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mosfet型号参数解析
分析各型号mosfet型号参数与应用领域
微碧VBsemi
一位游走在半导体世界里的【MOS管制造商】
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18NM80-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有800V的漏极-源极电压(VDS)和30V的门极-源极电压(VGS)。- **电源电池管理**:18NM80-VB适用于电动汽车、太阳能逆变器等高压电源管理模块,提供可靠的功率控制和管理。- **电力传输**:18NM80-VB可用于电力传输系统中的功率开关模块,提供可靠的电力传输和控制。- **照明系统**:适用于高压LED照明系统中的功率开关,实现高效的LED光源控制和调节。- **工业自动化**:可用于工业设备中的电源开关模块,提供高效的电源转换和管理。**适用领域和模块示例:**原创 2024-07-30 11:32:10 · 404 阅读 · 0 评论 -
18NM60N-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
5. **高压直流输电(HVDC)系统:** 在HVDC系统中,18NM60N-VB TO263可用于开关装置,帮助实现高效的能量传输。3. **电动汽车充电桩:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,18NM60N-VB TO263适用于电动汽车充电桩中的功率开关。1. **电源模块:** 18NM60N-VB TO263适用于高压开关电源和直流-直流转换器,可用于工业和通信设备中的电源模块。- **最大门极-源极电压(VGS):** ±30V。- **漏极-源极电压(VDS):** 650V。原创 2024-07-30 11:30:56 · 221 阅读 · 0 评论 -
18NM60N-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源逆变器**:由于其高耐压和低导通电阻,18NM60N-VB TO247适用于电力电子设备中的逆变器模块,能够提供稳定的电力转换。5. **工业电源**:在工业电源设备中,这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统,提供稳定可靠的电力输出。3. **太阳能逆变器**:在太阳能电池系统中,这款MOSFET能够承受高压,适用于逆变器和电能调节模块。2. **充电桩**:在充电桩中,这款MOSFET可以用作开关管,实现电能的快速控制和转换。- **技术**:SJ_Multi-EPI。原创 2024-07-30 11:28:25 · 393 阅读 · 0 评论 -
18NM60N-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),160mΩ的导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V,以及20A的漏极电流(ID)。2. 电动汽车充电桩:由于18NM60N-VB TO220F具有较低的导通电阻和高的漏极电流,可用于电动汽车充电桩中的功率开关电路,提高充电效率。3. 工业控制系统:在需要高电压和高电流的工业控制系统中,18NM60N-VB TO220F可以提供稳定可靠的性能。- VGS(栅极-源极电压):30V(±V)原创 2024-07-30 11:26:47 · 389 阅读 · 0 评论 -
180N55F3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管
*180N55F3-VB TO263**是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有优异的开关性能和低导通电阻。具有高电流承受能力和低压降,能够提供稳定的电流输出。具有高电流和低压降,能够提供稳定的功率输出,提高工具的性能和效率。- **栅源电压 (VGS)**:±20V。- **漏源电压 (VDS)**:60V。- **漏极电流 (ID)**:210A。- **阈值电压 (Vth)**:3V。- **封装类型**:TO263。- **技术**:Trench。- **配置**:单N沟道。原创 2024-07-29 11:10:37 · 302 阅读 · 0 评论 -
180N55F3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管
在工业设备和高功率电源系统中,180N55F3-VB TO220可以用作开关器件,用于控制和管理电源。在工业自动化设备中,180N55F3-VB TO220可用于控制和驱动各种高功率设备。- **型号**:180N55F3-VB TO220。- **栅源电压(VGS)**:±20V。- **漏源电压(VDS)**:60V。- **漏极电流(ID)**:210A。- **阈值电压(Vth)**:3V。- **技术**:Trench。- **封装**:TO220。- **配置**:单N沟道。原创 2024-07-29 11:09:27 · 225 阅读 · 0 评论 -
180N10N-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管
