uboot nand 备份

最新推荐文章于 2022-07-05 20:50:30 发布

jason_work

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分类专栏： uboot分析

本文链接：https://blog.csdn.net/wangjasonlinux/article/details/9353819

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本文详细介绍了U-Boot中针对NAND Flash的初始化过程，包括board_nand_init()和nand_scan()函数的调用，以及如何设置NAND Flash的读写函数和片选。在初始化过程中，着重讲解了硬件ECC的配置和坏块管理，特别是如何通过读取和校验OOB区域来识别和标记坏块。同时，文章提到了nand_scan_bbt()函数用于查找和建立坏块表，确保数据的可靠性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

1.nand_init_chip()顺序调用board_nand_init()和nand_scan()实现NAND FLASH初始化工作。

2.其中board_nand_init()实现S3C2440 NAND FLASH控制器相关的初始化，设置控制器的时序，设置寄存器的读写地址。

3.nand_scan()主要实现NAND FLASH各种参数设置（比如自动识别NAND FLASH的大小、每一页的大小、数据宽度等信息），设置对NAND FLASH的片选、读写函数以及NAND FLASH的控制命令。

二、读数据函数调用关系

调用到最后，使用的是一个宏readb，读取nand_chip->IO_ADDR_R地址处的数据，就完成了读数据的过程。对于S3C2440来说，nand_chip->IO_ADDR_R对应的就是NAND FLASH控制器的数据寄存器NFDATA，地址为0x4E000010。

三、关键数据结构

控制NAND FLASH时，通过结构体mtd_info的*priv成员找到对应的结构体nand_chip，然后调用读写、片选等函数，最终实现对NANDFLASH的控制。

struct nand_flash_dev {
char *name;
int id;
unsigned long pagesize;
unsigned long chipsize;
unsigned long erasesize;
unsigned long options;

};

结构nand_flash_dev的内容比较少，其各项含义为：

name：NAND FLASH的厂家名字

id： NAND FLASH的ID

pagesize：一页的大小，单位为字节Byte

chipsize：整个NAND FLASH 的大小，单位为MB

erasesize：最小擦除大小单位为字节Byte

options：选项
四、获知外接NAND容量大小

u-boot先读取外接NAND FLASH的ID，根据ID 在struct nand_flash_dev nand_flash_ids[]定义的数组中找到匹配的项，这样就确定NAND FLASH的大小了。

struct nand_flash_dev nand_flash_ids[] = {

……

{"NAND 256MiB 1,8V 8-bit",0xAA, 0, 256, 0, NAND_SAMSUNG_LP_OPTIONS | NAND_NO_AUTOINCR},

};

首先在配置文件smdk2410.h（路径：include/configs/smdk2410.h）的宏CONFIG_COMMANDS中增加CFG_CMD_NAND

然后，增加NAND FLASH的一些宏，启用NAND FLASH设备。在配置文件smdk2410.h（路径：include/configs/smdk2410.h）中增加以下有关NAND FLASH的宏定义：

/*NAND FLASH config*/

#define CFG_NAND_BASE 0

#define CFG_MAX_NAND_DEVICE 1

#define NAND_MAX_CHIPS 1

2.增加NAND FLASH底层驱动

board_nand_init()主要实现开发板上NAND FLASH芯片K9F2G08的底层驱动。包括芯片时序设置，底层函数的实现。

3.解决其他错误

增加驱动后，再次编译，出现错误：

In function `s3c2440_nand_select_chip':

undefined reference to `S3C2440_GetBase_NAND'

提示函数S3C2440_GetBase_NAND()未定义，参考S3C2410_GetBase_NAND()，在s3c2410.h（路径：include/s3c2410.h）中增加函数

static inline S3C2440_NAND * const S3C2440_GetBase_NAND(void)

{

return (S3C2440_NAND * const)S3C2440_NAND_BASE;

}

然后增加S3C2440_NAND_BASE的基址

#define S3C2410_NAND_BASE 0x4E000000

#define S3C2440_NAND_BASE 0x4E000000

将nand视作一个MTD设备

uboot将nand视作一个mtd设备，所以使用mtd机制对nand设备进行管理。单个nand设备用nand_info_t来描述。而nand_info_t实际上就是mtd结构。最多支持的nand设备数CONFIG_SYS_MAX_NAND_DEVICE可自行配置。

typedef struct mtd_info nand_info_t;

nand_info_t nand_info[CONFIG_SYS_MAX_NAND_DEVICE];

但是仅使用mtd结构来描述不够，因为MTD只是一个通用的存储描述结构，而Nand设备特定的某些属性，如ECC布局等不能简单的添加到mtd结构中。所以，uboot定义了nand_chip结构。

在nand_init_chip()中通过以下代码关联nand_info结构和nand_chip结构：

mtd->priv = nand;

