sinat_15677011的博客

需要打两次激光孔，首先钻V34的埋孔，接着压合2~5层，然后会钻V23和V45的激光孔，再压合1-6层，然后钻V12和V56的激光孔，如果有通孔，最后再钻通孔，可见，2阶HDI板是会经历两次激光打孔，两次压合。HDI板是高密度互连（High Density Interconnector）的缩写，是生产印制板的一种技术，使用微盲埋孔技术的一种线路分布密度比较高的电路板，也被称为盲埋孔板，下图就是一个6层HDI板，其中C和D就是盲孔，B是埋孔，A是通孔。本文摘自-------记得诚 硬件工程师入门小册子。

在没有对称中心的晶体上施加压力、张力和切向力时，则发生与应力成比例的介质极化，同时在晶体两端面将出现正、负电荷，这一现象称为正压电效应。反之在晶体上施加电场而引起极化，则产生与电场强度成比例的变形或机械应力，这一现象称为逆压电效应。这两种正、逆压电效应统称为压电效应。陶瓷介质是MLCC主要组成部分，电压作用下，电致伸缩不可避免。如电致伸缩强烈表现为压电效应，则会产生振动。

通常所说的网线为以太网网线，即双绞线（twisted pair）。是由两根相互绝缘的金属导线按一定的绕合密度绞合成绞线对，再将多对线组合而成的数据传输线。本文主要介绍双绞线的分类及区别。

RS-485总线因其成本低、传输距离远（最长1200米）及支持多点通信等优势，广泛应用于工业控制、楼宇自动化及火灾报警系统‌。然而，复杂环境下的电磁干扰、信号反射及节点故障等问题常导致通信稳定性不足。为提高其可靠性，需从硬件设计、布线规范、软件优化等多维度综合施策。

使用Intel Cyclone V SoC，实现 100 kHz 电流环频率，支持 16轴 同步控制。使用高层次综合（HLS）工具（如Vivado HLS）将C/C++算法转换为硬件描述语言。ARM的通用性和软件生态（如Linux、ROS）更适合现代伺服系统。DSP在复杂算法处理上优于ARM，但成本更高，生态支持较弱。开发复杂控制算法（如自适应控制）难度大，灵活性不足。本文转自--------运动控制与人形机器人 公众号。多任务调度导致控制周期抖动，影响稳定性。实时性不足，难以满足高动态响应需求。

模拟开关是一种用于切换模拟信号（如音频信号、视频信号、电压、电流等）的半导体器件，可以用作电子开关来控制信号的通断。它的作用类似于机械继电器，但它没有机械结构，因此切换速度更快、功耗更低、寿命更长。

CAN采用基于消息优先级的非破坏性仲裁（Non-Destructive Arbitration）。在总线负载较高时，低优先级帧可能会长时间无法传输，导致实时性问题。此外，高负载可能导致总线上的冲突增多，进而引发通信错误。在实时控制系统（如汽车电子系统）中，各种信号的传输具有严格的时间要求。如果负载率过高，系统可能无法按时发送关键数据，导致任务失败或控制异常。因此控制总线的负载率尤为重要，将CAN总线负载率控制在30%以内是一种经验值，也是工程实践中经过验证的标准。

系统在低温下的时序或复位逻辑异常，可能是由时钟源或电源稳定性引起。PCB设计中，某些焊点在低温下产生微裂纹，导致接触不良。MOSFET 的开启阈值电压Vth 随温度降低而增加，这可能导致低栅压驱动的电路无法导通。二极管的正向压降（Vf）随温度降低而增加，每降低 1°C，典型值增大约2−2.5 mV。低温会降低少子浓度，反向漏电流显著减小，有利于减小反向功耗。低温下载流子迁移率增加，使RDS(on)减小，导通损耗降低。在低温下，MOSFET 的雪崩电流能力（耐压能力）通常增强。

主控芯片 IO Domain 在未上电时，如果 IO 上有电压， IO 会存在漏电，比如 主控芯片已经断电了，然后 HDMI 线还连接着 Sink 端（电视或显示器），此时 Sink 端的 CEC 有电，会通过 HDMI 线漏电到RK3588 IO 上，会造成 CEC 漏电超过 1.8uA，因此外部需要增加一个隔离电路（二极管）， R158 阻值不得随意修改，需要使用 27Kohm， Q14 默认选择 2SK3018，如果要换其它型号，结电容必须相当。

