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本文介绍了AUTOSAR FLS/FEE的数据读写机制，强调了换页策略（Bank Swap）的重要性。在非易失性存储器Data Flash中，由于物理扇区数量有限，换页机制是解决空间循环使用的关键。换页涉及数据的拷贝、原有Bank的擦除以及新Bank的使用。同时，文章讨论了BLOCK写入请求的处理，包括immediate和Normal请求的区别，并提供了BANK大小的设计建议，考虑了ECU的使用时长和换页时长。此外，还提到了另一种分区设计思路，以减少换页时间和次数。
在正式说起FEE/FLS 换页策略和读写流程之前，我们先介绍了FLS 的一些基本概念
在MCU 中有一块非易失性存储器我们称之为Data Flash , 在AUTOSAR FEE/FLS 规范中，通过DATA FLASH 模拟EEP的形式将数据存储在Data Flash中
Page: 由若干个字节所组成，是读写的最小单元， 比如 Page:8 bytes, 也就意味着即使向DATA FLASH 写入一个字节，也会占用Page 这么大的空间
Logical Section: 逻辑扇区，擦除的最小单元，其由若干Page所构成，比如 Logical Section :2K 意味着擦除的最小单元式2K Bytes
Physical Section: 物理扇区由多个逻辑扇区所构成 比如 Physical Section :20K，那么其由10个逻辑扇区所构成
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