VBsemi的博客

3. **LED照明应用**：LED驱动电路需要高效的功率开关器件来提供恒定的电流和亮度控制。1. **电源管理模块**：MIS6327-VB可用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统。4. **工业自动化**：MIS6327-VB可用于工业控制系统中的开关电源单元、电动执行器和电磁阀驱动器。2. **电动汽车系统**：在电动汽车中，MIS6327-VB可用于电池管理、电机驱动和充电系统。5. **医疗设备**：在医疗设备中，MIS6327-VB可用于电源管理模块、传感器接口和驱动器。

其导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）为30mΩ，在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值，门源阈值电压（Vth）为1.2V。1. **移动设备**：ME3424D-VB适用于设计手机充电管理模块、平板电脑充电器等移动设备电源管理模块，由于其小巧的封装和低导通电阻，在移动设备中占用空间少，能够提供高效的电源管理功能。2. **电源管理**：在需要小型化、高效率的电源管理领域，ME3424D-VB可以应用于各种小功率电源模块，例如便携式充电器、电池管理系统等，能够提供稳定可靠的电源输出。

其主要特点包括30V的耐压，最大6A的漏极电流，以及在VGS=10V时的RDS(ON)为30mΩ。综上所述，MCH6448-VB在电池管理、电源转换器、LED驱动器和消费类电子产品等领域和模块中具有广泛的应用潜力，特别适用于需要小尺寸、低功耗和高效率的电子设备和系统。1. 电池管理：在移动设备、便携式电子产品和无线传感器网络中，用于电池充放电管理和功率开关。2. 电源转换器：在小型DC-DC转换器和开关电源中，用于电源管理和稳压调节。- VGS=20V时：（需要进一步补充）- 封装：SOT23-6。

3. **导通电阻：** 20mΩ (N 沟道) / 70mΩ (P 沟道) @ VGS=4.5V - 在特定工作条件下（VGS=4.5V），分别为 N 沟道和 P 沟道的导通电阻。2. **最大电流：** 7A (N 沟道) / -4.5A (P 沟道) - 分别为 N 沟道和 P 沟道的最大导通电流。4. **阈值电压：** 0.71V (N 沟道) / -0.81V (P 沟道) - 分别为 N 沟道和 P 沟道的沟道导通所需的门源电压。**通道类型：** 2个N+P 沟道。- 最大耐压：±20V。

它具有±20V的漏极-源极电压承受能力，N-Channel 沟道最大漏极电流为7A，P-Channel 沟道最大漏极电流为-4.5A。2. 电源开关：在开关电源、DC-DC 变换器等电源管理模块中，M2701-VB 的 N-Channel 和 P-Channel 沟道可以被用于高效的电源开关和电源调节。- 阈值电压 (Vth)：N-Channel: 0.71V，P-Channel: -0.81V。- P-Channel 最大漏极电流：-4.5A。- N-Channel 最大漏极电流：7A。

DS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V;- 额定电压 (VDSS): 30V。- 门阈电压 (Vth

DS(ON))**: 24mΩ (在VGS

其导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）为24mΩ，在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值，门源阈值电压（Vth）为1.8V。2. **电动车辆**：在电动车辆领域，这种器件可以用于设计电动汽车控制模块、电动车辆充电器等，因为它能够承受高电压和大电流，同时具有较低的导通电阻，能够提高效率和性能。3. **工业控制**：LR2905-VB适用于工业控制领域的电机驱动、电源开关等模块设计，能够提供足够的电流和电压，同时具有较低的导通电阻，提高了系统的稳定性和可靠性。- 最大漏极电流（ID）：45A。

其主要特点包括60V的耐压，最大45A的漏极电流，以及在VGS=10V时的RDS(ON)为24mΩ。3. 太阳能发电系统：在太阳能逆变器中起着重要作用，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电以供电网使用。综上所述，LR2905C-VB在汽车电子、工业电源、太阳能发电和LED照明等领域和模块中具有广泛的应用潜力。2. 工业电源供应：可用于工业设备的电源管理和控制，如变频器、UPS系统以及工业电机驱动器等。4. LED照明：适用于LED驱动器电路中的功率开关，可用于控制LED照明的亮度和功率输出。

