【图文解说】基于飞思卡尔MC9S12XS的Flash擦除和写入操作

         关于Flash的擦除和写入,真的是让我最费力的一部分,网上的相关资料很少,好不容易找到了一点相关代码,却发现程序不能正常的运行,而且更令人无解的是程序本身怎么检查都检查不出错误。好啦,一点一点的说说我的辛酸史。

         至于擦除和写入的原理是什么,这个不是我们关心的,我也不去赘述,我主要说明一下相关的具体操作。

         我们主要是对飞思卡尔Flash中的PFlash即存放程序段的Flash进行操作。如图:


步骤大概分为:

1、设置Flash分频寄存器:

         Flash的操作对频率有一定的要求,过低擦除不成功,过高会损毁Flash,如图为:


MC9S12XS128的FCLKDIV寄存器,所有位都是可读的但是只有7位可写入。至于应该如何设置分频数,有一张表格可以参考:


如表格说明,分频数是根据外部时钟来定的,MC9S12XS128的外部时钟是16MHz,所以我选择了0x10作为分频数。

给出一一些具体的代码:

  1. /***********************************************************  
  2. ** 名      称:void PFlash_Init(void)  
  3. ** 功      能:PFlash初始化   
  4. ** 入口参数:无  
  5. ** 出口参数:无  
  6. ** 使用说明:无  
  7. ************************************************************/   
  8. void PFlash_Init(void)  
  9. {  
  10.   while(FSTAT_CCIF==0);          //等待正在处理的Flash操作,即CCIF=1时,操作完成  
  11.   FCLKDIV=0x10;                //外部晶振为16MHz,Flash时钟设置为1MHz  
  12.   FCNFG=0x00;                 //禁止中断  
  13.   while(FCLKDIV_FDIVLD==0);     //等待时钟设置成功,即FDIVLD为1时设置成功  
  14. }  
这里补充一下对FCLKDIV_FDIVLD的说明

说明很简答,配合着程序注释一看就懂。

2FSTAT状态寄存器

在上面的代码中出现了一行“while(FSTAT_CCIF==0);”,这就涉及到一个很重要的寄存器,就是Flash操作的状态寄存器,就像是Flash操作步骤中的“红绿灯”一样,告诉程序什么时候可以执行什么操作,什么时候必须要等待一下。如图:


其中我们比较关心的是CCIF位、ACCERR位和FPVIOL位,这三位也都是可读可写的。

CCIF:指令完成标志位,当CCIF位为1时,表示上一个Flash操作完成了。注意图中的高亮部分,如果想要使当前操作的指令完成,需要手动将CCIF清零(标志位置位就是令标志位为0,但具体操作是令标志位等于1),才能触发指令,令指令完成,也就是前面流程图中说明的,才能launch指令。

ACCERR和FPVIOL:这两位主要标志是否有错误操作发生,当为1时,说明检测到错误。那检测到作物怎么办呢?解决方法也比较奇葩,将两个标志位清零(清零操作如上)就行,,,,,至于什么原理,我也不太明白。



数据手册如图,强烈建议还是自己读一下原文,很有好处。

         再给出一些具体的代码:

CCIF的操作代码:

  1. FSTAT_CCIF=1;           //启动执行命令,即launch指令  
  2. while(FSTAT_CCIF==0);    //等待执行完成  

ACCERR和FPVIOL的操作代码:

  1. if(FSTAT_ACCERR)           //判断并清除标志位;    
  2.       FSTAT_ACCERR=1;    //将标志位清零  
  3.  if(FSTAT_FPVIOL)           //判断并清除标志位;    
  4.       FSTAT_FPVIOL=1;      //将标志位清零  

注意点:说实话,当时我自己写程序的时候,就对标志位清零操作感到非常的疑惑,说好的清零操作呢,为什么是令标志位为等于1?后来才想明白,对于标志位,写0等效于没有操作,写1代表清零。原因主要有两点:

1)      标志位为1一般表示有什么事情发生啦,对于标志位什么时候为1,应该是单片机根据具体的情况作出自己的判断,是根据实际情况来置1的,而不应该是人为的置1。

