半导体科普大全(MOS管)
微碧VBsemi
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SI9953ADY-T1-E3-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
SI9953ADY-T1-E3-VB是一款具有2个P沟道的功率MOSFET,主要用于电路中的功率开关控制。其额定电压为-30V,额定电流为-7A,具有低导通电阻的特点。在电源开关模块中,SI9953ADY-T1-E3-VB可用于实现对电源的快速开关控制,适用于各种移动设备和工业控制场合。同时,在电动汽车充电器中,SI9953ADY-T1-E3-VB可用于实现对充电过程的控制和调节,提高充电效率,适用于电动汽车充电站等场景。产品型号:SI9953ADY-T1-E3-VB。- 额定电压:-30V。原创 2024-06-01 10:46:52 · 146 阅读 · 0 评论 -
SI9948DY-T1-E3-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
1. **电源管理模块**: 由于其双P-通道设计和高耐压特性,SI9948DY-T1-E3-VB 可用于开关电源、稳压器和DC-DC转换器等电源管理模块中,以实现高效的功率转换和稳定的输出。4. **工业控制**: 在工业控制系统中,如机器人控制、传感器接口等,SI9948DY-T1-E3-VB 可用于功率开关和电源管理,实现系统的高效运行。2. **电池保护电路**: 在电池供电系统中,SI9948DY-T1-E3-VB 可用于电池保护电路,以确保电池的安全充放电,并延长电池的使用寿命。原创 2024-06-01 10:45:36 · 66 阅读 · 0 评论 -
SI9948DY-NL-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
其额定电压为-60V,可靠性高,适用于负向电压条件下的电路应用。此外,其导通电阻为58mΩ,并且具有阈值电压范围从-1V至-3V,使其能够在不同工作条件下灵活应用。通过以上应用简介,可见SI9948DY-NL-VB具有广泛的应用领域,可为不同行业的电子产品提供稳定可靠的功率控制和驱动功能。1. 电源管理模块:由于其负向额定电压和低导通电阻,可用于电源管理模块中的功率开关,提供稳定可靠的电源输出。4. 医疗设备:可用于医疗设备中的电路控制模块,提供可靠的电源和信号控制功能。- 阈值电压:-1V至-3V。原创 2024-06-01 10:44:31 · 75 阅读 · 0 评论 -
SI9948BEY-T1-GE3-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
1. 电源管理模块:由于其P-Channel沟道特性和较大的最大电流能力,SI9948BEY-T1-GE3-VB非常适合用于电源管理模块中的开关电源和稳压器,以提供高效的电能转换和稳定的输出电压。参数:2个P-Channel沟道,工作电压范围:-60V,最大电流:-5.3A,导通电阻:58mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时),阈值电压范围:-1V至-3V。SI9948BEY-T1-GE3-VB是一款具有2个P-Channel沟道的功率MOSFET,适用于多种领域和模块。- 工作电压范围:-60V。原创 2024-06-01 10:43:30 · 104 阅读 · 0 评论 -
SI9948AEY-T1-GE3-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
SI9948AEY-T1-GE3-VB是一款具有2个P-Channel沟道的功率场效应管。其最大耐压为-60V,最大持续电流为-5.3A,具有低导通电阻,在VGS=10V和VGS=20V时,分别为58mΩ。以上是SI9948AEY-T1-GE3-VB的详细参数说明和应用简介,该器件在不同领域和模块中都具有广泛的应用前景。1. 电源管理模块:用于电池管理、DC-DC转换器、开关稳压器等电源管理应用。产品型号:SI9948AEY-T1-GE3-VB。- 阈值电压:-1~-3V。- 最大耐压:-60V。原创 2024-06-01 10:41:26 · 61 阅读 · 0 评论 -
SI9947DY-T1-E3-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