4. **工业自动化和电力电子：** 在工业自动化设备和电力电子模块中，LR2805-VB可用于开关电源、逆变器和功率放大器。3. **汽车电子系统：** 在汽车电子系统中，LR2805-VB可用于发动机控制单元、车载充电器和电动汽车控制器。1. **电源管理系统：** LR2805-VB可用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和充电电路。2. **电动工具和家用电器：** 在电动工具和家用电器中，LR2805-VB可用于电机驱动器、电源开关和电源管理模块。在VGS=20V时，同样为24mΩ。

它具有800V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。- **电源电池管理**：18NM80-VB适用于电动汽车、太阳能逆变器等高压电源管理模块，提供可靠的功率控制和管理。- **电力传输**：18NM80-VB可用于电力传输系统中的功率开关模块，提供可靠的电力传输和控制。- **照明系统**：适用于高压LED照明系统中的功率开关，实现高效的LED光源控制和调节。- **工业自动化**：可用于工业设备中的电源开关模块，提供高效的电源转换和管理。**适用领域和模块示例：**

5. **高压直流输电（HVDC）系统：** 在HVDC系统中，18NM60N-VB TO263可用于开关装置，帮助实现高效的能量传输。3. **电动汽车充电桩：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，18NM60N-VB TO263适用于电动汽车充电桩中的功率开关。1. **电源模块：** 18NM60N-VB TO263适用于高压开关电源和直流-直流转换器，可用于工业和通信设备中的电源模块。- **最大门极-源极电压（VGS）：** ±30V。- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V。

1. **电源逆变器**：由于其高耐压和低导通电阻，18NM60N-VB TO247适用于电力电子设备中的逆变器模块，能够提供稳定的电力转换。5. **工业电源**：在工业电源设备中，这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统，提供稳定可靠的电力输出。3. **太阳能逆变器**：在太阳能电池系统中，这款MOSFET能够承受高压，适用于逆变器和电能调节模块。2. **充电桩**：在充电桩中，这款MOSFET可以用作开关管，实现电能的快速控制和转换。- **技术**：SJ_Multi-EPI。

该产品具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），160mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及20A的漏极电流（ID）。2. 电动汽车充电桩：由于18NM60N-VB TO220F具有较低的导通电阻和高的漏极电流，可用于电动汽车充电桩中的功率开关电路，提高充电效率。3. 工业控制系统：在需要高电压和高电流的工业控制系统中，18NM60N-VB TO220F可以提供稳定可靠的性能。- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）

*180N55F3-VB TO263**是一款单N沟道MOSFET，采用了Trench技术，具有优异的开关性能和低导通电阻。具有高电流承受能力和低压降，能够提供稳定的电流输出。具有高电流和低压降，能够提供稳定的功率输出，提高工具的性能和效率。- **栅源电压 (VGS)**：±20V。- **漏源电压 (VDS)**：60V。- **漏极电流 (ID)**：210A。- **阈值电压 (Vth)**：3V。- **封装类型**：TO263。- **技术**：Trench。- **配置**：单N沟道。

在工业设备和高功率电源系统中，180N55F3-VB TO220可以用作开关器件，用于控制和管理电源。在工业自动化设备中，180N55F3-VB TO220可用于控制和驱动各种高功率设备。- **型号**：180N55F3-VB TO220。- **栅源电压（VGS）**：±20V。- **漏源电压（VDS）**：60V。- **漏极电流（ID）**：210A。- **阈值电压（Vth）**：3V。- **技术**：Trench。- **封装**：TO220。- **配置**：单N沟道。

在电机驱动领域，180N10N-VB可以用于驱动电机的开关电路，支持高电流和高频率操作，适用于工业和汽车领域。- **导通电阻 (RDS(ON))**：18mΩ @ VGS=10V。- **栅极-源极电压 (VGS)**：20V（±）- **漏极-源极电压 (VDS)**：100V。- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.8V。- **漏极电流 (ID)**：45A。**型号：180N10N-VB**- **封装形式**：TO252。- **技术**：Trench。- **配置**：单N沟道。