在电机驱动领域,180N10N-VB可以用于驱动电机的开关电路,支持高电流和高频率操作,适用于工业和汽车领域。- **导通电阻 (RDS(ON))**:18mΩ @ VGS=10V。- **栅极-源极电压 (VGS)**:20V(±)- **漏极-源极电压 (VDS)**:100V。- **栅极阈值电压 (Vth)**:1.8V。- **漏极电流 (ID)**:45A。**型号:180N10N-VB**- **封装形式**:TO252。- **技术**:Trench。- **配置**:单N沟道。原创 2024-07-29 11:08:05 · 338 阅读 · 0 评论 -
180N10F3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管
### 180N10F3-VB TO220 产品简介180N10F3-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。该产品具有高压承载能力和低导通电阻,适用于各种高压高功率的电源管理和开关控制应用。其采用了 Trench 技术,具有低导通电阻和高效能量转换特性。### 180N10F3-VB TO220 参数说明- **封装类型**: TO220- **配置**: 单一 N-Channel- **漏源电压 (VDS)**: 100V- **栅源电原创 2024-07-29 11:00:23 · 288 阅读 · 0 评论 -
17P06-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管
### 17P06-VB TO252 MOSFET 产品简介**产品简介:**VBsemi的17P06-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用了先进的沟槽技术制造。它具有较低的导通电阻(RDS(ON)),适用于100V的漏源电压(VDS),可提供稳定可靠的功率开关性能。### 17P06-VB TO252 MOSFET 详细参数说明**封装类型:** TO252 **配置:** 单N沟道 **漏源电压 (VDS):** 100V **栅源电压 (VGS):*原创 2024-07-29 10:59:12 · 330 阅读 · 0 评论 -
17NF25-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管
*17NF25-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。- **导通电阻(RDS(ON))**:176mΩ @ VGS=10V。- **最大漏源电压(VDS)**:250V。- **最大栅源电压(VGS)**:±20V。- **阈值电压(Vth)**:3.5V。- **最大漏极电流(ID)**:17A。- **型号**:17NF25-VB。- **技术**:Trench。- **封装**:TO252。- **配置**:单N沟道。### 适用领域和模块示例。原创 2024-07-29 10:58:07 · 375 阅读 · 0 评论 -
17NF25-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管
VBsemi 17NF25-VB TO220 MOSFET是一款单N沟道MOSFET,具有250V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS)(±V),3.5V的阈值电压(Vth),和190mΩ的导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时。2. **电源管理:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,该器件适用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器和AC-DC变换器。- **VGS(栅极-源极电压):** 20V(±V)- **VDS(漏极-源极电压):** 250V。原创 2024-07-29 10:57:02 · 336 阅读 · 0 评论 -
17N80C3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管
17N80C3-VB TO263 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,具有800V 的漏极-源极电压(VDS),30V(±V)的栅极-源极电压(VGS),和3.5V 的阈值电压(Vth)。3. **电动汽车充电桩**:由于其高漏极-源极电压和漏极电流能力,17N80C3-VB TO263 可以用于电动汽车充电桩中的功率开关部分,确保充电效率和安全性。1. **电源模块**:17N80C3-VB TO263 可以用作高压电源开关,适用于需要高漏极-源极电压和漏极电流的应用,如工业电源、电力电子设备等。原创 2024-07-29 10:55:58 · 261 阅读 · 0 评论 -
17N80C3-VB TO247一款N-Channel沟道TO247封装的场效应MOS管
3. **电动汽车充电桩:** 这款MOSFET可以用于电动汽车充电桩中的开关电源,其高漏极-源极电压和漏极电流能够支持快速充电和高效率。1. **电源转换器:** 17N80C3-VB适用于高效率的电源转换器模块,如服务器电源、通信设备和工业电源。- **VDS(漏极-源极电压):** 800V。- **VGS(栅极-源极电压):** ±30V。- **Vth(门阈电压):** 3.5V。- **ID(漏极电流):** 20A。- **封装:** TO247。原创 2024-07-29 10:54:32 · 193 阅读 · 0 评论 -
