NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别

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NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别

文章为来自 VeryARM 的经验分享。

从这里开始

快闪存储器 Flash Memory ,是一种 电子式可清楚程序化只读存储器的形式 ,允许在操作总被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如存储卡与U盘。闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的

与硬盘相比,闪存也有更佳的 动态抗震性 。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。 闪存的写入速度往往明显慢于读取速度

Nor Flash

NorFlash

NOR Flash需要很长的时间进行抹写,但是它提供完整的寻址与数据总线,并 允许随机存取存储器上的任何区域 ,这使的它 非常适合取代老式的ROM芯片 。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码,例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环,它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。CompactFlash本来便是以NOR Flash为基础的,虽然它之后跳槽到成本较低的 NAND Flash。

Nand Flash

Nandflash

NAND Flash式东芝在1989年的国际固态电路研讨会 ISSCC 上发表的, 要在NandFlash上面读写数据,要外部加主控和电路设计 。NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小, 这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍 。然而NAND Flash 的I/O接口并没有随机存取外部地址总线,它 必须以区块性的方式进行读取 ,NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。

因为多数微处理器与微控制器要求字节等级的随机存取,所以NAND Flash不适合取代那些用以装载程序的ROM。从这样的角度看来, NAND Flash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备NAND Flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备 。第一款创建在NAND Flash基础上的可移除式存储媒体是SmartMedia,此后许多存储媒体也跟着采用NAND Flash,包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。

eMMC

emmc存储器

eMMC Embedded Multi Media Card 为MMC协会所订立的,eMMC 相当于 NandFlash+主控IC ,对外的接口协议与SD、TF卡一样,主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器,它提供标准接口并管理闪存,使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说,同样的重要。

eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成,带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备(Nand Flash)及主控制器,所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MBytes,eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是 1.8v 或者是 3.3v。

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