szriley123的博客

WNM4153 N沟道20V 0.88A 小信号MOSFET说明WNM4153是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换应用。 标准产品WNM4153是无铅的。特征沟槽N通道超高密度电池设计，极低RDS（ON）出色的导通电阻和最大直流电压目前的能力采用SOT-523的小型封装设计...

WPM2341P通道增强模式Mosfet特征更高的效率延长电池寿命微型SOT23-3表面贴装封装超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）应用DC / DC转换器负载开关电池供电系统液晶显示变频器便携式电池供电产品的电源管理功耗特性WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸2盎司CuRşJA是125ć/ W.2.功耗...

说明WNM2077 单N沟道，20V，0.54A，功率MOSFETWNM2077是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） SOT-723低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2077是无铅的。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-723...

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WSB5543W中功率肖特基势垒二极管特征1.0AAverage整流正向电流沟槽MOS肖特基技术低正向电压，低漏电流小包装SOD-323F应用FAE 13723714328开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压（重复峰值）VRM 40 V.反向电压（DC）VR 40 V.平均整流正向电流（1）IO 1....

WSB5523D中功率肖特基势垒二极管特征整流正向电流低正向电压漏电流低FBP包应用FAE:13723714328开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压（重复峰值）VRM 40 V.反向电压（DC）VR 40 V.平均正向电流（1）IF（AV）1.0 A.重复峰值正向电流@tp≤1ms，duty≤25％IFRM 4 A.正向峰值浪涌电流@ t ...

WSB5521F-3/TRWSB5519F/5520F/5521F/5522F肖特基势垒二极管特征极快的切换速度标准产品无铅和无卤绝对最大额定值电子特性（TA = 25o C）参数符号值单位峰值重复峰值反向电压VRRM 30 V.工作峰值反向电压VRWM 30 V.阻断电压（DC）VR 30 V.正向连续电流IFM 0.2 A.功耗PD 200 mW热阻结至环境温度...

WPT2F42-6/TRWPT2F42-6 / TR单，PNP，-30V，-3A，功率晶体管说明WPT2F42是PNP双极功率晶体管饱和电压很低。这个设备是适用于充电电路和其他电源管理。标准产品WPT2F42是无铅和无卤素。特征超低集电极 - 发射极饱和电压高直流电流增益> 1003A继续集电极电流小包装SOT-23-6L。应用充电电路电源调节器便携式其他电源管理...

说明PNP，通用晶体管WPT2F06专为通用目的而设计放大器应用。标准产品不含铅和无卤素特征WILLSEM FAE：13723714328WNT2F04的补充集电极电流：IC = -0.2A绝对最大额定值电子特性（Ta = 25oC，除非另有说明）参数符号值单位集电极 - 发射极电压VCEO -40 V.集电极电压VCBO -40 V.发射极电压VEBO -5 V.继...

描述单P沟道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先进的沟槽技术提供 具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。 该设备适用于用于DC-DC转换应用。 标准产品WPM3407是无铅的。应用FAE:13723714328笔记本中的电源管理便携式设备电池供电系统DC / DC转换器负载开关绝对最大额定值TA = 25°C，除非另有说明参数符号10 S稳态单...

单P沟道，-30V，-3.1A，功率MOSFET描述WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。特征FAE:13723714 328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-...

WPM1488-3/TR单P沟道，-12V，-1.4A，功率MOSFET说明WPM1488是P通道增强功能MOS场效应晶体管。 使用先进沟槽技术和设计提供优秀RDS（ON），栅极电荷低。 这个设备是适用于DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WPM1488是无铅的。特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计优异的导通电阻，可提高直流电压 当前极低的阈...

WNT2F04-3/TR NPN通用晶体管说明WNT2F04专为通用目的而设计放大器应用。标准产品不含铅和无卤素特征FAE: 13723714328WPT2F06的补充集电极电流：IC = 0.2A绝对最大额定值参数符号值单位集电极 - 发射极电压VCEO 40 V.集电极电压VCBO 60 V.发射极电压VEBO 6 V.继续采集器电流IC 200 mA集电...

单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET说明WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-323...

WNM6001单N沟道，60V，0.50A，功率MOSFET, WILLSEM说明WNM6001是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6001不含铅，不含卤素。特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流...

单N沟道，20V，0.71A，功率MOSFET说明WNM2046是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2046是无铅的。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流极低的阈值电压小型封装DFN1006-3L应用小信号切换小...

描述单N沟道，20V，3.9A，功率MOSFETWNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-23应用继电器，电磁铁，电机，L...

N沟道，20V，3.2A，功率MOSFET描述WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-23应用继电器，电磁铁，电机，LED...

WL2803E25-5/TR WL2803E 超低压差，500mA，CMOS LDO说明WL2803E系列具有超低压差，低压静态电流，高PSRR CMOS LDO。该在500mA负载下，压差为130mV（典型值）当前。采用CMOS结构，静态电流WL2803E消耗的电流通常为150uA整个输入电压范围，使其具有吸引力消费者，网络应用程序需求很高输出电流。 WL2803E系列有...

WL2801E低噪声，高PSRR，高速，CMOS LDO说明WL2801E系列是一款高精度，低噪声，高速，低压差CMOS线性稳压器高纹波抑制。这些设备提供了新的水平在手机，笔记本电脑中具有成本效益和笔记本电脑，以及其他便携式设备。限流器的折返电路也可以工作作为短路保护和输出电流输出引脚上的限幅器。 WL2801E稳压器标配SOT-23-5L封装。标准产品不含铅和无卤素。品牌：WIL...

说明ESD9X7V是瞬态电压抑制器（TVS）它为敏感性提供了非常高水平的保护可能受到的电子元件静电放电（ESD）。它旨在取代消费类设备中的多层压敏电阻（MLV）手机，笔记本，PAD，STB等应用液晶电视等。ESD9X7V超过ESD瞬态电压符合IEC61000-4-2标准的±30kV（触点）8 /20μs脉冲可承受高达9.5A的峰值电流根据IEC61000-4-5。ESD9X7V采用FB...