17N80C3-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管
VBsemi 17N80C3-VB TO220F 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI 技术,具有高电压耐受和低导通电阻的特性,适用于高功率应用。总之,VBsemi 17N80C3-VB TO220F MOSFET 适用于各种高功率高压应用,具有优异的性能和稳定性,是工业、电源管理和电动车充电桩等领域的理想选择。在电动车充电桩中,该型号MOSFET可用于高功率控制和电池管理系统,具有高效率和高功率处理能力,确保充电桩的稳定性和安全性。原创 2024-07-29 10:52:06 · 289 阅读 · 0 评论 -
16CN10N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
*16CN10N-VB TO220**是一款单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,具备出色的开关性能和低导通电阻,适用于各种电源管理和电机驱动应用。- 在高效电源供应模块中,16CN10N-VB TO220由于其低导通电阻和高电流能力,可以极大提高能量转换效率,减少热量生成,从而提升整体系统的可靠性和性能。- 在太阳能逆变器中,16CN10N-VB TO220的高漏源电压和低导通电阻特性使其在高电压、高功率转换应用中表现优异,能提高逆变器的整体效率和稳定性。- **封装类型**:TO220。原创 2024-07-26 11:16:05 · 302 阅读 · 0 评论 -
16CN10L-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的16CN10L-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,具有卓越的开关特性和高效的导通能力。在电动汽车中,16CN10L-VB可以用作驱动电机控制单元的功率开关器件。- **漏源电压(VDS)**:100V。- **栅源电压(VGS)**:±20V。- **阈值电压(Vth)**:2.5V。- **型号**:16CN10L-VB。- **漏极电流(ID)**:100A。- **技术**:Trench。- **封装**:TO220。- **配置**:单N沟道。原创 2024-07-26 11:14:34 · 145 阅读 · 0 评论 -
168205S-VB一款N+N-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在开关电源中,168205S-VB可以用作高效的开关元件,支持高频操作,适合用于便携式设备和电池供电设备,提升设备的整体性能和寿命。- **栅极阈值电压 (Vth)**:0.5~1.5V。- **栅极-源极电压 (VGS)**:20V(±)- **漏极-源极电压 (VDS)**:20V。- **封装形式**:SOT23-6。- **漏极电流 (ID)**:6A。**型号:168205S-VB**- **配置**:双N+N沟道。- **技术**:Trench。1. **电源管理**2. **开关电源**原创 2024-07-26 11:12:53 · 219 阅读 · 0 评论 -
165N10F4-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
其先进的 Trench 技术确保了低导通电阻和高效能量转换,使其在需要高效和可靠开关特性的应用中表现优异。165N10F4-VB TO263 MOSFET 凭借其优异的性能和广泛的应用场景,是各类高效能和高可靠性电力电子系统的理想选择。- 适用于 DC-DC 转换器中的高电流开关元件,提升转换效率和可靠性。- 用于工业自动化设备中的电源模块和驱动电路,提升设备的可靠性和效率。- 适用于电动汽车的电机控制系统中,确保高效的电流管理和功率输出。- 适用于储能系统中的电流管理模块,确保系统的高效和稳定运行。原创 2024-07-26 11:11:40 · 337 阅读 · 0 评论 -
165N10F4-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
通过这些应用实例,可以看出165N10F4-VB TO220 MOSFET在多个领域和模块上都能提供卓越的性能和可靠性,满足不同应用场景的需求。- 该MOSFET可用于开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS),由于其高电流处理能力和低导通电阻,能有效提高系统的效率和可靠性。- 在太阳能光伏系统中,165N10F4-VB可用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换和系统稳定性。**栅源电压 (VGS):** 20(±V)**封装类型:** TO220。1. **电源管理系统:**原创 2024-07-26 11:10:31 · 154 阅读 · 0 评论 -
165N04N-VB一款N-Channel沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
*165N04N-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。165N04N-VB以其卓越的性能和广泛的应用范围,成为电源管理和电流控制领域的理想选择。- **最大栅源电压(VGS)**:±20V。- **最大漏源电压(VDS)**:40V。- **阈值电压(Vth)**:2.5V。- **最大漏极电流(ID)**:40A。- **型号**:165N04N-VB。- **封装**:DFN8(3x3)- **技术**:Trench。- **配置**:单N沟道。原创 2024-07-26 11:08:13 · 295 阅读 · 0 评论 -
