固态硬盘参数选项

固态出来也有几年了吧，但是还是选购的时候不知道自己需要哪个，感觉各种乱是吧，其实你懂这些就知道自己需要哪些型号的了

固态硬盘接口：

1、SATA固态硬盘普通接口，这种接口也就是和普通硬盘一样的接口，常用的固态硬盘都是这种STAT固态硬盘接口。目前STAT固态硬盘接口主要分为SATA1.0--3.0。一般现在市场上主流的固态硬盘接口就是SATA3.0产品的接口。
       SATA接口已经不再是新技术了，从2001年推出SATA 1.0到目前的SATA2.0和SATA3.0，已经让SATA成为目前机械硬盘的接口，当前也是主流固态硬盘的主要接口。就目前的使用率来 说，SATA2.0用户仍然最多，这主要受到PC接口的影响，不过目前市场上的SATA3.0产品，大多都可以向下兼容2.0。虽然现阶段SATA接口的 SSD以SATA 2.0为主流，SATA 3.0占比较低，但其每秒高达600MB的传输速率，注定将成为SSD未来接口趋势。

2、mSATA接口是迷你版本SATA接口，这种类型的固态硬盘尺寸小巧，单面厚度仅为4.85mm，不会占用太多笔记本内部空间。mSATA接口 的固态硬盘在速度上并不逊色，理论上mSATA将提供跟SATA接口一样的速度和可靠度。由于体积小巧等优势，已被越来越多的笔记本所使用。

3、NGFF接口是Intel为超极本量身定做的新一代固态硬盘接口标准，其常规尺寸仅为42mm×22mm， 单面布置NAND Flash颗粒的厚度为2.75mm，双面颗粒的厚度是3.85mm，对mSATA来说体积进一步减小，非常适合轻薄的超极本产品。速度方面，采用 PCI-Express x2传输标准的NGFF接口的固态硬盘，最大读取速度可达到700MB/s，写入为550MB/s，4K随机读写IOPS分别可达到100K及90K，相 比mSATA来说，传输速度会更快。

NGFF固态硬盘通过改变长度来增加容量 与mSATA接口固态硬盘相比，NGFF标准的宽度、厚度都是相同的，只有长度不同，即可通过增加长度来增加容量，应用起来更加灵活。苹果版PCLE SSD、NGFF SSD和mSATA SSD对比
除了上述常见的笔记本SSD外，目前还有一种采用特殊定制的苹果版PCLE SSD，这是由一种SATA-IO标准组织制定，并且与PCI-E总线相联，同时采用mSATA接口的特殊SSD，能达到接近800MB/秒的读写速度。

4、PCI-E接口固态硬盘
 
         PCIe 2.0的传输速率由PCIe 1.0的单向250MB/s提升到500MB/s，PCI 3.0可提升至750MB/s，这比SATA更令人兴奋。若以高阶显示适配器所采的×16规格来看，PCIe 2.0可达单向8GB/s、PCIe 3.0可达单向12GB/s的传输速率。非常适合专业人事使用。
　    这种PCI-E接口固态硬盘的接口要比SATA的接口要大，但是比SATA固态硬盘的带宽要大，在性能和容量上面得到了很大的提升。所以一般用户很少用这种接口，这种固态硬盘更多是用在服务器和大型工业方面。

5、外置接口设备：USB接口 　　usb接口是采用最新的usb3.0接口，可有效提升NAND Flash相关应用的传输速度，例如高速随身碟、记忆卡与SSD等，由于SSD未来亦可能有外接式需求，所以USB接口SSD仍是有其发展空间。

6、其它固态硬盘接口
　　以上那两种接口基本上都满足了工业和一般用户的需求，但是还有一些其他的接口其中包括LIF接口固态硬盘以及mSATA嵌入式接口固态硬盘，这 些固态硬盘的接口都应用于一些专门的领域。mSATA接口的固态硬盘(SSD)一般是指超小型的SSD模块，不同于传统2.5吋或1.8吋的SSD产品， 架构设计上类似于嵌入式系统的DOM型态。