例如,在电池保护模块中,SI9947DY-T1-E3-VB可用作过充、过放和短路保护模块的关键部件,保护电池和电路的安全运行。在汽车电子系统中,它可以作为车载充电器的关键组件,提供稳定的电源输出和保护功能,保障汽车电路的安全稳定运行。1. 电池保护模块: SI9947DY-T1-E3-VB可用于各种电池保护模块,用于实现对电池的过充、过放和短路保护,保护电池和电路的安全运行。3. 工业控制设备: 可用于工业控制设备中的功率开关和电源管理模块,提供可靠的电源输出和高效的功率控制,例如工业机器人、数控设备等。原创 2024-06-01 10:40:22 · 65 阅读 · 0 评论 -
SI9945DY-T1-E3-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管
SI9945DY-T1-E3-VB是VBsemi品牌推出的一款N沟道功率MOSFET,具有2个N沟道通道。在VGS=10V和VGS=20V时,导通电阻为27mΩ。阈值电压为1.5V,采用SOP8封装,方便安装和布局。SI9945DY-T1-E3-VB适用于各种功率控制和开关应用,特别适用于需要较高电压和电流的电路。- 导通电阻: 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。产品型号: SI9945DY-T1-E3-VB。- 阈值电压: 1.5V。- 额定电压: 60V。- 最大电流: 6A。原创 2024-06-01 10:39:10 · 35 阅读 · 0 评论 -
SI9945ADY-T1-E3-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管
SI9945ADY-T1-E3-VB是一款双通道 N-Channel 沟道型场效应晶体管,适用于负载开关、电源保护等场合。SI9945ADY-T1-E3-VB具有优秀的性能和可靠性,适用于需要高效、稳定的电流控制和电源管理的各种场合。- 开态电阻:27mΩ(@ VGS=10V)、27mΩ(@ VGS=20V)1. 电源管理模块:可用于负载开关、电源保护等场合,确保电路的稳定和可靠性。产品型号:SI9945ADY-T1-E3-VB。- 沟道类型:2个 N-Channel 沟道。- 最大电压:60V。原创 2024-06-01 10:36:01 · 23 阅读 · 0 评论 -
SI9934DY-NL-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
**应用场景3:** 在智能家居系统中,SI9934DY-NL-VB可用于控制LED灯的亮度和开关,实现智能化的照明控制,提升居家舒适度和能源利用效率。- **应用场景1:** 在太阳能逆变器中,SI9934DY-NL-VB可用作功率开关管,控制太阳能电池板充电电路的电流,确保系统的高效稳定运行。- **应用场景2:** 在工业自动化领域,SI9934DY-NL-VB可用于驱动生产线上的电机,控制设备的运行速度和方向,提高生产效率和精度。**丝印:** VBA4338。**封装:** SOP8。原创 2024-06-01 10:34:26 · 66 阅读 · 0 评论 -
SI9933DY-T1-GE3-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管
3. 功率逆变器模块:在UPS系统和太阳能逆变器中,SI9933DY-T1-GE3-VB可实现电能的高效转换和稳定输出,为电路提供可靠的电源支持。2. 电机控制模块:在汽车电子系统和工业机械中,SI9933DY-T1-GE3-VB能够控制电机的启停和速度,提高系统的响应性和效率。1. 电源开关模块:SI9933DY-T1-GE3-VB可用于开关电源和DC-DC变换器模块,实现高效的能量转换和稳定的输出电压。SI9933DY-T1-GE3-VB(VBsemi品牌)- 2个P沟道,-30V。原创 2024-06-01 10:33:17 · 67 阅读 · 0 评论 -
SI4567DY-T1-E3-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管
3. **电源管理模块**:应用于电源转换和电压调节,在各种电子设备中提供稳定可靠的电源管理解决方案。1. **电源逆变器**:适用于太阳能逆变器、电动车充电器等,实现高效能源转换和稳定的电源输出。5. **电池管理系统**:适用于电池充放电保护、电池管理等领域,确保电池的安全使用和性能优化。4. **LED照明控制**:用于LED驱动电路,实现LED照明产品的高效能源管理和亮度控制。2. **电机驱动器**:用于直流电机、步进电机等的驱动,提供高效、精确的电机控制和运行。**详细参数说明:**原创 2024-05-31 10:38:32 · 180 阅读 · 0 评论 -
