sinat_15677011的博客

位移传感器是把物体的运动位移转换成可测量的电学量一种装置。通常用于把不便于定量检测和处理的位移、位置、形变、振动、尺寸等物理量转换为易于定量检测、便于作信息传输与处理的电学量。位移测量方式所涉及的范围是相当广泛的。小位移通常用应变式、电感式、差动变压器式（LVDT）、电涡流式、霍尔传感器来检测；大位移常用感应同步器、光栅、容栅、磁栅、磁致伸缩式等传感技术来测量。

根据其正向压降，可以推导出其正向电流为：Ir =【 (VCC - Vf)/R】*D，D为遥控器的载波频率，为38KHz的PWM信号。850nm的辐射强度比940nm的辐射强度高2-3倍，因此850nm的红外发射管在工作时人眼可看到红光，称为“红爆”，而940nm则无法通过人眼看到。红外发射管的封装越大，则散热越好，其极限的工作电流越高，正向电流越大，红外发射管的光强越高，发射距离更远，功率也越大。正向电流、温度都会影响到正向压降Vf，正向电流越高，Vf越高，温度越高，Vf越低。

当输出减小时，根据分压关系，u+也要减小，也是负的，也就说u+比u-小得更多了，即u+与u-的差值更大了。前面这些有点绕，我们仔细想一下，逻辑是不是这样：当u+不等于u-时，输出就会变化，这个变化又会送回到输入端，图中为u-，进而导致u+与u-的差值变小，差值变小，意味着输入信号变小了（运放的输入是u+ - u-，也就是差值）。因此，不论电路初始状态电压是怎么样的，最终输出都会稳定在5V，而且u+ = u-，因为一旦u+不等于u-，那么在无穷大的放大倍数下，输出必然会变化，最终还是会导致u+ = u-。

因为锰锌铁氧体的磁导率在几千至上万,而镍锌铁氧体为几百至上千,磁环铁氧体的磁导率越高,其低频时的阻抗越大,高频时的阻抗越小。需要去除高频电磁干扰，需要选择镍锌抗干扰磁环，去除低频段电磁干扰，请选择锰锌抗干扰磁环，这是基于不同材质的磁环达到的滤波效果不一样来进行选择的。扣式磁环与铁氧体的最大区别在于它具有很大的损耗，用这种扣式磁环制作的电感，其特性更接近电阻。7、磁环易碎，因此在安装的过程中需要进行良好的固定，避免运输过程中的碰撞而导致磁环破裂，我们一般用扎带固定。3、扣式磁环方便地夹在电源线、信号线上。

接触器是一种自动的电磁式开关，属于控制类电器，适用于远距离频繁地接通或分断交、直流电路及大容量控制电路。接触器分为交流接触器和直流接触器。

二极管大类分为是带有pn结和替代结（肖特基）的双端半导体器件。Fig.4 二极管的分类。

转自-------ittbank。

转自----ittbank。

光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。

国产电源厂家以及具体型号替代手册

Safe Operating Area（SOA）有的厂家将他称之为 “Area of Safe Operation (ASO)”安全工作区：SOA(Safe operating area)是由一系列(电压，电流)坐标点形成的一个二维区域，开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简单地讲，只要器件工作在SOA区域内就是安全的，超过这个区域就存在危险。SOA（Safe operating area）是指安全工作区，由一系列限制条件组成的一个漏源极电压VDS和漏极电流ID的二维坐标图，开关器件正常工作时的

运算放大器采用双晶体管推挽输出，而比较器只用一只晶体管，集电极连到输出端，发射极接地。

MLCC电容器发生啸叫主要是由陶瓷的压电效应引起的，MLCC电容器由于其特殊的结构，当施加在两端的电场变换时，可以引起成比例的机械应力的变化，此为逆压电效应，当振动频率落入人耳听觉范围内时，就会产生噪音，即所谓的“啸叫”。正压电效应相反，是受到力的作用，产生电场的过程。无论是笔记本电脑还是手机，对电源的要求越来越高，通常在电源网络上并联大量的MLCC电容，如BUCK、BOOST架构的电源，当设计异常或者负载工作模式异常时，就很容易产生“啸叫”。在手机中，最典型的一个案例是GSM所用的PA电源，此电源线

常用连接器分类D型连接器射频连接器圆形连接器背板连接器RJ连接器（电话连接器、网口连接器）扁平电缆连接器功率连接器端子类连接器标准间距连接器欧式连接器光纤连接器其他连接器D型连接器D型普通：9芯、15芯、25芯、37芯；D型高密：15芯，26芯，44芯，62芯，78芯；插座分直式、弯式；插头分导线压接、导线焊接；插头插座均有公母之分；射频连接器射频连接器的型号由主称代号和结构代号两部分组成，中间用“_”隔开；主称.

