模拟cmos集成电路（2）

模拟受PVT的影响；P 工艺 V 电压 T 温度

参杂浓度和温度都会影响阈值即VTH  可以将要求匹配的管子放在近的地方 参杂浓度和温度较为接近会有更相近的阈值

工艺提供了不同沟道参杂浓度的晶体管 以获得不同的阈值

漏极电流在线性区（linear region /triode region）的表达式（推导过程见书）(对于nmos)

前半部分又工艺决定 设计的部分是后半部分电路的尺寸和偏置电压 

ID同时受Vgs和Vds影响     W/L定义为宽长比（aspect ratio设计是考虑 改变w更多）

 

当Vds=Vgs-Vth时 

对于Vds<<2(Vgs-Vth) Vds的二次项可以忽略 漏电流公式为

此时三极管可以看作是受Vgs控制的 接在DS之间的一个压控线性电阻

Ron=Vds/Id 

当Vds>Vgs-Vth 电流并未像上图所示沿着抛物线向下 而是维持顶点处的电流不变 沟道处发生夹断（pinch off）

夹断点的电压始终维持在Vgs-Vth 此时mos管工作在饱和区(夹断导致L'长度小于L 在长沟道中忽略)

 IV曲线修正为下图

在饱和区内的mos管可以看作VCCS即压控电流源

由上式可知Id随Vgs变化（其余变量对于同一mos管是不变的） 

 overdrive voltage（过驱动电压）=Vgs-Vth 平方律 Vgs大于Vth时Id出现下式 设计公式

 Vd不变时Vg上升 截止-饱和-线性     保持Vg不变时 Vod变化先线性再饱和

DC和偏置量用大写字母表示 是大信号

电压电流增量的变化用小写字母表示 小信号

偏置的基础上增加小信号的量叫做瞬时量

 

上图左侧为大信号 右侧为小信号

 

直流偏置在交流信号模型中可以看作地

跨导的计算

恒等变形 用上述三个公式表达跨导都可以

即W/L ；Id ；Vgs-Vth 三者只有两个是独立的 

 

小信号模型就是mos管的线性化模型

体效应（body effect）

Vb小于0较难实现 但使Vb=0时 使得source端电压大于0得到的的效果时一样的。

增加的负的衬底电压会使得更多的空穴被抽到底端 因为沟道位置的负电荷更多了 耗尽区更宽了

需要更大的Vgs实现反型 即Vth增加γ是体效应系数

 

（a）图电路为源级跟随器Vout=Vin-Vgs 如果Vth不变 Vout与Vin的gap保持不变 如图（b）所示

但实际Vout增加 即Vs增加 由于Vb接地不变 会因为体效应导致Vth增加 最终出现图（c）结果

引入体跨导的概念  即S和B之间的电压变化也会影响电流

η是体跨导系数 由典型值知G端控制电流的能力是B端的3到10倍 

沟道长度调制

在饱和区Id不受Vds变化的影响 即mos管可以看作是理想的电流源(两端电压差的变化不影响电流)

即对于小信号有无穷大的输出电阻

但是对于短沟道的mos Vds的变化会引起Id的变化 即输出电阻<∞ 

 

λ受工艺和具体的长度L设计影响 可以通过增大L来减小λ（对于要求输出电阻大时可以增大L） 

漏电流会随着漏源电压变化 此时电流源变得不理想 

 增大ro可以通过增加L或减小Vgs

亚阈值导通（sub-threshold conduction）

反型不是突然出现 在导通前电流就已经出现

 

只要Vds>100mv 电流只与Vgs有关（注意上图纵轴时对数关系）

特点：低功耗 噪声大 速度慢

上图有介质电容 结电容 耗尽层电容 

Cgs和Cgd更重要 Cgs是压控电容 

饱和区Cgs>Cgd