SI4565DY-T1-E3-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管
SI4565DY-T1-E3-VB是一款N+P沟道的功率MOSFET,具有正负两个通道,适用于双向功率控制应用。在电动车充电桩模块中,SI4565DY-T1-E3-VB可用于控制电动车与充电桩之间的双向电能转换,实现高效率的电能充放电。同时,在DC-DC转换器模块中,SI4565DY-T1-E3-VB可用于实现不同电压和电流之间的双向转换,适用于各种移动设备和工业控制场合。2. DC-DC转换器:可应用于双向DC-DC转换器中,实现不同电压和电流之间的双向转换,适用于移动设备和工业控制领域。原创 2024-05-31 10:35:50 · 187 阅读 · 0 评论 -
SI4565ADY-T1-E3-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)、电动车辆控制器(EVC)等,SI4565ADY-T1-E3-VB 可用于电源管理和电动机控制,提高汽车的性能和节能效果。1. **电源管理模块**: 由于其高耐压和低开启电阻特性,SI4565ADY-T1-E3-VB 可用于开关电源、稳压器和DC-DC转换器等电源管理模块中,以提供高效的电源转换和稳定的输出。3. **工业自动化**: 用于工业自动化设备中的电机驱动、电源开关等,以提高设备的效率和可靠性。**适用领域和模块举例:**原创 2024-05-31 10:34:35 · 142 阅读 · 0 评论 -
SI4564DY-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管
4. **电源管理系统:** 在需要正负电压控制的场景中,SI4564DY-VB可用于电源管理系统,实现电源的开关控制和功耗优化。3. **DC-DC转换器:** 由于其N+P—Channel沟道设计,适用于设计DC-DC转换器,实现电能的高效转换。1. **电源开关模块:** 适用于设计高性能的电源开关模块,实现可靠的功率转换和电流控制,广泛应用于各种电源系统。2. **电机驱动器:** 可用于电机控制和驱动应用,设计高效、可靠的电机驱动器,提供精准的电流控制。**型号:** SI4564DY-VB。原创 2024-05-31 10:33:25 · 85 阅读 · 0 评论 -
SI4563DY-T1-E3-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**开态电阻(RDS(ON)):** 15mΩ @ VGS=10V (N-Channel), 19mΩ @ VGS=10V (P-Channel)1. **电源开关模块:** 具有双沟道特性,适用于电源开关模块,如开关电源、DC-DC 变换器等。- **电流(ID):** 8A (N-Channel), -7A (P-Channel)**SI4563DY-T1-E3-VB 详细参数:**- **电压(VDS):** ±40V。- **封装:** SOP8。**产品应用简介:**原创 2024-05-31 10:32:04 · 72 阅读 · 0 评论 -
SI4559DY-T1-GE3-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
SI4559DY-T1-GE3-VB是一款N+P沟道MOSFET,具有双通道结构,适用于多种电路设计。此外,其低导通电阻(正向28mΩ,反向51mΩ)和阈值电压(正向±1.9V)使其能够在高效、低压驱动条件下工作。通过以上应用简介,可见SI4559DY-T1-GE3-VB具有广泛的应用领域,可为不同行业的电子产品提供稳定可靠的功率控制和驱动功能。1. 电源逆变器模块:由于其高额定电压和低导通电阻,可用于电源逆变器模块中的功率开关,实现电源的高效转换。产品型号:SI4559DY-T1-GE3-VB。原创 2024-05-31 10:30:45 · 130 阅读 · 0 评论 -
SI4554DY-T1-E3-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
阈值电压为±1.8V。1. **电动汽车电机控制:** 在电动汽车电机控制模块中,SI4554DY-T1-E3-VB可用于功率开关,确保高效的电机控制。2. **直流-直流变换器:** 该器件适用于直流-直流变换器,提供可靠的功率控制,适用于通信设备等应用。- **导通电阻:** RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V, 19mΩ@VGS=20V。- **最大电流:** 8A (正向) / -7A (反向)**型号:** SI4554DY-T1-E3-VB。- **阈值电压:** Vth=±1.8V。原创 2024-05-31 10:29:38 · 153 阅读 · 0 评论 -
