向下递减的计数 器,计到0 时，将从RELOAD 寄存器中自动重装载定时初值。只要不把它在SysTick 控制及状态寄存器中的使能位清除，就永不停息，即使在睡眠模式下也能工作。SysTick定时器被捆绑在NVIC中，用于产生SYSTICK异常（异常号：15）。Systick中断的优先级也可以设置。二、 系统定时器的中断使用方法1.代码的初始化。
STM32 MCU学习资源
qq_50930131的博客
09-19 690
作者: @bushuo联系方式: 3513566868@qq.com。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值