2)   如果某次操作我们只想对状态寄存器中的某一位或某几位进行操作,那么对其余位就必须没有任何的影响,如果规定写0时等效于无操作。


3、执行具体的指令

         将分频和状态寄存器弄好后,就可以开开心心的执行具体的指令啦。指令具体的指令主要涉及到FCCOBIX寄存器FCCOB寄存器




FCCOBIX寄存器和FCCOB寄存器必须要配合使用。FCCOBIX进行选择,然后往FCCOB中写入具体的指令、地址和数据。Flash操作命令表如图:


这里我们只关心P-Flash的擦除和写入操作。

P-Flash的擦除操作:如图,;令CCOBIX为000,往FCCOB中写入0x0A和高地址位,对照指令表,0X0A表示擦除操作,高地址位就是Global address模式下地址的高八位。然后令CCOBIX为001,往FCCOB写入Global address模式下地址的第八位,就可以擦除你想要的擦除的地址片区。


  1. /***********************************************************  
  2. ** 名      称:void PFlash_Erase(word ADDR16)  
  3. ** 功      能:擦除P-FLASH的一个分区  
  4. ** 入口参数:无  
  5. ** 出口参数:无  
  6. ** 使用说明:无  
  7. ************************************************************/   
  8. void PFlash_Erase(word ADDR16)  
  9. {  
  10.   while(FSTAT_CCIF==0);    
  11.   if(FSTAT_ACCERR)           //判断并清除标志位;    
  12.       FSTAT_ACCERR=1;    
  13.   if(FSTAT_FPVIOL)           //判断并清除标志位;    
  14.       FSTAT_FPVIOL=1;  
  15.      
  16.   FCCOBIX_CCOBIX=0x00;    
  17.   FCCOB=0x0A7E;          //写入擦除命令和高位地址,0A是指令,7E是高地址位  
  18.   FCCOBIX_CCOBIX=0x01;       
  19.   FCCOB=ADDR16;           //写入低16位的地址    
  20.   FSTAT_CCIF=1;             //启动执行命令    
  21.   while(FSTAT_CCIF==0);      //等待执行完成    
  22. }  

P-Flash的写入操作:写入操作和擦除操作是差不多的:



模式是不是和擦除操作很像。CCOBIX为000和001时的含义和擦除操作是完全一样的。主要讲一下CCOBIX为010~101时的含义。因为MC9S12XS128规定Flash写入时,必须一次性写入8个字节(应该是4个字节吧,原文章这里写错吧),,,是的就是这么蛋疼。不多说啦,直接来一些具体的代码,就很好理解啦。

  1. /***********************************************************  
  2. ** 名      称:void PFlash_Write(uint16 ADDR16)  
  3. ** 功      能:向PFLASH写入数据   
  4. ** 入口参数:无  
  5. ** 出口参数:无  
  6. ** 使用说明:无  
  7. ************************************************************/  
  8. void PFlash_Write(word ADDR16)   
  9. {  
  10.   byte i,j;       //i为Buffer的下标,j为string的下标  
  11.   for (i=0,j=0;i<4;i++,j++)  
  12.   {  
  13.     Buffer[i]=0x0000;  
  14.     Buffer[i]=Buffer[i]|(string[j]<<8);  
  15.     j++;  
  16.     Buffer[i]=Buffer[i]|string[j];  
  17.   }  
  18.     
  19.   while(FSTAT_CCIF==0);     
  20.     if(FSTAT_ACCERR)           //判断并清除标志位;    
  21.         FSTAT_ACCERR=1;    
  22.     if(FSTAT_FPVIOL)           //判断并清除标志位;    
  23.         FSTAT_FPVIOL=1;    
  24.       
  25.     FCCOBIX_CCOBIX=0x00;     
  26.     FCCOB=0x067E;         //写入命令和高位地址(06是对P-Flash进行固化的指令)          
  27.     FCCOBIX_CCOBIX=0x01;  //地址后16位    
  28.     FCCOB=ADDR16;         //写入低16位地址    
  29.     FCCOBIX_CCOBIX=0x02;  //写入第一个数据    
  30.     FCCOB=Buffer[0];    
  31.     FCCOBIX_CCOBIX=0x03;  //写入第二个数据    
  32.     FCCOB=Buffer[1];    
  33.     FCCOBIX_CCOBIX=0x04;  //写入第三个数据    
  34.     FCCOB=Buffer[2];    
  35.     FCCOBIX_CCOBIX=0x05;  //写入第四个数据    
  36.     FCCOB=Buffer[3];           
  37.     FSTAT_CCIF=1;         //写入执行命令    
  38.     while(FSTAT_CCIF==0);  //等待执行完毕    
  39. }  
这段程序理解起来应该没有问题吧。