SI4446DY-T1-E3-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
*注意:** 在使用之前,请仔细阅读厂商提供的数据手册以确保正确的应用和使用。2. **电机控制:** 在电机驱动模块中,可用于高效能耗的电机控制,提高系统效率。1. **电源模块:** 适用于开关电源中的功率开关阶段,提供高效的电源转换。3. **照明应用:** 可用于LED驱动电路,提供高效的照明解决方案。- **丝印:** VBA1410。- 阈值电压:Vth=1.6V。- **品牌:** VBsemi。**详细参数说明和应用简介:**- **封装:** SOP8。**应用领域举例:**原创 2024-05-31 10:27:53 · 137 阅读 · 0 评论 -
SI4441EY-T1-E3-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
SI4441EY-T1-E3-VB的高电流和低导通电阻特性使其非常适用于电源管理模块,如电源开关和稳压模块,以确保高效的电能转换。在医疗设备中,作为功率开关器件,可确保系统的稳定性和可靠性,满足严格的医疗标准。SI4441EY-T1-E3-VB采用P—Channel沟道设计,工作电压为-30V,最大电流可达-11A。**产品型号:** SI4441EY-T1-E3-VB。1. **电源管理模块:**2. **电机驱动模块:****封装:** SOP8。3. **电动工具:**4. **医疗设备:**原创 2024-05-31 10:26:16 · 155 阅读 · 0 评论 -
SI4441EDY-T1-E3-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电动汽车电源模块:** 在电动汽车电源模块中,SI4441EDY-T1-E3-VB可用于功率开关,确保高效的电能转换。- **导通电阻:** RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V。**产品型号:** SI4441EDY-T1-E3-VB。- **阈值电压:** Vth=-1.42V。- **沟道类型:** P—Channel。- **最大承受电压:** -30V。- **最大电流:** -11A。**丝印:** VBA2311。**封装:** SOP8。**详细参数说明:**原创 2024-05-31 10:24:55 · 197 阅读 · 0 评论 -
如何防止MOS管的自导通现象?
可以在栅源之间增加另外一个MOS管来实现,当电压低于预设的米勒电压,比较器就会提供逻辑高电平,让栅源之间的MOS管导通,如果栅极电压是固定的,那可以通过改变栅极电阻的阻值来保持MOS管的开关不变。在反向恢复中,Q2在电感负载电流回流到Q1的二极管导通时,电感的电流会流过Q2。用栅源之间的电容吸收dv/dt引起的漏栅电流,电容与MOS管内部的Cgs并联,栅极电荷会增加。,吸收栅极电流,这是为了降低因为栅极电阻产生的栅极电压,降低自导通电压。,通过米勒电容和栅极电阻的电流让栅极电压提升。栅源之间增加一个电容。原创 2024-05-30 15:05:10 · 247 阅读 · 0 评论 -
SI2314EDS-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该晶体管适用于各种电子模块,特别是需要 N-Channel 沟道的应用。由于其低阻态时的 RDS(ON) 和适中的电压/电流额定值,可用于功率开关和放大电路。这些晶体管广泛应用于需要 N-Channel 沟道 MOSFET 的各种领域和电子模块中。2. 驱动器模块:可用于电机驱动和其他电子设备的驱动电路。4. 通信模块:在通信设备中作为功率放大器或开关元件。5. 汽车电子模块:适用于汽车电子系统的电路设计。3. LED 照明模块:用于 LED 驱动电路。- 类型:N-Channel 沟道。原创 2024-05-30 10:54:56 · 244 阅读 · 0 评论 -
SI2311DS-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