理解磁性元器件的同名端和异名端的本质含义。首先要明确一点，所谓同名端和异名端的定义，研究对象一定是针对两个或者两个以上的线圈而言的，因为这个涉及到的本质问题是线圈的磁耦合，既然是耦合，当然是相互的两者或者是两者以上产生的关系。对于磁场耦合的介质可以是具体的磁性材料也可以是空气。1、磁棒绕线法分析常见的封闭磁芯，想象把磁芯展开，就得到磁棒，将涉及到的所有线圈按照实际绕线排布在磁棒上，然后标定电流方向，随之利用右手螺旋定则判断并画出穿梭在磁芯中的磁力线—这就是磁棒绕线分析法。2、同名端和异名端的由来为了

在一公众号上看到的，写的不错但不易理解，先转载过来后续有时间再展开讲解下。1. 雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：2. 器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原

电容是一种存储电荷的元器件。普通电容与超级电容（EDLC）的储能原理是一样的，都是以静电场的形式存储电荷，但超级电容更适合于能量的快速释放和存储，特别适用于精密能源控制和瞬间负载设备。今天我们主要讨论一下普通电容与超级电容的主要区别。整体而言，相比于普通电容，超级电容具有法拉级的超大电容量、较低的额定电压和10万+超长充放电循环寿命，且超低温特性更好，温度范围更宽。早期超级电容多用于应急电源和峰值功率电源，近年来，展现出更为广泛的应用前景，特别是在发展混合动力或纯电动汽车领域的应用。超级电容器与

皮尔斯晶振电路，就长下面这个样子来看一下电路参数作用及如何计算，帮助更好地设计MCU的晶振电路。RF： 晶振内部反馈电阻，它的作用是使反向器作为放大器工作，并接在Vin和Vout上，使放大器的Vout = Vin，从而强制它运行在线性区内。不同的晶振，反馈电阻不一样，如下ST给出了对应的范围。这个参数我们可以不用管。Inv： 内部的反相器，作为放大器来用。Q： 晶振/晶体。Cs： 杂散电容，晶振的两个脚与PCB线路的杂散电容，一般在2~7pF之间。CL1、CL2： 匹配电容，我们需要计算

一.TVS管概述当TVS管(瞬态电压抑制器)两极受到反向瞬态高能量冲击时，能以 10 的负 12 次方秒量级的速度，将两极间的高阻抗变为低阻抗，使两极间的电压箝位于一个预定的值，有效地保护电子线路中的精密元器件。在浪涌电压作用下，TVS 两极间的电压由额定反向关断电压 VRWM 上升到击穿电压 VBR，而被击穿。随着击穿电流的出现，流过 TVS 的电流将达到峰值脉冲电流 IPP，同时在其两端的电压被钳位到预定的最大钳位电压 VC 以下（最大峰值脉冲电流对应最大钳位电压）。其后，随着脉冲电流按指数衰

以下浅谈如何选择合适的NTC图1 NTC采样电路BMS的温度采样精度包括两部分，一是电路本身的采样精度，二是NTC的精度。在QCT-897中并没没有把NTC单独拿出来讲，但实际里面的采样精度要求是包括NTC这一部分的，而且NTC的精度对整体温度采样精度影响很大；很多主机厂只提出了一个整体的温度精度要求，但我们要知道里面的潜规则，要主动找主机厂问一下NTC是怎么选取的，因为这一块极大可能是别人选型的。电路本身的采样精度，又包括了上拉电阻精度、ADC精度、参考电压源精度、供电电源精度，这个才是我们电路

1. 开通和关断过程实验电路2. MOSFET 的电压和电流波形3. 开关过程原理开通过程[ t0 ~ t4 ]：– 在 t0 前， MOSFET 工作于截止状态， t0 时， MOSFET 被驱动开通；– [t0-t1]区间， MOSFET 的 GS 电压经 Vgg 对 Cgs 充电而上升，在 t1 时刻，到达维持电压 Vth，MOSFET 开始导电；– [t1-t2]区间， MOSFET 的 DS 电流增加， Millier 电容在该区间内因 DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影

