ASEMI代理英飞凌SPA17N80C3，MOS管SPA17N80C3资料

最新推荐文章于 2024-09-25 17:02:08 发布
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版权

编辑-Z

SPA17N80C3参数描述：

型号：SPA17N80C3

持续漏极电流ID：17A

脉冲漏极电流：51A

栅极-源极电压VGS：±20V

功率耗散Ptot：42W

操作和储存温度Tj,Tstg：-55~+150℃

漏源击穿电压：800V

栅极阈值电压VGS(th)：3V

零栅极电压漏极电流IDSS：0.5µA

栅极-源极泄漏电流IGSS：100nA

漏极源导通状态电阻RDS(on)：0.25Ω

输入电容Ciss：2320pF

反向二极管连续正向电流IS：17A

反向二极管正向电压VSD：1V

反向恢复时间trr：550ns

 

SPA17N80C3特征：

新的高压技术

TO-220中很好的RDS(on)

超低栅极电荷

周期性雪崩额定值

极限dv/dt额定值

超低有效电容

提高了跨导

PG-TO-220-3-31：全隔离封装（2500 VAC；1分钟）

 

qyx3868
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7N80-ASEMI高效MOS管7N80
qyx3868的博客
12-01 1158
编辑-Z 7N80在TO-220封装里引出3个引脚，是一款高效MOS管。7N80的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A，漏源击穿电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N80的栅源电压(VGS)为±30V，导通电阻RDS(on)为1.9Ω。7N80的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为7A，漏源电压(VDSS)为800V，源-漏二极管压降(VSD)为1.4V，反向恢复时间(trr)为320NS。 7N80参数描述 型号：7N80 封装：TO-220 特性：高
ASEMI代理英飞凌IPA65R650CE功率MOS管中文资料
qyx3868的博客
05-22 679
这些功能使其成为广泛应用的理想选择，包括电源、电机驱动和可再生能源系统。这种先进的半导体器件提供了高效、低功耗和优异热性能的独特组合，使其成为广泛应用的理想选择，包括电源、电机驱动和可再生能源系统。1.电源：IPA65R650CE的高电压额定值、低导通电阻和快速开关速度使其成为电源设计的理想选择，包括AC/DC转换器、DC/DC转换器和电压调节器。2.电机驱动：IPA65R650CE的高电流处理能力和优异的热性能使其非常适合用于电机驱动应用，如电动汽车（EV）电机控制器、工业电机驱动和机器人。
ASEMI代理英飞凌SPW47N60C3功率MOS管的性能与应用
qyx3868的博客
06-07 709
它的主要参数包括：最大漏极电流为47A，最大漏极-源极电压为600V，最大导通电阻为0.19欧姆，以及最大结温为175℃。我们将介绍SPW47N60C3的基本性能参数，然后从四个方面对其性能进行详细阐述，包括电气性能、热性能、封装与可靠性以及应用领域。SPW47N60C3采用TO-247封装，这种封装具有较好的散热性能，有助于降低器件的温升。SPW47N60C3的热阻较低，有助于降低器件的温升，提高系统的可靠性。SPW47N60C3的可靠性较高，这得益于其优异的电气性能、热性能以及封装。
ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏
qyx3868的博客
12-16 1639
编辑-Z ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏？将万用表拨到“RX1K”位置，将电调调到零。7N80的字面朝向自身，从左到右：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）。先将黑色表笔接G极，再将红色表笔分别接触D极和S极，然后交换表笔，再进行测量。如果这两次测量的结果都使万用表的指针不动，那么初步判断这个7N80是好的。最后，将黑色表笔连接到D极，将红色表笔连接到S极。此时万用表的指针不应移动；然后对换表笔并再次测量，此时万用表的指针应向右摆动。 经过这两个测量，7N80就是好的，如果测量结果与上述不一致
ASEMI代理的安森美车规级mos管NVHL040N65S3F怎么选型
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10-25 363
选择车规级MOS管NVHL040N65S3F需要注意电流参数的破断，选择过电流能力较强的汽车级MOS管，在工作中可以在使用效果上稳定，电流能力得到提升，可以避免电流浮动的影响，不用担心数据错误等问题，在使用中让性能非常好。这样可以保证选择合适的型号型参数，在工作中具有安全、稳定、可靠使用的优点。安森美一级代理强元芯电子建议，如果选择车规级MOS管型号时，需要注意以上参数所需的标准，通过实际工作环境需求来选择正确型号的MOS管，在工作中达到安全稳定的使用效果，避免事故隐患，保证更好的使用功能。
ASEMI代理艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1
qyx3868的博客
11-19 529
工作结温度（TJ）：-55 to +150℃。零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA。漏极-源极电压（VCES）：1200V。型号：IXYB82N120C3H1。输入电容（CISS）：4060pF。二极管正向电压（VSD）：2.7V。反向恢复时间（trr）：420ns。连续漏电流（IC）：82A。Vce的正热系数（sat）功耗（PC）：1040W。本体长度：26.59mm。引脚长度：21.39mm。针对低开关损耗进行了优化。总长度：47.98mm。宽度：20.29mm。脚间距：5.45mm。
ASEMI场效应管7N80怎么用，7N80的使用方法
qyx3868的博客
02-19 368