高清多媒体接口（High Definition Multimedia Interface，HDMI）是一种全数字化视频和声音发送接口，可以发送未压缩的音频及视频信号。HDMI可用于机顶盒、DVD播放机、个人计算机、电视、游戏主机、综合扩大机、数字音响与电视机等设备。HDMI可以同时发送音频和视频信号，由于音频和视频信号采用同一条线材，大大简化系统线路的安装难度。

MOSFET驱动芯片是用于驱动MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的集成电路，它们可以提供足够的电流来快速开启和关闭MOSFET，以提高效率并减少开关损耗。

在电路设计中，播放MP3声音可以通过多种方案实现，这些方案通常围绕着音频解码、信号放大和音频输出等环节展开。

转自---------青轩小研。

优秀的低功耗MCU在活跃模式下的功耗较低，意味着在执行任务时消耗的电力较少。Nordic Semiconductor的nRF52系列，例如nRF52840，虽然主要作为蓝牙低功耗（BLE）SoC，但也具有低功耗特性。低功耗MCU通常提供多种低功耗模式，如深度睡眠模式、停机模式、休眠模式等，以适应不同的应用需求，同时最大限度地降低功耗。使用先进的芯片制造工艺，如28nm或更小的制程，可以减少漏电流，从而降低功耗。低功耗单片机在从低功耗模式中唤醒到完全活跃状态的时间越短越好，这减少了在唤醒过程中消耗的能量。

MOS管的开启可以看成是对Cgs和Cgd的充电过程，充电瞬间电容相当于短路，电流非常大，驱动芯片瞬间可能无法提供这么大的电流或者因为电流过大而损坏，所以串接一个电阻起限流和保护作用。当i⋅Rg＞Vgs(th)时，MOS管就会发生自导通，对于MOS管构成的H桥电路来说，这种自导通会带来上管和下管同时导通的情况发生，可能损坏一个或者两个MOS管。增大MOS管的栅极串联电阻可以减小开关的导通速度，从而减小dVDS/dt，进而减小栅极的尖峰电压，达到防止MOS管的误导通和栅极氧化层击穿损坏的目的。

工业现场复杂，PT100传感器与控制器距离可能很远。由于PT100阻值随温度变化（0.385Ω/℃），长导线的电阻对测量精度有影响。要提高测量准确性，必须解决导线引起的误差问题。常用铂热电阻PT100是一种具有正温度系数的感温传感器，即随温度升高，传感器自身阻值呈正相关的变化，如图1:图1 PT100曲线被测对象的温度每上升1℃，PT100的阻值随之增加0.385Ω，在-200℃~850℃的区间内，铂热电阻PT100良好的线性度。

当 VS 被高端开关上拉到一个较高电压时（低端开关关断，高端开关导通），由于VBS 已对该自举电容CBOOT充电，此时，VBS 电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压 和 IC 电源电压 VDD，被隔离开。根据开关时间确定电阻值时，我们需要知道电源电压 VDD ( 或 VBS)，栅极驱动器的等效导通电阻 (RDRV(ON))，和开关器件的参数 (Qgs, Qgd, 和 Vgs(th))。自举电容 (CBOOT) 每次都被充电，此时，低端驱动器导通，输出电压低于栅极驱动器的电源电压 (VDD)。

旋转编码器的输出形式，包括集电极开路输出（Open Collector Output）、电压输出（Voltage Output）、互补输出（Complementary Output）和线性驱动输出（Line Driver Output），它们各自有不同的特点和应用场景。

UL94阻燃等级是应用最广泛的材料可燃性能标准。它用来评价材料在被点燃后熄灭的能力，是日常检验材料阻燃与否的一种大众标准。UL94根据材料点燃后的燃烧速度、燃烧时间、抗滴能力以及滴珠是否燃烧可有多种评判方法。每种被测材料根据颜色或厚度都可以得到许多值。当选定某个产品的材料时，其阻燃等级应满足厚度要求。阻燃等级应与厚度值一起报告。