使得一个MTD结构既可以描述MTD结构的通用性，又能在需要时访问nand设备特定的属性和操作函数。

基本的nand操作算法

uboot提供了nand设备的通用操作算法，这些操作算法集中在nand_base.c。

对于移植而言，开发者需要做的是重新定义board_nand_init()，在该函数中完成NAND设备中的MTD结构部分接口函数和属性的设置。其中某些属性是必须设置的，如下所示：

int board_nand_init(struct nand_chip *nand)

nand->IO_ADDR_R = (void __iomem *)(NFDATA);

nand->IO_ADDR_W = (void __iomem *)(NFDATA);

nand->cmd_ctrl = s3c_nand_hwcontrol;

nand->dev_ready = s3c_nand_device_ready;

nand->ecc.mode = NAND_ECC_HW;

虽然Nand型号非常多；但是其基本接口都一致，并且读写Nand块、页中数据的算法都是类似的。所以，uboot在nand_base.c中提供了与nand控制器无关的操作算法，而与硬件相关的部分则由用户驱动实现。

ECC管理机制

借助存储在OOB区的ECC码，可以检测出读取的数据是否有错误位。而当出现的错误位数在容许的范围内时，可对数据进行纠正，保证读取数据正确，避免丢弃整个块。

uboot使用nand_ecc_ctrl结构来定义ecc相关的操作模式和接口。

对于ECC操作而言，最主要的两个操作为根据输入计算ECC码(calculate)和根据ECC码对数据进行纠错(correct)。

在board_nand_init()中初始化nand驱动接口时，可以根据需要初始化ECC操作接口。

ECC的分组处理

通常ECC码需要分组计算，即将整个nand页划分为成多个部分，每部分数据计算一组ECC码，最后统一放置到OOB区。例如，s5pv210的8Bit硬件ECC计算，每512字节生成一组ECC，单个页的ECC计算代码如下：

for (i = 0; eccsteps; eccsteps–, i += eccbytes, p += eccsize) {

s3c_nand_enable_hwecc_8bit(mtd, NAND_ECC_WRITE);

chip->write_buf(mtd, p, eccsize);

s3c_nand_calculate_ecc_8bit(mtd, p, &ecc_calc[i]);

}

硬件ECC

s5pv210支持1位、4位、8位、12位、16位的硬件ECC，相应的ECC检错和纠错代码已经包含在nand驱动源码中。

坏块管理

uBoot对Nand设备的坏块管理有两种：一种是读写时跳过坏块；一种是基于坏块表。

跳过坏块是最简单也是最常见处理方式，在nand_util.c中nand_read_skip_bad和nand_write_skip_bad提供了该种处理方式。

Nand flash芯片工作原理:
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    Nand flash芯片型号为Samsung K9F2G08U0A,数据存储容量为256MB，总线宽度为8bit，页大小为2048字节，需要5个寻址命令，采用块页式存储管理。8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。

    芯片内部存储布局及存储操作特点:
    一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:
    1 (Device) = 2048 (Blocks)
    1 (Block) -= 64  (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样

1 (Page) = 数据块大小(2KB) + OOB 块大小(64Bytes)

在每一页中,最后64个字节(又称OOB)用于Nand Flash命令执行完后设置状态用,剩余2k字节又分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位通过Nand Flash内置的指针指向各自的首地址。

存储操作特点:

1. 擦除操作的最小单位是块。

2. Nand Flash芯片每一位(bit)只能从1变为0,而不能从0变为1,所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1).

3. 对于现在常见的页大小为2K的nand flash，把块中第一页的OOB部分的第1个字节标志为是否是坏块,如果不是坏块该值为FF,否则为坏块。

4. 除OOB第1字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码

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10.nand_default_bby()选择一个坏块描述表，返回时调用本文件中的nand_scan_bbt()。

11.nand_scan_bbt()寻找建立一个坏块描述表。

下面对命令nand read addr ofs size的执行流程进行分析：

1.nand read addr ofs size命令的作用是从nand flash地址的偏移量ofs处读取长度为size字节的数据存储到内存地址addr处。

2.common/main.c文件中的main_loop()主要执行read_line()读取命令行。

3.read_line()读取到命令行后会调用common/main.c文件中的run_command()。

4.run_command()调用common/command.c文件中的find_cmd()在.u_boot_cmd段中寻找该命令的cmd_tbl_t结构，找到后返回该结构。该命令的结构是通过定义在include/command.h中的宏定义U_BOOT_CMD登记进.u_boot_cmd段中的。

5.run_command()找到该命令的cmd_tbl_t结构后则执行该命令对应的函数。对于本情景是nand命令对应的函数do_nand()。

Nand flash读写模式下的管脚配置

D[7:0] : 数据/命令/地址输入/输出端口(三线共享)

CLE : Command Latch Enable (output)

ALE : Address Latch Enable (output)

nFCE : NAND Flash Chip Enable (output)

nFRE : NAND Flash Read Enable (output)

nFWE : NAND Flash Write Enable (output)

R/nB : NAND Flash Ready/nBusy (input)

在copy_main中，已经介绍的nand_flash的最底层的操作，结合SPC来看，以HY系列的NAND为例，首先是nand_flash的芯片，关注的是IO CE WE RE ALE CLE RB，这里WE RE与AT91sam9260直接相连，CE 片选 CLE 命令锁存, ALE地址锁存, R/B ready/busy