### 180N10F3-VB TO220 产品简介180N10F3-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 N-Channel MOSFET，采用 TO220 封装。该产品具有高压承载能力和低导通电阻，适用于各种高压高功率的电源管理和开关控制应用。其采用了 Trench 技术，具有低导通电阻和高效能量转换特性。### 180N10F3-VB TO220 参数说明- **封装类型**: TO220- **配置**: 单一 N-Channel- **漏源电压 (VDS)**: 100V- **栅源电

### 17P06-VB TO252 MOSFET 产品简介**产品简介：**VBsemi的17P06-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用了先进的沟槽技术制造。它具有较低的导通电阻（RDS(ON)），适用于100V的漏源电压（VDS），可提供稳定可靠的功率开关性能。### 17P06-VB TO252 MOSFET 详细参数说明**封装类型：** TO252 **配置：** 单N沟道 **漏源电压 (VDS)：** 100V **栅源电压 (VGS)：*

*17NF25-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。- **导通电阻（RDS(ON)）**：176mΩ @ VGS=10V。- **最大漏源电压（VDS）**：250V。- **最大栅源电压（VGS）**：±20V。- **阈值电压（Vth）**：3.5V。- **最大漏极电流（ID）**：17A。- **型号**：17NF25-VB。- **技术**：Trench。- **封装**：TO252。- **配置**：单N沟道。### 适用领域和模块示例。

VBsemi 17NF25-VB TO220 MOSFET是一款单N沟道MOSFET，具有250V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS）（±V），3.5V的阈值电压（Vth），和190mΩ的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时。2. **电源管理：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，该器件适用于各种电源管理应用，包括DC-DC转换器和AC-DC变换器。- **VGS（栅极-源极电压）：** 20V（±V）- **VDS（漏极-源极电压）：** 250V。

17N80C3-VB TO263 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有800V 的漏极-源极电压（VDS），30V（±V）的栅极-源极电压（VGS），和3.5V 的阈值电压（Vth）。3. **电动汽车充电桩**：由于其高漏极-源极电压和漏极电流能力，17N80C3-VB TO263 可以用于电动汽车充电桩中的功率开关部分，确保充电效率和安全性。1. **电源模块**：17N80C3-VB TO263 可以用作高压电源开关，适用于需要高漏极-源极电压和漏极电流的应用，如工业电源、电力电子设备等。

3. **电动汽车充电桩：** 这款MOSFET可以用于电动汽车充电桩中的开关电源，其高漏极-源极电压和漏极电流能够支持快速充电和高效率。1. **电源转换器：** 17N80C3-VB适用于高效率的电源转换器模块，如服务器电源、通信设备和工业电源。- **VDS（漏极-源极电压）：** 800V。- **VGS（栅极-源极电压）：** ±30V。- **Vth（门阈电压）：** 3.5V。- **ID（漏极电流）：** 20A。- **封装：** TO247。

VBsemi 17N80C3-VB TO220F 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用SJ_Multi-EPI 技术，具有高电压耐受和低导通电阻的特性，适用于高功率应用。总之，VBsemi 17N80C3-VB TO220F MOSFET 适用于各种高功率高压应用，具有优异的性能和稳定性，是工业、电源管理和电动车充电桩等领域的理想选择。在电动车充电桩中，该型号MOSFET可用于高功率控制和电池管理系统，具有高效率和高功率处理能力，确保充电桩的稳定性和安全性。

*16CN10N-VB TO220**是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，具备出色的开关性能和低导通电阻，适用于各种电源管理和电机驱动应用。- 在高效电源供应模块中，16CN10N-VB TO220由于其低导通电阻和高电流能力，可以极大提高能量转换效率，减少热量生成，从而提升整体系统的可靠性和性能。- 在太阳能逆变器中，16CN10N-VB TO220的高漏源电压和低导通电阻特性使其在高电压、高功率转换应用中表现优异，能提高逆变器的整体效率和稳定性。- **封装类型**：TO220。

