1、参数:IMBG120R090M1HXTMA1 (IMBG120R090M1H)
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):125 毫欧 @ 8.5A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):23 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+18V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):763 pF @ 800 V
FET 功能:标准
功率耗散(最大值):136W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-12
封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
基本产品编号:IMBG120
IMBG120R090M1H 采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiCTM SiC MOSFET,它基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装,将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合,可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
特点
极低的开关损耗
短路能力:3 µs
dV/dt完全可控
栅极阈值电压典型值:VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生导通能力,能够实现0V关断
牢固的体二极管,可用于硬开关
.XT互联技术,实现一流的热性能
封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
Sense引脚,优化了开关性能
2、参数:IMW120R040M1H (IMW120R040M1HXKSA1)
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):54.4 毫欧 @ 19.3A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.2V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):39 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1620 nF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):227W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO247-3
封装/外壳:TO-247-3
说明
IMW120R040M1H 采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,CoolSiCTM 碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
应用
光伏逆变器 ( (PV)
能力存储和电池充电
不间断电源 (UPS)
开关模式电源 (SMPS)
工业驱动器
医疗设备
以上就是IMBG120R090M1H D2Pak,IMW120R040M1H 1200V MOSFET特点的内容,关注我了解更多产品。
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