ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE，MOS管IPA50R190CE参数

最新推荐文章于 2024-09-25 19:37:32 发布
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编辑-Z

IPA50R190CE参数描述：

型号：IPA50R190CE

持续漏极电流：24.8A

脉冲漏极电流：63A

栅极-源极电压：20V

功耗：32W

操作和储存温度：-40~150℃

连续二极管正向电流：8.1A

漏源击穿电压：500V

栅极阈值电压：3V

零栅极电压漏极电流：1uA

漏极源导通状态电阻：0.17Ω

输入电容：1137pF

输出电容：68pF

二极管正向电压：0.85V

反向恢复时间：280ns

 

IPA50R190CE特征：

由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低，损失极低

非常高的换向坚固性

易于使用/驾驶

无铅电镀，无卤素模塑化合物

具备标准级应用的资格

 

IPA50R190CE应用：

PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级

例如PC Silverbox、适配器、LCD和PDP电视以及室内照明。

qyx3868
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ASEMI代理英飞凌IPA65R650CE功率MOS管中文资料
qyx3868的博客
05-22 679
这些功能使其成为广泛应用的理想选择，包括电源、电机驱动和可再生能源系统。这种先进的半导体器件提供了高效、低功耗和优异热性能的独特组合，使其成为广泛应用的理想选择，包括电源、电机驱动和可再生能源系统。1.电源：IPA65R650CE的高电压额定值、低导通电阻和快速开关速度使其成为电源设计的理想选择，包括AC/DC转换器、DC/DC转换器和电压调节器。2.电机驱动：IPA65R650CE的高电流处理能力和优异的热性能使其非常适合用于电机驱动应用，如电动汽车（EV）电机控制器、工业电机驱动和机器人。
ASEMI的MOS管24N50参数，24N50封装，24N50尺寸
qyx3868的博客
06-11 1383
编辑-ZASEMI的MOS管24N50参数：型号：24N50漏源电压（VDSS）：500V连续漏极电流（ID）：24A栅源电压（VGSS）：±30V功耗（PD）：290W漏源漏电流（IDSS）：50uA栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.24Ω输出电容（COSS）：670pF最大脉冲正向电流（ISM）：96A漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V反向恢复时间（trr）：250nS 24N50封装尺寸：封装：TO-247总长度：41.55mm本体长度：21.3mm引脚长
AIGW50N65H5-ASEMI原厂代理英飞凌IGBT管AIGW50N65H5
qyx3868的博客
10-28 561
AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为21ns，关闭延迟时间td(off)为173ns，其中有3条引线。输入电容（Cies）：2800pF。
24N50-ASEMI的MOS管24N50
qyx3868的博客
10-21 654
编辑-Z 24N50在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。24N50的脉冲集电极电流(ICM)为96A，漏极漏电流(IDSS)为50uA，24N50的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。24N50的电性参数是：二极管连续电流(Is)为24A，集电极-发射极电压为1200V，漏极二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 24N50参数描述 型号：24N50 封装：TO-247 特性：大电流MOS管 电性参数：24A 500V 芯片材质：GPP 二极
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
01-06 459
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
ASEMI代理的安森美车规级mos管NVHL040N65S3F怎么选型
qyx3868的博客
10-25 363
选择车规级MOS管NVHL040N65S3F需要注意电流参数的破断，选择过电流能力较强的汽车级MOS管，在工作中可以在使用效果上稳定，电流能力得到提升，可以避免电流浮动的影响，不用担心数据错误等问题，在使用中让性能非常好。这样可以保证选择合适的型号型参数，在工作中具有安全、稳定、可靠使用的优点。安森美一级代理强元芯电子建议，如果选择车规级MOS管型号时，需要注意以上参数所需的标准，通过实际工作环境需求来选择正确型号的MOS管，在工作中达到安全稳定的使用效果，避免事故隐患，保证更好的使用功能。
ASE40N50SH-ASEMI高压MOS管ASE40N50SH
qyx3868的博客
02-25 539
ASE40N50SH的最大脉冲正向电流ISM为160A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE40N50SH的电性参数是：正向电流(Io)为40A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。它的本体长度为21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：100mΩ。最大脉冲正向电流ISM：160A。正向电流(Io)：40A。