固态硬盘相比传统硬盘接口更多，不过除了最常见主流的STAT以及工业领域的PCI-E接口外，这两者主要应用于专门的领域，如LIF接口为苹果固态硬盘电脑专用接口，而mSATA嵌入式接口固态硬盘主要应用于内嵌式内存解决方案，主要应用 于超薄型的系统产品上，是客户和产品需求来选择应用。简单的说mSATA接口SSD就是一块内置卡，而不是我们平时见到的成型固态硬盘，你可以根据自己的需要进行组装。

固态硬盘目前就有上面这些接口，但常用的还是sata接口和Msata接口了，推荐购买这两种接口的固态硬盘。

固态硬盘结构方面：

1、控制芯片

2、缓存芯片

3、存储数据的闪存芯片

控制芯片：

SSD的“大脑”：认识SSD主控芯片

　　在SSD中，对于性能和可靠性影响最大的就是其控制芯片。目前主流SSD控制芯片厂商有：Intel、Sandforce、Marvell、Indilinx、Micron、Toshiba、Phison、Samsung、JMicron。目前知道的15款SSD运用的主控芯片有Sandforce、Indilinx、Samsung。

SandForce主控方案

        SandForce公司是一家半导体芯片设计厂商，其SSD控制芯片核心解决方案在世界处于领导地位。他们发布的首款SSD控制器是SF-1000系列。其中的一个分支，SF-1200系列被用于消费级SSD市场，而另一个分支SF-1500系列被用于企业级SSD市场。这两款SSD控制芯片具有相同的硬件结构，他们的差别在于内部的程序有所不同。在后来发布的SF-2281系列主控成为了现在SSD主控芯片的主角。

        目前市面主流的SSD几乎都清一色采用SF2281这一款主控方案，号称持续读写超过500MB/s，可支持MLC或SLC闪存颗粒，支持AES-128/256加密算法，同时也支持TRIM、GC、NQC等技术。

Indilinx主控方案

          Indilinx主控是美商饥饿鲨(OCZ)收购indilinx公司之后推出的新一代主控芯片Indilinx Everest 2。首先出货的是OCZ vertex 4系列，定位中高端市场，性能比主流SF2281主控的SSD有很大进步。有不少消息称，这颗Indilinx Everest 2芯片其实是有定制版Marvell主控方案。在性能上有所提升。

三星主控方案
          三星SSD不管是主控、闪存颗粒还是缓存芯片都采用自家研制的产品，在稳定性上保障比较突出。三星830系列SSD采用自主研发的S4LJ204X01-Y040主控芯片，该主控采用三核心MCX控制器，可同时执行读取数据，写入数据和优化处理的命令，搭配三星自家优化的非压缩算法，使其在多线程调度下的IOPS能力更具优势。在我们之前的测试过程中，三星830系列SSD的多线程4K效能明显高于SF-2281的方案，拥有更优秀的表现。

主控芯片的工作原理

主控芯片在SSD中的地位就相当于电脑中的CPU，其作用一是合理调配数据在各个闪存芯片上的负荷，作用二则是承担了整个数据中转，连接闪存芯片和外部SATA接口。那么这颗“大脑”又是如何计算的呢？
　　在SSD中，Page为最小的读写单位1，Block为最小的擦除，编程单位。其中1个Page为4KB，1个Block由256个Page组成，1个Plane由2048个Block组成，2个Plane组成1个Die，也就是最小的芯片(4GB)。
　　我们首先来假设一个主控和主控往每个颗粒的Block里写入4KB闪存颗粒的环境：1个8通道8位的主控连接到8个Die上，为了解释方便，假设了每个Die里就一个Block（实际要复杂很多）。当主机要进行写入操作时，会首先发送一条要求写入命令，比如写入4KB。当主控接到主机发来的指令后，往颗粒1的Blockl里写入了1个4KB（占1Page）。
　　如果主机需要再写入8KB，那么主控会往颗粒2的Blockl和颗粒3的Blockl星各写入4KB。
　　如果写入的是32KB，那么主控就会一下子往每个颗粒的Blockl里写入4KB，这样就能发挥出这个SSD主控理论最大的写入，相对4KB来说最好情况下可以得到8倍的速度（取决于主控对通道的优化、颗粒当前的文件状况等）。一般来说SSD可采用多通道技术以提高SSD的读写速度。

