电源设计经验之 MOS 管驱动电路

MOSFET 因导通内阻低、 开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。
MOSFET 的驱动常根据电源 IC 和 MOSFET 的参数选择合适的电路。 下面一起探讨 MOSFET 用于开关电源的驱动电路。
在使用 MOSFET 设计开关电源时， 大部分人都会考虑 MOSFET 的导通电阻、 最大电压、 最大电流。 但很多时候也仅仅考虑了这些因素， 这样的电路也许可以正常工作， 但并不是一个好的设计方案。 更细致的， MOSFET 还应考虑本身寄生的参数。 对一个确定的 MOSFET， 其驱动电路， 驱动脚输出的峰值电流， 上升速率等， 都会影响 MOSFET 的开关性能。
当电源 IC 与 MOS 管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源 IC 与 MOS 管就显得尤其
重要了。

一个好的 MOSFET 驱动电路有以下几点要求：

（1） 开关管开通瞬时， 驱动电路应能提供足够大的充电电流使 MOSFET 栅源极间电压迅速上升到所需值， 保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
（2） 开关导通期间驱动电路能保证 MOSFET 栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
（3） 关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供 MOSFET 栅源极间电容电压的快速泄放， 保证开关管能快速关断。
（4） 驱动电路结构简单可靠、 损耗小。
（5） 根据情况施加隔离。

下面介绍几个模块电源中常用的 MOSFET 驱动电路。

1、 电源 IC 直接驱动 MOSFET

电源 IC 直接驱动是我们最常用的驱动方式， 同时也是最简单的驱动方式， 使用这种驱动方式， 应该注意几个参数以及这些参数的影响。 第一， 查看一下电源 IC 手册， 其最大驱动峰值电流， 因为不同芯片， 驱动能力很多时候是不一样的。
第二， 了解一下 MOSFET 的寄生电容， 如图 1 中 C1、 C2 的值。 如果 C1、 C2 的值比较大， MOS 管导通的需要的能量就比较
大， 如果电源 IC 没有比较大的驱动峰值电流， 那么管子导通的速度就比较慢。 如果驱动能力不足， 上升沿可能出现高频振荡， 即使把图 1 中 Rg 减小， 也不能解决问题！ IC 驱动能力、MOS 寄生电容大小、 MOS 管开关速度等因素， 都影响驱动电阻阻值的选择， 所以 Rg 并不能无限减小。

2、 电源 IC 驱动能力不足时

如果选择 MOS 管寄生电容比较大， 电源 IC 内部的驱动能力又不足时， 需要在驱动电路上增强驱动能力， 常使用图腾柱电路增加电源 IC 驱动能力， 其电路如图 2 虚线框所示。

这种驱动电路作用在于， 提升电流提供能力， 迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。 这种拓扑增加了导通所需要的时间， 但是减少了关断时间， 开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

3、 驱动电路加速 MOS 管关断时间

关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供 MOSFET 栅源极间电容电压快速泄放， 保证开关管能快速关断。 为使栅源极间电容电压的快速泄放， 常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管， 如图 3 所示， 其中 D1 常用的是快恢复二极管。 这使关断时间减小， 同
时减小关断时的损耗。 Rg2 是防止关断的时电流过大， 把电源 IC 给烧掉。

在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。 当电源 IC 的驱动能力足够时， 对图 2中电路改进可以加速 MOS 管关断时间， 得到如图 4 所示电路。 用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。 如果 Q1 的发射极没有电阻， 当 PNP 三极管导通时， 栅源极间电容短
接， 达到最短时间内把电荷放完， 最大限度减小关断时的交叉损耗。 与图 3 拓扑相比较， 还有一个好处， 就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源 IC， 提高了可靠性。

4、 隔离驱动

为了满足如图 5 所示高端 MOS 管的驱动， 经常会采用变压器驱动， 有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。 其中 R1 目的是抑制 PCB 板上寄生的电感与 C1 形成 LC 振荡， C1 的目的是隔开直流， 通过交流， 同时也能防止磁芯饱和。