Memory
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我现在强的可怕
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MEMORY系列之“FRAM”
新型的NVM主要有FRAM、RRAM、MRAM等,本文主要介绍FRAM的存储结构、对外接口及引脚定义、读写操作以及应用场景等。技术优势FRAM(Ferroelectric RAM)存储单元的基本原理是铁电效应,是应用铁电薄膜的自发性极化形式储存的铁电存储器件,由于FRAM通过外部电场控制铁电电容器的自发性极化,与通过热电子注入或隧道效应而完成写入动作的EEPROM以及Flash相比,FRAM具有写入速度快(为EEPROM、Flash的1000倍以上),因为它在擦写时不需要高压,因此写入时的功耗大为降低(转载 2021-09-26 16:31:35 · 1995 阅读 · 0 评论 -
MEMORY系列之“eMMC”
本文主要介绍eMMC的引脚定义、操作模式、数据包等。简介eMMC(Embedded Multi Media Card)采用统一的MMC标准接口,把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性,产品内部已经包含了Flash管理技术,包括错误探测和纠正,Flash平均擦写,坏块管理,掉电保护等技术。用户无需担心产品内部Flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。1、MMC卡引脚定义MMC卡分共有7个触点(引脚转载 2021-09-23 18:48:46 · 4908 阅读 · 0 评论 -
MEMORY系列之“SDIO”
本文主要介绍SDIO接口及SDIO存储卡的相关特性。1、SDIO接口SDIO接口不只用于存储数据的SD存储卡,还有SD I/O卡,MMC卡。其中SD I/O卡与SD存储卡是有区别的,SD I/O卡实际上就是利用SDIO接口的一些模块,插入SD的插槽中,扩展设备的功能,如:SDI/O Wi-Fi,SDI/O CMOS相机等。SD规范包括如下几部分:物理层规范文件系统规范SD卡安全规范SD卡音频应用规范+其他相关应用规范SD MC扩展规范、移动设备SDIO卡规范转载 2021-09-23 18:23:16 · 4047 阅读 · 0 评论 -
MEMORY系列之DDR设计规则
1、SCH设计原则DDR原理图的设计目前比较成熟,由于其信号引脚固定,且有统一的规范(JESD79系列),而且像Micron、Samsung、SK Hynix、Toshiba等厂家都有各自的technical note,因此本文只罗列一些特殊的注意事项。1.1、颗粒容量的可扩展性根据JEDEC标准,不同容量的内存芯片一般引脚兼容,为了实现电路板的可扩展性,可以做如下处理,如128Mb与256Mb的兼容应用。1.2、未用的DQ引脚处理对于x16的DDR器件来说,未用的引脚要作一定的处理。例如x16转载 2021-09-17 18:08:53 · 4188 阅读 · 0 评论