VBsemi的16CN10L-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，具有卓越的开关特性和高效的导通能力。在电动汽车中，16CN10L-VB可以用作驱动电机控制单元的功率开关器件。- **漏源电压（VDS）**：100V。- **栅源电压（VGS）**：±20V。- **阈值电压（Vth）**：2.5V。- **型号**：16CN10L-VB。- **漏极电流（ID）**：100A。- **技术**：Trench。- **封装**：TO220。- **配置**：单N沟道。

在开关电源中，168205S-VB可以用作高效的开关元件，支持高频操作，适合用于便携式设备和电池供电设备，提升设备的整体性能和寿命。- **栅极阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V。- **栅极-源极电压 (VGS)**：20V（±）- **漏极-源极电压 (VDS)**：20V。- **封装形式**：SOT23-6。- **漏极电流 (ID)**：6A。**型号：168205S-VB**- **配置**：双N+N沟道。- **技术**：Trench。1. **电源管理**2. **开关电源**

其先进的 Trench 技术确保了低导通电阻和高效能量转换，使其在需要高效和可靠开关特性的应用中表现优异。165N10F4-VB TO263 MOSFET 凭借其优异的性能和广泛的应用场景，是各类高效能和高可靠性电力电子系统的理想选择。- 适用于 DC-DC 转换器中的高电流开关元件，提升转换效率和可靠性。- 用于工业自动化设备中的电源模块和驱动电路，提升设备的可靠性和效率。- 适用于电动汽车的电机控制系统中，确保高效的电流管理和功率输出。- 适用于储能系统中的电流管理模块，确保系统的高效和稳定运行。

通过这些应用实例，可以看出165N10F4-VB TO220 MOSFET在多个领域和模块上都能提供卓越的性能和可靠性，满足不同应用场景的需求。- 该MOSFET可用于开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS），由于其高电流处理能力和低导通电阻，能有效提高系统的效率和可靠性。- 在太阳能光伏系统中，165N10F4-VB可用于逆变器电路，帮助将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换和系统稳定性。**栅源电压 (VGS)：** 20（±V）**封装类型：** TO220。1. **电源管理系统：**

*165N04N-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。165N04N-VB以其卓越的性能和广泛的应用范围，成为电源管理和电流控制领域的理想选择。- **最大栅源电压（VGS）**：±20V。- **最大漏源电压（VDS）**：40V。- **阈值电压（Vth）**：2.5V。- **最大漏极电流（ID）**：40A。- **型号**：165N04N-VB。- **封装**：DFN8（3x3）- **技术**：Trench。- **配置**：单N沟道。

**模块示例**: 在工业自动化控制模块中，该MOSFET可用于驱动和控制各种执行机构和传感器，确保系统的精确控制和高效运行。- **模块示例**: 在太阳能逆变器中，该MOSFET可以用于功率转换模块，通过其高效率和耐用性，提高整体系统的能量转换效率。- **模块示例**: 在电机驱动模块中，该MOSFET可以作为开关元件，用于控制电机的启停及调速，确保系统的高效率和可靠性。- **模块示例**: 该MOSFET可用于主功率转换模块，通过其低导通电阻和高电流能力，提供高效的电能转换和传输。

适用于太阳能系统和风力发电系统中的逆变器，提升整体系统的效率和稳定性。**型号：** 160N75F3-VB TO247。- **VGS（栅源电压）：** ±20V。- **Vth（阈值电压）：** 3.5V。- **VDS（漏源电压）：** 80V。- **RDS(ON)（导通电阻）：**- **ID（漏极电流）：** 215A。4. **不间断电源（UPS）：**2. **DC-DC转换器：****封装：** TO247。1. **电机控制器模块：****配置：** 单N沟道。