0Ω电阻到底能过多大电流？这个问题想必每位硬件工程师都查过。而与之相关的还有一个问题，那就是0Ω电阻的阻值到底有多大？这两个问题本来是很简单的，答案应该也是很明确的，但网上网友却给出了不尽相同的答案。有的人说0Ω电阻是50mΩ，还有的人说其实只有20mΩ；有的人说只能过1A电流，还有的人说可以过1.5A……那么，到底是多大呢？下面，我们一步一步来看。0Ω电阻阻值大小针对这两个问题，我专门查了一下电阻的标准。根据EN60115-2电阻标准文件记载，0Ω电阻的阻值是0Ω，但也会有偏差。0Ω最大电阻偏差有

硬盘接口视频接口：在我们的生活中，电视机、电脑、投影设备、各种播放器上,视频会议产品和监控产品的编解码器的视频输入输出接口上看到很多视频接口，尤其在显卡上面，通常会出现3种甚至更多的接口。这些视频接口哪些是模拟接口、哪些是数字接口,哪些接口可以传输高清图像等，很多人并不了解其中的区别，觉得只要有画面输出就可以了，其实对于很多显示器来说并非如此，今天就视频接口做一个详细的介绍。音频接口：我们在使用电子产品，尤其是数码音频产品的时候，往往面对的第一件事情就是连线，除了电源线大家都比较熟悉之外

01 瓷介电容器

RC 系列电阻测试条件：耐功率冲击：耐电压冲击：其他系列：资料链接

1、北京兆易创新科技股份有限公司GD32作为中国32位通用MCU领域的主流之选，以累计超过2亿颗的出货数量、超过1万的用户数量、20个系列300余款产品型号选择的广阔应用覆盖率稳居市场前列。GD32使用的是Cortex-M3内核，型号做到了与STM32相同型号的全兼容，方便替换，主频频率更高。2、华大半导体有国企背景的HC32系列基于ARM Cortex-M0+及Cortex-M4内核，产品包括超低功耗应用的HC32L系列和针对电机应用市场的HC32M系列，针对通用市场的高性价比HC32F系列，.

一、电阻系列电阻器（Resistor）是一个限流元件，用字母R来表示，单位为欧姆Ω。将电阻接在电路中后，电阻器一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。实际器件如灯泡，电热丝等均可表示为电阻器元件。电阻

为了正确的选用继电器，需要了解继电器的特性，确认这些特性是否符合使用要求,如能在实际使环境中进行确认则更为可靠。继电器的选用原则参见表 1，在表中“必须确定”栏中有“”号的项目被确定之后，就可选定一款继电器。如果有进一步的要求，需要进一步考虑“参考”栏中有“”号的相应项目。在这里插入图片描述...

MOS管在平时的电源电路和驱动电路的设计中使用非常广泛，只有深入了解其工作原理和规格书参数才能保证设计的稳定可靠。1. MOS管导通过程分析MOS管和三极管的特性曲线分别如图1和图2所示，它们各自区间的命名有所不同，其中MOS管的饱和区也称为恒流区、放大区。其中一个主要的不同点在于MOS管有个可变电阻区，而三极管则是饱和区，没有可变电阻区的说法。从图中也能明显看出，MOS管在可变电阻区内，Vgs一定时，Id和Vds近似为线性关系，不同Vgs值对应不同的曲线斜率，即漏极D和源极S之间的电阻值Rds受控

超级电容，又名电化学电容，双电层电容器、黄金电容、法拉电容，是从上世纪七、八十年代发展起来的通过极化电解质来储能的一种电化学元件。它不同于传统的化学电源，是一种介于传统电容器与电池之间、具有特殊性能的电源，主要依靠双电层和氧化还原赝电容电荷储存电能。但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。超级电容器结构上的具体细节依赖于对超级电容器的应用和使用。由于制造商或特定的应用需求，这些材料可能略有不同。所有超级电容器的共性是，他们都包含一个正极，

等效模型MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，也涉及嵌入式开发，对大小功率MOS管，都有一定的理解，所以把心中理解的经验总结一番，形成理论模型。MOS管等效电路及应用电路如下图所示：把MOS管的微观模型叠加起来，就如下图所示：我们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一个反相器，也可以理解为一个反相工