4、最后一步:

好啦,看到这里是不是想要自己写一个Flash操作代码尝试一下,然后你单步调制的时候会发现太好啦,终于擦除和写入啦,然后开始全速运行,咦,发现程序跑飞啦,不放弃,接着尝试,然后怎么检查都检查不出错误来,单步运行就是可以,全速运行就是不可以,反复多次,你会感到抓狂,会感到。

         好啦好啦,不瞎扯啦,其实这个问题也困扰了我很久,因为我没有系统的学习过单片机,终于,在TI的论坛上,没错,你没有看错,一个飞思卡尔的问题最终在TI论坛上找到了解决方法(吐槽一下,飞思卡尔真是奇葩,资料超少,软件也超贵,相关的论坛也超冷淡。相比来说,TI做的就很好,资料很多,软件免费而且好用,论坛也很火)。

         其实原因是,Flash不能对本身就行操作,也就是说在Flash中的代码不能对Flash进行操作,必须转移到RAM中才可以。怎么解决这个问题呢,我自己用的是#pragma关键字,再配合上codewarrior的.prm文件,就可以啦,全速运行下没有问题。

#pragma  CODE_SEGFLASH_RAM    //.prm文件中将FLASH_RAM定义在RAM区中

// flash进行操作的代码

#pragma CODE_SEG DEFAULF

关于#pragma和.prm怎么用,又是另一个主题啦,在这里就不赘述。

         除此之外还有一个方法,就是利用RELOCATE_TO,至于RELOCATE_TO怎么用,也是另外一个话题,在这里给出一些资料,要用到的同学可以自己去看看。

         关于RELOCATE_TO的关键定义:

         Inthis example, references to functions in CODE_RELOC use addresses from 0x1000to 0x1FFF area, but the code is programmed from 0x8000 to 0x8FFF.

来自http://blog.sina.com.cn/s/blog_83b3bb460100tesw.html

 

         至此,flash的操作就讲完啦,其他操作也都是换汤不换药。


//-------------------------

擦除操作可以从Flash中启动或是从RAM中启动。当操作是从Flash中启动的时候,Flash控制器控制了操作时序,CPU运行被暂停直到擦除结束。擦除周期结束后,CPU继续执行,从空写入之后的指令开始运行。当从Flash中启动擦除操作时,可以擦除即将运行的程序所在的段,如果擦除了即将运行的程序所在的Flash段时,擦除结束后,CPU的运行不可预料。


是指执行擦除操作的代码,可以驻留在 Flash 中,也可以驻留在 RAM 中。CPU 执行此操作时,从中取指运行。

有些芯片是不支持从 Flash 中发起对 Flash 的擦写的,会引起总线冲突。当然,即便是支持从 Flash 发起擦除的芯片,也不能让它擦除掉擦除代码所在的空间,这样会跑飞。这要由编程者来控制。

单片机如何控制是从flash中启动还是RAM中启动呢?

从 Flash 启动就是常规的函数调用。RAM 启动的话,要将函数代码复制到 RAM 中,并将其起始地址声明为一个函数指针,调用此指针即可。

实际上,无论哪一种情况,函数调用都是将当前代码地址压栈,将函数起始地址写入 CPU 取指地址寄存器。只是写入的地址不同而已。函数返回时,会从堆栈中重新弹出调用者的地址。当然,这些会是编译器来做的,你只需编写代码即可。

FLASH读操作是整块读的,擦除程序如果在FLASH里运行的话,从flash去指令,cpu一下读很多条指令,这样cpu指令寄存器能放下吗?

单片机内部一般是 NOR FLASH,不需要整块读。

“RAM 启动的话,要将函数代码复制到 RAM 中”这是怎么实现的啊?
基本上有两类方法:

1 隐式方式 
利用编译器(需要一些编译信息指令文件的配合)将相关的代码段链接到 RAM 中,同时将代码内容存放在 Flash 中;另外,在代码运行前,用程序指令将代码内容复制到相应的 RAM 空间(例如利用 Startup.c 启动代码来复制它)。

2 显式方式
声明一个处于 RAM 地址函数指针,并将 Flash 中的一段代码复制过去。操作时,调用该函数指针。

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