总体而言,SI2311DS-T1-GE3-VB适用于要求P—Channel沟道的电路设计,如需具体的详细参数说明,建议查阅产品手册。该晶体管适用于SOT23封装,特别适用于需要P—Channel沟道的电路应用。常见领域包括电源管理、放大器、开关电路等。2. 放大器应用:适用于信号放大电路中的放大器设计。1. 电源管理领域:可用于电源开关、逆变器等电路。3. 开关电路:可用于开关电源、电流控制等模块。- 阈值电压:-0.81V。- 工作电压:-20V。- 封装:SOT23。- 工作电流:-4A。原创 2024-05-30 10:54:15 · 75 阅读 · 0 评论 -
SI2310-CMN2310-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
由于较低的开通电阻和适度的阈值电压,适用于电源管理模块,提供高效的功率开关。- 适用于LED驱动电路,确保高效的电源管理和适度的电流控制,以延长LED寿命。- 在需要控制电流的应用中,如电机驱动或电流调节模块,能够提供可靠的电流控制。**产品型号:** SI2310-CMN2310-VB。3. **LED驱动模块:****丝印:** VB1695。**品牌:** VBsemi。**适用领域和模块示例:**1. **电源管理模块:**2. **电流控制模块:**4. **电源逆变器:**原创 2024-05-30 10:53:07 · 135 阅读 · 0 评论 -
SI2309BDS-T1-E3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**电源模块:** SI2309BDS-T1-E3-VB可以应用在电源模块中,用于电源开关和功率调节。1. **适用领域:** 由于是P—Channel沟道MOSFET,通常用于电源管理和功率开关等领域。- **LED驱动:** 在LED照明应用中,可用于LED驱动电路的功率控制。- **电动工具:** 在电动工具中,可以用于控制电机的功率开关。- 阈值电压(Vth):-2V。- **适用领域和模块举例:**2. **模块应用举例:**- 最大耐压:-60V。- **参数说明:**原创 2024-05-30 10:52:00 · 113 阅读 · 0 评论 -
SI2309ADS-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于其高电压和电流承受能力,SI2309ADS-T1-GE3-VB非常适合用于电源管理模块,以实现高效的电源控制和管理。3. **电流控制模块:** 由于其较低的导通电阻和可调的阈值电压,SI2309ADS-T1-GE3-VB可用于电流控制模块,实现对电流的精准控制。2. **电源逆变器:** 在电源逆变器中,SI2309ADS-T1-GE3-VB可以用于控制电源逆变过程中的电流和电压,提高逆变效率。- 阈值电压(Vth):-2V。- 电压(Vds):-60V。原创 2024-05-30 10:50:02 · 153 阅读 · 0 评论 -
SI2308-CMN2308-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在电源管理中,SI2308-CMN2308-VB可以用于开关电源的功率开关,提供高效率的能量转换。1. **电源管理模块:** 由于其高电压和电流特性,可用于电源管理模块,如稳压器和开关电源。2. **驱动模块:** 作为N-Channel MOSFET,适用于电机控制和其他驱动模块。4. **电池保护:** 可用于电池管理模块,确保电池充放电过程中的高效性能。3. **LED照明:** 适用于LED驱动电路,提供高效的电流控制。- **丝印:** VB1695。- **品牌:** VBsemi。原创 2024-05-30 10:48:51 · 230 阅读 · 0 评论 -
SI2308-CMN2308S-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
由于较低的开通电阻和适度的阈值电压,适用于电源管理模块,提供高效的功率开关。- 适用于LED驱动电路,确保高效的电源管理和适度的电流控制,以延长LED寿命。- 在需要控制电流的应用中,如电机驱动或电流调节模块,能够提供可靠的电流控制。**产品型号:** SI2308-CMN2308S-VB。3. **LED驱动模块:****丝印:** VB1695。**品牌:** VBsemi。**适用领域和模块示例:**1. **电源管理模块:**2. **电流控制模块:**4. **电源逆变器:**原创 2024-05-30 10:47:48 · 162 阅读 · 0 评论 -
SI2308ADS-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):85mΩ @ VGS = 10V, VGS原创 2024-05-30 10:46:25 · 110 阅读 · 0 评论 -