闪存颗粒简介

SSD的性能不是单纯靠主控决定，使用不同的闪存颗粒也会影响实际性能。很多山寨SSD为了降低成本使用低速的闪存颗粒，造成SSD性能低下，实际使用并不比传统机械硬盘快。甚至还由于生产做工差，容易造成SSD不稳定、用户数据丢失等问题。

接下来讲一些闪存颗粒和缓存的常识。主控芯片旁边是缓存芯片，SSD和传统硬盘一样需要高速的缓存芯片辅助主控芯片进行数据处理。这里需要注意的是，目前有一些廉价SSD方案为了节省成本，省去了这块缓存芯片，这样对于使用时的性能会有一定的影响。而固态硬盘的闪存颗粒主要有SLC和MLC，目前运用最广泛的为MLC。

SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动，所以其速度表现更好，目前很多高端SSD都是都采用该类型的Flash闪存芯片。
　　MLC全称是多层式储存（Multi Leveled Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在SSD中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。

SSD所使用的NAND颗粒是有写入寿命的，主流的SSD均使用价格较为便宜的MLC架构颗粒，擦写寿命大概为3000-10000次，而高端的SLC则有10万次的擦写寿命。不过用户大可不必担心，因为SSD在设计时就会用到平衡计算的技术，称为wear-leveling(平均损耗技术)。该技术会平衡计算写入次数，那也就不会出现容量越用越小的情形，因为使用了平均损耗算法的NAND颗粒几乎不会出现单一NAND颗粒被写爆的情况。
　　影响SSD性能除了闪存颗粒的不同，还分有厂家同步异步。Intel同步、镁光同步就比Intel异步、镁光异步要好，还有些SSD会采用三星异步和东芝同步颗粒。使用异步、同步也会对SSD的性能有所影响。下面简单介绍下如何区分同步、异步颗粒。
　　同步和异步闪存颗粒都是同一家生产线上下来的，颗粒的品质优劣才有了同步和异步的区分。简单来说，异步颗粒是在原厂检测中，无法通过所有最严格的测试，在性能降低后，只能跑异步模式，不能再跑同步模式，而其他方面的质量测试都能通过，原厂依然判定其为合格产品，这就是异步颗粒。

同步：英特尔生产的后三位是ME1(11年后生产的)、ME2/ME3的MLC颗粒、美光生产的后五位是CBAAB的MLC颗粒(支持同步和异步)。

什么是缓存？
　　“缓存”，单纯的从字面上来理解就是延缓存放。简单的说，“缓存”是为了平衡高速设备和低速设备之间的速度差异而存在的。它的作用是让低速设备尽量的不拖高速设备的后退，在SSD中运用缓存芯片也只能做到“尽量”减少这种现象，而不能达到100%的准确运算。SSD上的缓存一般都是1或者2颗DRAM颗粒构成，起到数据交换缓冲作用。像OCZ最新的VTX4则在PCB面板两面各焊接一颗256MB的缓存颗粒，三星830系列拥有自家生产的单颗256MB DDR2 SDRAM缓存颗粒。

一个SSD是否有缓存这样的设计，往往是厂家根据产品定位和用途做决定的，一般一些入门级或者低速SSD，在设计上就不一定考虑缓存方案，而一些高速SSD，由于数据交换量大，就会考虑设计缓存，用于提高产品的读写能力。通常带有缓存的SSD在价格上或比不带缓存的略高一些，虽然SSD带缓存读取小文件的速度会快些，但对SSD来说，快的太有限了。单纯的从反应速度来说，SSD的反应速度一般都在0.2毫秒以内，不比缓存慢。所以带缓存对读取速度的提升，几乎可以忽略。

总的来说，影响SSD的性能的主要还是主控芯片和闪存颗粒，不同的闪存颗粒，读写次数也不一样，读写次数也直接影响SSD的寿命。面对SSD速度大幅度提升，已经能够实时的处理数据，缓存在提升SSD速度方面影响并不太大，所以依据缓存大小来判断SSD的速度是不科学的。

参考文档编辑；http://memory.it168.com/a2012/0711/1370/000001370891.shtml