160N75F3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**模块示例**: 在工业自动化控制模块中,该MOSFET可用于驱动和控制各种执行机构和传感器,确保系统的精确控制和高效运行。- **模块示例**: 在太阳能逆变器中,该MOSFET可以用于功率转换模块,通过其高效率和耐用性,提高整体系统的能量转换效率。- **模块示例**: 在电机驱动模块中,该MOSFET可以作为开关元件,用于控制电机的启停及调速,确保系统的高效率和可靠性。- **模块示例**: 该MOSFET可用于主功率转换模块,通过其低导通电阻和高电流能力,提供高效的电能转换和传输。原创 2024-07-26 11:07:01 · 290 阅读 · 0 评论 -
160N75F3-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
适用于太阳能系统和风力发电系统中的逆变器,提升整体系统的效率和稳定性。**型号:** 160N75F3-VB TO247。- **VGS(栅源电压):** ±20V。- **Vth(阈值电压):** 3.5V。- **VDS(漏源电压):** 80V。- **RDS(ON)(导通电阻):**- **ID(漏极电流):** 215A。4. **不间断电源(UPS):**2. **DC-DC转换器:****封装:** TO247。1. **电机控制器模块:****配置:** 单N沟道。原创 2024-07-26 11:05:54 · 159 阅读 · 0 评论 -
160N3LL-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**DC-DC转换器**:由于该MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON)),非常适用于高效的DC-DC转换器,能有效减少能量损耗,提高转换效率。- **电机驱动**:在工业电机驱动中,低RDS(ON)的特性有助于减少热损耗,提高电机驱动的效率和可靠性。| **型号** | 160N3LL-VB || **封装** | TO220 |**型号:** 160N3LL-VB。原创 2024-07-26 10:58:41 · 258 阅读 · 0 评论 -
160N10N-VB一款N-Channel沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在工业控制系统中,160N10N-VB可以用于高功率负载的控制,例如在电机驱动器和变频器中,提供高效的电源控制。- **导通电阻 (RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS=10V。- **漏源电压 (VDS)**: 100V。- **栅源电压 (VGS)**: ±20V。- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V。- **连续漏电流 (ID)**: 50A。- **型号**: 160N10N-VB。- **封装**: DFN8(3X3)- **配置**: 单N沟道。- **技术**: 沟槽型。原创 2024-07-26 10:57:11 · 321 阅读 · 0 评论 -
15N60-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
VBsemi的15N60-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于高压、高功率的电源开关和控制应用。- 在高压电源开关系统中,15N60-VB可用于开关电源的控制和稳定,确保高效能量转换和电源管理。- **型号**: 15N60-VB TO220。- **技术**: SJ_Multi-EPI。- **阈值电压(Vth)**: 3.5V。- **连续导通电流(ID)**: 20A。- **封装**: TO220。- **配置**: 单N沟道。### 应用领域和模块举例。原创 2024-07-25 10:57:48 · 389 阅读 · 0 评论 -
15N60L-TF1-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管
15N60L-TF1-T-VB 可应用于太阳能逆变器中,负责将太阳能板产生的直流电转换为交流电,其高电压承受能力和低导通电阻使其成为逆变器的理想选择。- 在工业电焊设备中,15N60L-TF1-T-VB 可用于功率控制模块,提供高效的功率转换,确保电焊设备的稳定工作和焊接质量。| **参数** | **值** || 型号 | 15N60L-TF1-T-VB |### 三、应用领域和模块举例。原创 2024-07-25 10:51:58 · 412 阅读 · 0 评论 -
15N60L-T47-T-VB一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
**优势**: 高电流承载能力和低导通电阻,提供可靠的电力转换和控制,促进新能源产业的发展。- **优势**: 高可靠性和稳定性,适应工业环境中的高温和高压需求,确保设备的可靠运行。- **应用**: 适用于高压直流-直流转换器、电力因特网和UPS等高压电力转换设备。- **优势**: 高漏源电压和低导通电阻,能够在高压环境下实现高效率的电能转换。- **优势**: 高性能和可靠性,确保医疗设备在长时间工作中的稳定性和安全性。- **型号**: 15N60L-T47-T-VB。原创 2024-07-25 10:50:42 · 260 阅读 · 0 评论 -
15N60CFD-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