编辑-Z MOS管分为N沟道和P沟道形式。 N沟道和P沟道都有增强型和耗尽型。耗尽型和增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道，而增强型MOS管只有在G端（Gate）加电后开启才有导电沟道。两者的控制方式也不同，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制来开启，而增强型MOS管必须使VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行。那么ASEMI场效应管7N80怎么用？7N80的使用方法是什么呢？ ASEMI场效应管7N80怎么用？在使用MOS管时，我
英飞凌IPW65R150CFDA车规MOS，原厂渠道ASEMI代理
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10-11 389
这种极低的开关损耗、换向损耗和传导损耗以及最高的稳健性相结合，使得谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更酷。ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃。
ASEMI场效应管7N80，7N80性能特点，7N80机械性能
qyx3868的博客
12-27 723
7N80详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压（VDS）：800V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A 漏极脉冲电流（IDM）：28A 耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W 雪崩电流（IAR）：7A 贮存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃ 芯片对管壳热阻（RθJC）：0.89℃/W 芯片对环境的热阻（RθJA）：62.5℃/W 漏源击穿电压（BVDSS）：800V 漏源击穿电流（IDSS）：1uA 栅源漏
ASEMI工程师讲解集成整流桥电路工作原理图
07-15
集成整流桥，简称整流桥，它是二极管的一个简单的集成元件，其内部有四个二极管以桥式方式连接，它可以把方向和大小不断变化的交流电转化成方向不变，大小变化的直流电，经过后面整流电路和滤波电路，可以把其转化为...
ASEMI工程师带你看二极管整流桥电路图
07-18
### 单相整流桥电路图详解 #### 一、整流桥概述 整流桥是一种常见的电力电子元件，主要用于将交流电（AC）转换为直流电（DC）。在多种电子设备和系统中都能见到其身影，如电源适配器、电机驱动、太阳能逆变器等。...
KBU1510-ASEMI整流桥堆PDF规格参数下载.pdf
09-12
从给定文件中我们可以了解到关于KBU1510-ASEMI整流桥堆的详细技术规格参数以及应用领域、相关型号和供应商信息。以下是基于这些信息的知识点： 1. 整流桥堆简介： 整流桥堆是一种四端半导体器件，它含有四个或更多...
ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征
qyx3868的博客
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编辑-Z 场效应管AO3401参数： 型号：AO3401 漏源电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏极电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃ 漏源击穿电压（BVDSS）：-30V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA 栅体漏电流（IGSS）：±100nA 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ 正向跨导（gFS）：7S 二极管正向电压（VSD）：0
AO3400 MOS管驱动推拉式电磁铁
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AO3400 MOS管可以用于驱动推拉式电磁铁。推拉式电磁铁是一种常见的电磁装置，通过电流的通断控制来实现铁芯的吸合和释放。使用AO3400作为开关，可以控制电流的通断，从而控制推拉式电磁铁的工作状态。具体的电路连接...
- 串口通信
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m0_71813740的博客
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- 如果只写发送数据的语句，那么怎么知道上次的数据是否已经发送完了，如果上次的数据没有发送完的情况下，再次发送数据的话，就会覆盖上次的数据，所以需要判断上次的数据是否发送完成。-- 发送数据空标志位为1，表示数据发送完成，反之标志位为0，上一次的数据还没有发送完成，所以需要等待，直到标志位为1，表示数据发送完成，再发送数据。通信方式（其实就是接口是一致的，学习单片机其实就是学习它的各种接口），如IO，TIM，USART，I2C，SPI，ADC，DAC，PWM等。- 两个设备要工作的相同的频率下。
20 基于STM32的温度、电流、电压检测proteus仿真系统（OLED、DHT11、继电器、电机）
weixin_70360261的博客
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基于STM32F103C8T6 采用DHT11读取温度、滑动变阻器模拟读取电流、电压 通过OLED屏幕显示，设置电流阈值为80，电流小阈值为50，电压阈值为60，温度阈值为30 随便哪个超过预祝，则继电器切断，LED灯灭掉，若电流小于50，则屏幕清屏，表示待机。
【STM32】定时器
qq_58204972的博客
09-23 1468
一、 系统定时器SysTick 叫做系统滴答时钟、 系统定时器， 属于 Cortex-M4 内核中的一个外设(外围设备)， 它 24bit 向下递减的计数 器,计到0 时，将从RELOAD 寄存器中自动重装载定时初值。只要不把它在SysTick 控制及状态寄存器中的使能位清除，就永不停息，即使在睡眠模式下也能工作。SysTick定时器被捆绑在NVIC中，用于产生SYSTICK异常（异常号：15）。Systick中断的优先级也可以设置。二、 系统定时器的中断使用方法1.代码的初始化。
STM32 MCU学习资源
qq_50930131的博客
09-19 690
作者: @bushuo联系方式: 3513566868@qq.com。
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