SI2307BDS-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
2. **电流控制模块:** 适用于需要 P-Channel MOSFET 的电流控制电路。- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ(在VGS=10V, VGS=20V时)4. **电源逆变器:** 在逆变器电路中起到关键作用,帮助实现直流到交流的转换。3. **DC-DC 变换器:** 用于构建高效的 DC-DC 变换器。- **电压等级(VDS):** -30V。- **电流等级(ID):** -5.6A。- **阈值电压(Vth):** -1V。**封装:** SOT23。原创 2024-05-30 10:45:24 · 200 阅读 · 0 评论 -
SI2306BDS-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **LED照明:** 在LED照明系统中,可用于设计LED驱动器,确保高效的电源管理和亮度控制。SI2306BDS-T1-GE3-VB的特性使其在各种领域的电源控制和管理应用中都具有广泛的适用性。1. **电源供应模块:** 用于设计稳定、高效的电源供应模块,例如开关电源、直流-直流转换器等。2. **电机驱动:** 在电机控制系统中,可用于设计电机驱动模块,提供高效的电源管理和控制。4. **电池管理:** 用于设计电池充电和放电管理系统,确保电池的有效使用和安全性。- 额定电压:30V。原创 2024-05-30 10:44:18 · 125 阅读 · 0 评论 -
RZR020P01TL-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源开关模块:** 由于RZR020P01TL-VB具有P—Channel沟道特性,适用于电源开关模块。3. **电池管理系统:** 在需要对电池进行开关和控制的电池管理系统中,RZR020P01TL-VB可以发挥其优势,提高电池使用效率。5. **电源适配器:** 在电源适配器中,RZR020P01TL-VB可以用于电源开关和控制,有助于实现高效的电源转换和适配。4. **LED照明驱动:** 适用于LED照明驱动模块,可用于LED灯的开关和控制,实现灯光的亮度调节。原创 2024-05-29 10:44:17 · 288 阅读 · 0 评论 -
RXR035N03-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
RXR035N03-VB适用于各种电子应用,特别适用于需要N-Channel场效应晶体管的电路设计。其性能参数使其成为许多电源管理和开关电源设计的理想选择。**注意:** 在设计中,请根据具体应用场景和电路需求仔细选择适当的工作参数。- 开启电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。1. 高额定电压和电流,适用于要求较高性能的电路。3. 宽阈值电压范围,增加了在不同应用中的灵活性。2. 低开启电阻,有助于减小导通时的功耗。**典型应用领域:**- 封装:SOT23。- 额定电压:30V。原创 2024-05-29 10:42:25 · 179 阅读 · 0 评论 -
RXQ040N03-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源模块:** 由于其N-Channel沟道类型和适中的电压/电流额定值,RXQ040N03-VB可用于电源模块,用于功率开关和调节。2. **电源管理系统:** 作为N-Channel MOSFET,可用于电源管理系统,包括电源开关、电源逆变和电源调节。- **型号:** RXQ040N03-VB。- **沟道类型:** N-Channel。- **封装类型:** SOT23。- **丝印:** VB1330。- **品牌:** VBsemi。- **额定电压:** 30V。原创 2024-05-29 10:41:12 · 358 阅读 · 0 评论 -
RUC002N05T116-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