DDR4的工作原理以及寻址方式DDR4是什么？DDR4全称，DDR4-DRAM，与其他DDRDRAM一样，是当前电子系统架构中使用最为广泛的的RAM存储器。这句话可以分解出3个关键字：存储器、DRAM、DDR4。先说存储器，说到存储，顾名思义，它是个动词，以生活为例，假如有个酸奶，你不想吃的时候，将酸奶存到某冰箱、某层、某个位置，当你想吃的时候，在某冰箱、某曾、某个位置中取出该酸奶。这个过程，我们称为存储，结合生活，我们可以看到存储要有3个关键动作： 酸奶放哪了，你得知道。如果不知道放哪了

关于dB，源于很早的一个故事。发明电话的贝尔。在研究声强（单位面积上的声音功率）大小时发现，以人类能够听到的最小声音------一般指3m外蚊子的声音产生的声强为基准，自然界最强的能够将人耳震聋的声音，是这个基准的上亿倍。如果用常规比值表达，需要的数值范围太大。因此，他定义了一个新方法，用于描述两个功率或者能量的比值：...

众所周知，在电子行业有这样一个形象的比喻：如果把MCU比作电路的“大脑”，那么晶振毫无疑问就是“心脏”了。同样，电路对“晶体晶振”（以下均简称：“晶振”）的要求也如一个人对心脏的要求一样，最需要的就是稳定可靠。晶振在电路中的作用就是为系统提供基本的频率信号，如果晶振不工作，MCU就会停止导致整个电路都不能工作。然而很多工程师对晶振缺乏足够的重视和了解，而一旦出了问题却又表现的束手无策，缺乏解决问题的思路和办法。一、晶振不起振问题归纳1、 物料参数选型错误导致晶振不起振例如：某MCU需要匹配6PF的3

本榜单内的35家企业中，上市/拟上市公司有11家、官方自愿披露数据的企业有16家，累计约占总样本数的80%；非官方来源的第三方佐证数据有8个，约占20%。中电港产品线：3PEAK、华大北斗、AMD、Amlogic、AMS、Barefoot、上海贝岭、BOSCH、Centec 、Dialog、Datang NXP、奇鲸科技、Dynax、EPSON、复旦微电子、Gemalto、HDSC、Hosonic、ISSI、Lattice、Liteonsemi、Maxim、MAXLINE...

开环：没有检查 机制，走多少送出指令，没有任何对应回馈。半闭环：有检测机制，但不是作用于最终实物，目前市面10多万的都是这种，他能检测电机的实际运动量但检测不了，机床实际机械运动体，的运动量。也就是说有一部分不在检测范围内。（所以有皮带断了，伺服电机能单独运行，这种情况。如果全闭环皮带断了，电机动，机械体不动，会出现位置超差报警。）全闭环：就是检测实际运动机构是实际走量。我发出指令，到一个点，这个点实际运动多少，得到检测，高级的还能误差补偿。所有因素都在检测范围内。...

输入电压范围（Input Voltage Range）

噪声指标（Noise）一个正常工作的放大电路，当输入端接地时，用示波器观察输出，你看到的可能不是平直的细线，而是在一定幅度之内的杂乱无章的波形。这就是噪声。 你在示波器上看到线越粗，就说明噪声幅度越大。放大电路的输出端噪声，小至 μV 以下，大至百 mV 以上，完全取决于电路设计，能否在示波器上看见，则取决于示波器选择和设置。噪声定义：1） 它的波形在任意时刻都是不确定的，因此它是广谱的，有低频也有高频；2） 它的幅度又是有限制的，这与数学上的高斯分布近似但不完全一致；3） 它具有无限积分趋零性

不懂指标，就不要奢谈对放大器的理解，也无法用好放大器。它看起来非常枯燥，但是却深不可测，回味无穷。输入失调电压（Offset Voltage,VOSV_{OS}VOS​）定义在运放开环使用时， 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。也可定义为当运放接成跟随器且正输入端接地时，输出存在的非 0 电压。优劣范围：1µV 以下，属于极优秀的。 100µV 以下的属于较好的。最大的有几十mV。理解任何一个放大器，无论开环连接或者反馈连接，当两个输入端都接地时， 理论上输出应该为