半导体科普大全(MOS管)
微碧VBsemi
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MOS管使用推挽的作用是什么?为什么要考虑电流大小呢?
这两个MOS 管连接在一起,形成一个推挽结构。在工作时,当输入信号为高电平时,N沟道MOS管导通,P沟道MOS管截止;当输入信号为低电平时,N沟道MOS 管截止,P沟道MOS管导通。在设计推挽电路时,需要根据MOS管的最大持续漏极电流(ID)、最大耗散功率(PD)以及栅源电压范围(VGS)等因素进行精确的电流计算和电路设计。其中,一个MOS 管作为负载管,负责输出电流,另一个MOS 管则作为驱动管,负责控制输出电流的流向。因此,MOS管在使用推挽电路时考虑电流大小,是为了确保电路的稳定性和可靠性。原创 2024-11-08 17:25:24 · 254 阅读 · 0 评论 -
RQJ0539FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在栅极-源极电压分别为10V和20V时,其导通电阻(RDS(ON))为245mΩ,阈值电压(Vth)为3.06V。4. **LED照明驱动器:** LED照明应用需要高效的功率开关来控制LED灯的亮度和色温。1. **电源开关模块:** RQJ0539FQDQS-VB适用于电源开关模块,例如开关电源和DC-DC变换器。3. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电。2. **电机驱动器:** 在工业自动化和电动汽车领域,需要对电机进行精确控制。**适用领域和模块示例:**原创 2024-10-29 11:30:57 · 179 阅读 · 0 评论 -
RQJ0538FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在10V的栅源电压下,RDS(ON)为245mΩ,提供了较低的导通电阻,有助于减小功率损耗和提高效率。1. **电源转换器:** 由于其高电压和较高电流特性,RQJ0538FQDQS-VB适用于各种电源转换器,如开关电源、逆变器等。1. **额定电压(VDS):** 200V的额定电压使得该器件适用于中等电压的电路设计,例如工业控制系统、电源转换器等。2. **额定电流(ID):** 10A的额定电流使得该器件能够承受一定的电流负载,适用于中功率应用。原创 2024-10-29 11:29:32 · 319 阅读 · 0 评论 -
RQJ0537FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 245mΩ @ VGS原创 2024-10-29 11:28:19 · 222 阅读 · 0 评论 -
RQJ0536FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源转换器**:RQJ0536FQDQS-VB可用于各种电源转换器和逆变器模块,例如DC-DC转换器和AC-DC转换器。4. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,RQJ0536FQDQS-VB可用于控制和驱动各种负载,如继电器、电磁阀和电动执行器。2. **电机控制**:在电机驱动领域,该MOSFET可用于电机的开关控制,实现电机的启停和速度调节。因此,RQJ0536FQDQS-VB适用于电源转换器、电机控制、电源管理和工业控制等领域的各种模块和设备。- 门极电压(VGS):20V。原创 2024-10-29 11:26:22 · 155 阅读 · 0 评论 -
RQJ0535FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在栅极-源极电压分别为10V和20V时,其导通电阻(RDS(ON))为245mΩ,阈值电压(Vth)为3.06V。4. **LED照明驱动器:** LED照明应用需要高效的功率开关来控制LED灯的亮度和色温。1. **电源开关模块:** RQJ0535FQDQS-VB适用于电源开关模块,例如开关电源和DC-DC变换器。3. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电。2. **电机驱动器:** 在工业自动化和电动汽车领域,需要对电机进行精确控制。**适用领域和模块示例:**原创 2024-10-29 11:25:00 · 241 阅读 · 0 评论 -
RQJ0534FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在10V的栅源电压下,RDS(ON)为245mΩ,提供了较低的导通电阻,有助于减小功率损耗和提高效率。1. **电源转换器:** 由于其高电压和较高电流特性,RQJ0534FQDQS-VB适用于各种电源转换器,如开关电源、逆变器等。1. **额定电压(VDS):** 200V的额定电压使得该器件适用于中等电压的电路设计,例如工业控制系统、电源转换器等。2. **额定电流(ID):** 10A的额定电流使得该器件能够承受一定的电流负载,适用于中功率应用。原创 2024-10-29 11:22:42 · 290 阅读 · 0 评论 -
RQJ0533FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 245mΩ @ VGS原创 2024-10-29 11:21:17 · 276 阅读 · 0 评论 -
RQJ0532FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**:RQJ0532FQDQS-VB可广泛应用于各种电源管理模块,如开关电源、稳压器和电池管理系统。2. **LED驱动器**:在LED照明领域,该MOSFET可用于LED驱动器的功率控制和电源管理。3. **工业自动化**:可用于工业自动化系统中的电机控制、电源开关和工业设备的功率管理。4. **电动车充电器**:适用于电动车充电器中的功率开关和电源管理功能。综上所述,RQJ0532FQDQS-VB适用于电源管理模块、LED驱动器、工业自动化和电动车充电器等领域的各种模块和设备。原创 2024-10-29 11:19:32 · 291 阅读 · 0 评论 -
RQJ0531FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源转换器**:RQJ0531FQDQS-VB适用于各种电源转换器和逆变器模块,如DC-DC转换器和AC-DC转换器。RQJ0531FQDQS-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,具有200V的额定电压和10A的额定电流。4. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,RQJ0531FQDQS-VB可用于控制和驱动各种负载,如继电器、电磁阀和电动执行器。2. **电机控制**:在电机驱动领域,该MOSFET可用于电机的开关控制,实现电机的启停和速度调节。原创 2024-10-29 11:18:26 · 176 阅读 · 0 评论 -