*注意:** 在实际应用中,请查看详细的规格书,以确保器件符合您的电路设计要求。- 由于其N—Channel沟道和较低开态电阻,可用于电机驱动。- 具有较低的开态电阻,适用于对效率和功率密度要求较高的设计。- 适用于构建高效的开关电源、DC-DC变换器。- 在功率放大电路中,可用于提供高效能耗的放大。- 用于电源适配器输出端,提供高效的电源。1. **电源适配器模块:**4. **功率放大器模块:**2. **开关电源模块:**3. **电机驱动模块:**- **详细参数说明:**- 最大电流: 4A。原创 2024-05-29 10:38:21 · 125 阅读 · 0 评论 -
RU60D5HCGTR-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
5. **电源逆变器**:用于太阳能逆变器、UPS系统等场景,实现高效的能源转换和稳定的电源输出。1. **电源管理模块**:用于电源转换和电压调节,在电子设备中提供稳定可靠的电源管理解决方案。4. **电池管理系统**:应用于电池充放电保护、电池管理等领域,确保电池的安全使用和性能优化。2. **电机驱动器**:适用于直流电机、步进电机等各种电机的驱动,提供高效、精确的电机控制。3. **LED照明控制**:用于LED驱动电路,实现LED照明产品的高效能源管理和亮度控制。**详细参数说明:**原创 2024-05-29 10:37:09 · 275 阅读 · 0 评论 -
RU602B-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块:** 由于器件具有较高的最大耐压和适度的额定电流,可用于电源管理模块,例如稳压器和开关电源,以提供可靠的电源输出。4. **电池管理:** 在需要电池管理的应用中,例如便携式电子设备,RU602B-VB可用于设计电池充放电管理模块,以提高电池使用效率。3. **LED照明控制:** 低导通电阻和N—Channel沟道特性使其成为LED照明控制模块的理想选择,以确保高效的能量转换。2. **电机驱动模块:** 4A的额定电流使其适用于小型电机的驱动,例如电动工具、风扇和其他电动设备。原创 2024-05-29 10:34:04 · 206 阅读 · 0 评论 -
RU20P3B-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电池保护电路:** 由于低阈值电压和SOT23封装的小型尺寸,适用于电池保护电路,确保在低电压状态下切断电池。适用于需要P—Channel MOSFET的电路和模块,特别是在需要较低阻抗和较小阈值电压的场合。1. **电源管理模块:** 由于低阻抗和适中的电流容量,适用于电源开关和调节模块。2. **电机驱动:** 在需要反相控制的场合,如直流电机驱动模块。- 阈值电压:Vth=-0.81V。- 最大工作电压:-20V。- 封装:SOT23。- 最大电流:-4A。原创 2024-05-29 10:32:36 · 171 阅读 · 0 评论 -
RTR030P02TL-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**VBsemi RTR030P02TL-VB****详细参数说明:**- 丝印: VB2290- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 类型: P—Channel沟道- 额定电压: -20V- 最大电流: -4A- 导通电阻 (RDS(ON)): 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V- 阈值电压 (Vth): -0.81V**应用简介:**VBsemi RTR030P02TL-VB是一款高性能的P沟道场效应晶体管,专为电源管理和开关电路设计,具有小尺寸、高效能和可靠性原创 2024-05-29 10:29:39 · 293 阅读 · 0 评论 -
RTR030N05TL-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
由于其低漏极-源极电阻和高电流承受能力,它可以在要求较高功率和效率的电路中得到应用。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):30mΩ(在VGS=10V, VGS=20V时)1. **功率放大器模块:** 由于其高电流承受能力,可用于音频功率放大器模块。3. **驱动电路:** 可用于各种需要 N—Channel 沟道的驱动电路。2. **开关电源模块:** 适用于开关电源模块,提供稳定的电源输出。- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V。- 额定电压(VDS):30V。**典型应用领域和模块:**原创 2024-05-29 10:28:30 · 148 阅读 · 0 评论