**模块**:在高压通信设备中,15N60CFD-VB可用作功率放大器或开关器件,提供稳定的功率输出和高效的能量转换。- **模块**:15N60CFD-VB可用于电动汽车的电机驱动模块中,提供高效的电流控制和稳定的运行。- **模块**:在工业控制系统中,该器件可用作开关元件或电流控制器,确保设备的稳定运行和高效控制。- **模块**:15N60CFD-VB可作为高压开关元件,提供稳定的电源转换和高效的电流控制。- **领域**:用于高压DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS电源等。原创 2024-07-25 10:49:27 · 229 阅读 · 0 评论 -
15N60CFD-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
以上是15N60CFD-VB TO220在各个领域和模块中的应用示例,其高性能和可靠性使其成为众多高电压处理应用的首选。- **导通电阻 (RDS(ON)):** 160mΩ @ VGS=10V。**型号:15N60CFD-VB TO220**- **最大漏源电压 (VDS):** 650V。- **最大栅源电压 (VGS):** ±30V。- **栅源阈值电压 (Vth):** 3.5V。- **技术类型:** SJ_Multi-EPI。- **封装:** TO220。- **配置:** 单N沟道。原创 2024-07-25 10:48:03 · 313 阅读 · 0 评论 -
15N60C3-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管
**示例**:在电动汽车的电机驱动器中,15N60C3-VB可用作电机的功率开关,确保电动汽车的高效能驱动。1. **电力电子模块**:适用于变频器、电力因素校正器和电源开关等电力电子设备,提供高效、可靠的电力转换和控制。- **示例**:在工业机器人控制器中,15N60C3-VB可用作开关元件,确保机器人的准确运行和稳定性能。- **示例**:在工业变频器中,15N60C3-VB可用作功率开关,确保变频器的稳定运行和高效能。- **封装形式**:TO247。- **配置**:单N通道。原创 2024-07-25 10:46:46 · 178 阅读 · 0 评论 -
15N60C3-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
1. **电源管理模块**:由于其高压耐受性和低导通电阻,15N60C3-VB TO220 可以广泛应用于开关电源、逆变器等电源管理模块中,提供稳定的电压输出和高效的能量转换。3. **照明控制**:LED 照明系统需要稳定的电流和亮度控制,15N60C3-VB TO220 可以作为 LED 驱动电路中的功率开关,提供高效的照明控制。4. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,15N60C3-VB TO220 可以应用于充电控制模块,提供高效的电能转换和稳定的充电输出。原创 2024-07-25 10:45:35 · 318 阅读 · 0 评论 -
15N40L-TF1-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管
**电源逆变器模块:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,15N40L-TF1-T-VB 可以用作电源逆变器模块中的开关器件,适用于太阳能逆变器、UPS 电源等领域。- **电动汽车充电桩模块:** 15N40L-TF1-T-VB 的高电压和电流特性使其非常适合用作电动汽车充电桩中的开关器件,能够提供高效率和可靠性的充电解决方案。- **工业控制模块:** 在工业控制领域,15N40L-TF1-T-VB 可以用作各种工业控制系统中的开关器件,如电机驱动器、温度控制器等。### 适用领域和模块示例。原创 2024-07-25 10:44:15 · 162 阅读 · 0 评论 -
15N40L-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
2. **电机驱动器**: 在需要高效率和可靠性的电机驱动器中,15N40L-TA3-T-VB 可以用作功率开关元件,提供高效的电机控制。1. **电源逆变器**: 15N40L-TA3-T-VB 在高压逆变器中具有良好的性能,可用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等。3. **电源开关**: 15N40L-TA3-T-VB 在需要高压、高性能的电源开关中表现出色,如工业电源、UPS 系统等。- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V。- **技术**: SJ_Multi-EPI。原创 2024-07-25 10:42:57 · 387 阅读 · 0 评论 -
15N40G-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