ASEMI代理Infineon/英飞凌AIGW50N65H5原厂渠道车规级IGBT
qyx3868的博客
10-19 223
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃。
英飞凌IPW65R150CFDA车规MOS，原厂渠道ASEMI代理
qyx3868的博客
10-11 389
这种极低的开关损耗、换向损耗和传导损耗以及最高的稳健性相结合，使得谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更酷。ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃。
KBU1510-ASEMI整流桥堆PDF规格参数下载.pdf
09-12
从给定文件中我们可以了解到关于KBU1510-ASEMI整流桥堆的详细技术规格参数以及应用领域、相关型号和供应商信息。以下是基于这些信息的知识点： 1. 整流桥堆简介： 整流桥堆是一种四端半导体器件，它含有四个或更多...
整流桥KBPC5010与KBPC5010W对比及ASEMI工程详解区别介绍.pdf
09-12
ASEMI将这些整流桥以盒装形式销售，每盒内含有50个整流桥，这使得采购更加方便，并且对成本进行了一定的控制，对小批量或大批量的采购者都是一个不错的选择。 另外，整流桥的选型不仅仅取决于引脚形状和封装类型，...
ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征
qyx3868的博客
02-26 3161
编辑-Z 场效应管AO3401参数： 型号：AO3401 漏源电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏极电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃ 漏源击穿电压（BVDSS）：-30V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA 栅体漏电流（IGSS）：±100nA 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ 正向跨导（gFS）：7S 二极管正向电压（VSD）：0
AO3400 MOS管驱动推拉式电磁铁
07-28
AO3400 MOS管可以用于驱动推拉式电磁铁。推拉式电磁铁是一种常见的电磁装置，通过电流的通断控制来实现铁芯的吸合和释放。使用AO3400作为开关，可以控制电流的通断，从而控制推拉式电磁铁的工作状态。具体的电路连接...
- 串口通信
m0_71813740的博客
09-25 1428
- 如果只写发送数据的语句，那么怎么知道上次的数据是否已经发送完了，如果上次的数据没有发送完的情况下，再次发送数据的话，就会覆盖上次的数据，所以需要判断上次的数据是否发送完成。-- 发送数据空标志位为1，表示数据发送完成，反之标志位为0，上一次的数据还没有发送完成，所以需要等待，直到标志位为1，表示数据发送完成，再发送数据。通信方式（其实就是接口是一致的，学习单片机其实就是学习它的各种接口），如IO，TIM，USART，I2C，SPI，ADC，DAC，PWM等。- 两个设备要工作的相同的频率下。
【STM32】定时器
qq_58204972的博客
09-23 1474
一、 系统定时器SysTick 叫做系统滴答时钟、 系统定时器， 属于 Cortex-M4 内核中的一个外设(外围设备)， 它 24bit 向下递减的计数 器,计到0 时，将从RELOAD 寄存器中自动重装载定时初值。只要不把它在SysTick 控制及状态寄存器中的使能位清除，就永不停息，即使在睡眠模式下也能工作。SysTick定时器被捆绑在NVIC中，用于产生SYSTICK异常（异常号：15）。Systick中断的优先级也可以设置。二、 系统定时器的中断使用方法1.代码的初始化。
基于单片机的电磁炉系统设计
夜间去看海的博客
09-25 852
基于51单片机，通过DS18B20温度传感器检测温度，通过八位数码管显示， 如果温度超过阈值，则蜂鸣器报警，红灯亮起；若不超过阈值，则蜂鸣器停止报警， 红灯熄灭；然后两个按键，一个按键按下后进入设置定时模式，另一个按键按下后， 分增加定时时间，每次按下增加30秒；开始定时后，对应的LED灯亮起，倒计时结束后， 蜂鸣器报警；采用滑动变组器连接ADC0832数模转换器模拟功率因数，功率引述超过阈值， 则蜂鸣器报警，红灯亮起
STM32 MCU学习资源
qq_50930131的博客
09-19 703
作者: @bushuo联系方式: 3513566868@qq.com。
KQM6600空气质量传感器
最新发布
m0_71813740的博客
09-25 758
- 注意看数据手册，该外设在那条线上，这里明显是在APB1线上，所以用RCC_APB1PeriphClockCmd，至于为什么用串口4，是因为在这个单片机上其他的串口被别的外设使用了，所以只能用串口4,-- 已知数据1是voc，数据2是pcho（甲醛），数据3是co2，都是16进制数的形式，所以需要转换成10进制数，并且单位都不同，还要进行换算。-- PC10是TX，PC11是RX，所以配置PC10为复用推挽输出，PC11为浮空输入。-- 这里注意串口4的名字有点特殊，是UART4，没有S。
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