**DC-DC转换器**：由于该MOSFET具有低导通电阻（RDS(ON)），非常适用于高效的DC-DC转换器，能有效减少能量损耗，提高转换效率。- **电机驱动**：在工业电机驱动中，低RDS(ON)的特性有助于减少热损耗，提高电机驱动的效率和可靠性。| **型号** | 160N3LL-VB || **封装** | TO220 |**型号：** 160N3LL-VB。

在工业控制系统中，160N10N-VB可以用于高功率负载的控制，例如在电机驱动器和变频器中，提供高效的电源控制。- **导通电阻 (RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS=10V。- **漏源电压 (VDS)**: 100V。- **栅源电压 (VGS)**: ±20V。- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V。- **连续漏电流 (ID)**: 50A。- **型号**: 160N10N-VB。- **封装**: DFN8(3X3)- **配置**: 单N沟道。- **技术**: 沟槽型。

VBsemi的15N60-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高压、高功率的电源开关和控制应用。- 在高压电源开关系统中，15N60-VB可用于开关电源的控制和稳定，确保高效能量转换和电源管理。- **型号**: 15N60-VB TO220。- **技术**: SJ_Multi-EPI。- **阈值电压（Vth）**: 3.5V。- **连续导通电流（ID）**: 20A。- **封装**: TO220。- **配置**: 单N沟道。### 应用领域和模块举例。

15N60L-TF1-T-VB 可应用于太阳能逆变器中，负责将太阳能板产生的直流电转换为交流电，其高电压承受能力和低导通电阻使其成为逆变器的理想选择。- 在工业电焊设备中，15N60L-TF1-T-VB 可用于功率控制模块，提供高效的功率转换，确保电焊设备的稳定工作和焊接质量。| **参数** | **值** || 型号 | 15N60L-TF1-T-VB |### 三、应用领域和模块举例。

**优势**: 高电流承载能力和低导通电阻，提供可靠的电力转换和控制，促进新能源产业的发展。- **优势**: 高可靠性和稳定性，适应工业环境中的高温和高压需求，确保设备的可靠运行。- **应用**: 适用于高压直流-直流转换器、电力因特网和UPS等高压电力转换设备。- **优势**: 高漏源电压和低导通电阻，能够在高压环境下实现高效率的电能转换。- **优势**: 高性能和可靠性，确保医疗设备在长时间工作中的稳定性和安全性。- **型号**: 15N60L-T47-T-VB。

**模块**：在高压通信设备中，15N60CFD-VB可用作功率放大器或开关器件，提供稳定的功率输出和高效的能量转换。- **模块**：15N60CFD-VB可用于电动汽车的电机驱动模块中，提供高效的电流控制和稳定的运行。- **模块**：在工业控制系统中，该器件可用作开关元件或电流控制器，确保设备的稳定运行和高效控制。- **模块**：15N60CFD-VB可作为高压开关元件，提供稳定的电源转换和高效的电流控制。- **领域**：用于高压DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS电源等。

以上是15N60CFD-VB TO220在各个领域和模块中的应用示例，其高性能和可靠性使其成为众多高电压处理应用的首选。- **导通电阻 (RDS(ON))：** 160mΩ @ VGS=10V。**型号：15N60CFD-VB TO220**- **最大漏源电压 (VDS)：** 650V。- **最大栅源电压 (VGS)：** ±30V。- **栅源阈值电压 (Vth)：** 3.5V。- **技术类型：** SJ_Multi-EPI。- **封装：** TO220。- **配置：** 单N沟道。

**示例**：在电动汽车的电机驱动器中，15N60C3-VB可用作电机的功率开关，确保电动汽车的高效能驱动。1. **电力电子模块**：适用于变频器、电力因素校正器和电源开关等电力电子设备，提供高效、可靠的电力转换和控制。- **示例**：在工业机器人控制器中，15N60C3-VB可用作开关元件，确保机器人的准确运行和稳定性能。- **示例**：在工业变频器中，15N60C3-VB可用作功率开关，确保变频器的稳定运行和高效能。- **封装形式**：TO247。- **配置**：单N通道。