VBsemi的15N40G-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,具有高电压和高电流承载能力,适用于要求较高的电源开关和控制应用。- **型号**: 15N40G-TA3-T-VB。- **漏源电压 (VDS)**: 650V。- **栅源电压 (VGS)**: ±30V。- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V。- **技术**: SJ_Multi-EPI。- **连续漏电流 (ID)**: 20A。- **封装**: TO220。- **配置**: 单N沟道。### 应用领域和模块举例。原创 2024-07-25 10:41:49 · 203 阅读 · 0 评论 -
14N03L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
14N03L-VB 是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),9mΩ@VGS=4.5V和7mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON)),以及70A的漏极电流(ID)。1. **电源管理:** 14N03L-VB 可用于低压、高电流的电源管理模块中,如电源开关、DC-DC转换器等,以提供稳定的电压和电流输出。2. **电池保护:** 适用于低压、高电流的电池保护系统中,实现对电池的充放电控制和保护。原创 2024-07-24 11:02:30 · 262 阅读 · 0 评论 -
14N03L-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
1. **电源开关:** 由于14N03L-VB具有适中的漏极-源极电压和导通电阻,适用于中功率电源开关,如电源逆变器、开关电源等。4. **车载电子:** 在车载电子领域,可用于车载电子控制单元(ECU)中的电源开关和驱动器,提供可靠的电源控制和驱动功能。5. **工业控制:** 在工业控制领域,可用于中功率电源开关和驱动器,提供高效、可靠的电源控制和驱动功能。3. **电源管理:** 适用于电源管理电路中的电压调节和电流控制,提供可靠的电源管理功能。- **漏极-源极电压(VDS):** 30V。原创 2024-07-24 11:01:22 · 200 阅读 · 0 评论 -
14N03LA-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管
通过这些应用领域和模块的实例,14N03LA-VB MOSFET展示了其在中功率需求场景中的适用性,成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。- **开态电阻(RDS(ON))@VGS=4.5V:** 18mΩ。- **开态电阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 12mΩ。- **栅源电压(VGS):** 20(±V)- **阈值电压(Vth):** 1.7V。- **型号:** 14N03LA-VB。- **漏源电压(VDS):** 30V。- **额定电流(ID):** 50A。原创 2024-07-24 10:58:07 · 186 阅读 · 0 评论 -
14N03LA-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
**低导通电阻**:RDS(ON)为9mΩ@VGS=4.5V,6mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。- **导通电阻(RDS(ON))**:9mΩ@VGS=4.5V,6mΩ@VGS=10V。- **低电压承受能力**:VDS为30V,适用于低压范围内的应用。- **高栅极电压**:VGS为±20V,提供设计灵活性。- **低阈值电压**:Vth为1.7V,适中的驱动要求。- **高电流能力**:ID为80A,适用于高电流应用。- **栅源极电压(VGS)**:±20V。原创 2024-07-24 10:49:44 · 194 阅读 · 0 评论 -
147N12N-VB TO262一种N-Channel沟道TO262封装MOS管
该器件具有 100V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 2.5V。在栅源电压为 4.5V 时,其导通电阻 (RDS(ON)) 为 10mΩ,在栅源电压为 10V 时为 9mΩ。通过以上示例,可以看出 147N12N-VB MOSFET 在一些高功率的应用场合具备较好的性能和稳定性,是许多高功率电子系统中的重要组成部分。| 导通电阻 (RDS(ON)) | 10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V || 封装 | TO262 |原创 2024-07-24 10:48:16 · 240 阅读 · 0 评论 -
147N12N-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管
3. **电动汽车充电桩:** 由于其高电流和高耐压特性,147N12N-VB TO220 可以用于电动汽车充电桩中的开关电源单元,实现快速、高效的充电过程。2. **电机驱动:** 在电机驱动器中,147N12N-VB TO220 可以用作低电阻、高效率的电源开关,用于控制电机的启停和速度。4. **逆变器:** 在逆变器应用中,147N12N-VB TO220 能够承受高电压和高电流,在转换过程中提供高效的功率管理。- **VDS(漏极-源极电压):** 100V。- **封装:** TO220。原创 2024-07-24 10:47:14 · 194 阅读 · 0 评论