[SSD NAND 8.6] NAND 失效之 Data Rentention | 闪存数据保持力 | 数据放几年就坏掉了？

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图1： Data Retention 对 Vt 电压分布影响

图片来源： 知乎 [2]

全文 1900 字， 内容摘要

Data Retention 产生

Data Retention 的影响因素　

如何规避 Data Rention 问题

发生Data Retention 后怎么办？

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Data Retention 产生

闪存长时间断电不用，里面的数据会丢失，这是真的吗？

要解开这个谜底，就要会会 NAND Flash 的“数据保持力（Data Retention）”问题了。

SSD 或是 存储卡，都是“非易失性存储器”。请留意，只是不易丢失， 并非数据绝对不会丢失。

存储在闪存中的数据往往会随着时间的推移而损坏， 闪存单元在长时间不进行读写操作的情况下，浮栅门级中存放的电荷会逐步漏电，导致原本存储的数据发生变化，如数据 “0” 可能变为 “1”， 发生错误。

图2 Data Leakage (漏电）

当错误 Bit 数目超过纠错能力数时， 就变成不可纠正的错误， 这样数据就丢失了。 从写入数据，到出现不可纠正错误是一个缓慢的过程， 这个称之为 Data Rention 时间。如果超过了这个时间，出现不可纠正错误， 就会出现 Date Rention 失效。

Data Retention 对 Vt 电压分布影响

Data Retention 会导致 Vt Distribution（电压分布） 向左偏移。如图1

Data Retention 的影响因素

温度影响

数据写入时的工作温度和断电时的存放温度，是影响“数据保持力”的重要因素。其行业标准（JEDEC）如下：

• 消费级SSD应满足40℃写入，30℃断电存放，数据至少保持1年；
• 企业级SSD应满足55℃写入，40℃断电存放，数据至少保持3个月。

温度升高，电子活性增强，存储在浮栅内的电荷泄露速度也会加快，并造成数据保持力的下降[1]。

根据JEDEC的标准，可以用高温环境加速条件下进行测试Nand Flash的Data Retention。

使用寿命影响

NAND Flash自身的 PE Cycle 磨损（使用寿命）情况，是影响数据保持力的另一个重要因素。

PE 就是指的 Program 和 Erase, 这两个操作也会导致氧化层收集电荷，这样会影响到cell的阈值电压，当电荷脱井时，阈值漂移，Bit发生反转。

如何规避 Data Rention 问题

扫描误码率， 搬移数据

对即将出错的数据重新写入，是延长SSD数据保持力的有效方法。

如国内Memblaze 的SSD会供电情况下，在后台扫描存储在NAND中的数据，当发现数据出错率接近LDPC硬解码的能力时，会对这部分数据进行搬移，将其写入新的地址并释放原来的存储空间，以延长SSD断电后的数据保持时间。

重要数据放在 pSLC 区域

对采用MLC、TLC乃至QLC的SSD，将Firmware固件、FTL映射表等重要元数据保存在具有更高可靠性的pSLC模式NAND区域当中，并进行备份，是提高元数据的保存时间，降低这些重要数据出错的有效方式。

数据无价，对暂时不用的闪存产品， 我们要妥善保存，并对重要数据做好备份， 比如备份到机械移动硬盘，是一个好的习惯。

每年把一些消费电子产品，充一两次电，开机放一会，让后台自动把不稳定的数据搬到闪存新的地址，也不失为一个好的办法。我有个旧的小米手机虽然被换代了，但我偶尔还是擦擦灰，充个电玩一玩。

发生Data Retention 后怎么办？

发生Data Retention， 如果错误的 Bit 不是很多， 就可以通过 ECC 纠正回来。如果错误的 Bit 很多， 超过了 ECC 纠错能力， 就会出现不可纠正的错误，数据丢失。

下雨不一定发生洪水， 如果下的雨量多了， 如400mm 就会出现洪水。

最近因为台风 “杜苏芮” 造成河北、北京，发生洪水灾难。

为什么发生洪水的地方不是沿海而是纵深的大陆？
因为水汽到北京失去动力速度，加之北京太行山阻挡水汽去路， 水汽变形成暴雨

当我们发现有数据错误时候， 要让这个闪存块恢复正常，需要将内容复制到另一个块后擦除该块。

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参考

[1]  放着不用，数据会丢？浅谈SSD的数据保持力问题 - 知乎

[2] 文献摘录-NAND-Characterization-1 - 知乎 

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