RQJ0530FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在栅极-源极电压分别为10V和20V时,其导通电阻(RDS(ON))为245mΩ,阈值电压(Vth)为3.06V。4. **LED照明驱动器:** LED照明应用需要高效的功率开关来控制LED灯的亮度和色温。1. **电源开关模块:** RQJ0530FQDQS-VB适用于电源开关模块,例如开关电源和DC-DC变换器。3. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电。2. **电机驱动器:** 在工业自动化和电动汽车领域,需要对电机进行精确控制。**适用领域和模块示例:**原创 2024-10-29 11:17:10 · 208 阅读 · 0 评论 -
RQJ0499FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在10V的栅源电压下,RDS(ON)为245mΩ,提供了较低的导通电阻,有助于减小功率损耗和提高效率。1. **电源转换器:** 由于其高电压和较高电流特性,RQJ0499FQDQS-VB适用于各种电源转换器,如开关电源、逆变器等。1. **额定电压(VDS):** 200V的额定电压使得该器件适用于中等电压的电路设计,例如工业控制系统、电源转换器等。2. **额定电流(ID):** 10A的额定电流使得该器件能够承受一定的电流负载,适用于中功率应用。原创 2024-10-28 11:53:33 · 200 阅读 · 0 评论 -
RQJ0498FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 245mΩ @ VGS原创 2024-10-28 11:51:32 · 278 阅读 · 0 评论 -
RQJ0496FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在10V和20V的栅极-源极电压下,其导通电阻(RDS(ON))为245mΩ,阈值电压(Vth)为3.06V。1. **电源开关模块:** 由于RQJ0496FQDQS-VB具备高电压承受能力和低导通电阻,适用于电源开关模块,如开关电源和DC-DC变换器。4. **LED照明驱动器:** LED照明应用需要高效的功率开关来控制LED灯的亮度和色温。3. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电。2. **电机驱动器:** 在工业自动化和电动汽车领域,需要对电机进行精确控制。原创 2024-10-28 11:43:43 · 117 阅读 · 0 评论 -
RQJ0495FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **工业自动化:** 适用于工业控制系统中的开关电路和电源模块,如PLC、变频器和工业机器人等,提供可靠的电源和控制功能。2. **马达控制:** 在电机驱动器和电机控制模块中发挥作用,用于控制电机的启动、停止和转速调节,如风扇、水泵和机械臂等。3. **照明系统:** 用于LED照明系统中的驱动电路和调光电路,提供高效的功率转换和亮度控制,如街道照明、室内照明等。1. **电源管理:** 适用于电源开关和电源管理模块,如开关电源、逆变器和稳压器等,提供高效稳定的电源输出。**详细参数说明:**原创 2024-10-28 11:41:50 · 168 阅读 · 0 评论 -
RQJ0494FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在10V的栅源电压下,RDS(ON)为245mΩ,提供了较低的导通电阻,有助于减小功率损耗和提高效率。1. **电源转换器:** 由于其高电压和较高电流特性,RQJ0494FQDQS-VB适用于各种电源转换器,如开关电源、逆变器等。1. **额定电压(VDS):** 200V的额定电压使得该器件适用于中等电压的电路设计,例如工业控制系统、电源转换器等。2. **额定电流(ID):** 10A的额定电流使得该器件能够承受一定的电流负载,适用于中功率应用。原创 2024-10-28 11:40:33 · 510 阅读 · 0 评论 -
RQJ0493FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 245mΩ @ VGS原创 2024-10-28 11:39:02 · 319 阅读 · 0 评论 -
RQJ0492FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
RQJ0492FQDQS-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,具有200V的额定电压和10A的额定电流。1. **电源转换器**:RQJ0492FQDQS-VB适用于各种电源转换器和逆变器模块,例如DC-DC转换器、AC-DC转换器等。4. **工业自动化**:在工业自动化设备中,该MOSFET可用于控制和驱动各种负载,如继电器、电磁阀和电动执行器等。2. **电机驱动**:在电机驱动器中,该MOSFET可用作电机的开关管,用于控制电机的启停和速度调节。- 封装类型:TO252。原创 2024-10-28 11:37:11 · 122 阅读 · 0 评论 -
RQJ0491FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在10V和20V的栅极-源极电压下,其导通电阻(RDS(ON))为245mΩ,阈值电压(Vth)为3.06V。4. **LED照明驱动器:** LED照明应用需要高效的功率开关来控制LED灯的亮度和色温。1. **电源开关模块:** RQJ0491FQDQS-VB适用于电源开关模块,如开关电源和DC-DC变换器。2. **电机驱动器:** 在工业自动化和汽车电动化领域,需要对电机进行精确控制。3. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电。**适用领域和模块示例:**原创 2024-10-28 11:34:55 · 254 阅读 · 0 评论 -
RQJ0490FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **工业自动化:** 适用于工业控制系统中的开关电路和电源模块,如PLC、变频器和工业机器人等,提供可靠的电源和控制功能。2. **马达控制:** 在电机驱动器和电机控制模块中发挥作用,用于控制电机的启动、停止和转速调节,如风扇、水泵和机械臂等。3. **照明系统:** 用于LED照明系统中的驱动电路和调光电路,提供高效的功率转换和亮度控制,如街道照明、室内照明等。1. **电源管理:** 适用于电源开关和电源管理模块,如开关电源、逆变器和稳压器等,提供高效稳定的电源输出。**详细参数说明:**原创 2024-10-28 11:33:48 · 109 阅读 · 0 评论 -
RQJ0459FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **移动设备**:由于其低压、低功率特性,RQJ0459FQDQS-VB适用于移动设备中的电池管理系统、充放电控制等。4. **医疗设备**:在医疗设备中,RQJ0459FQDQS-VB可用于各种低功率电路,例如医疗传感器、控制模块等。4. **阈值电压(Vth)**:阈值电压在-1.2V至-2.2V之间,使得器件易于控制,适用于各种电路设计。1. **额定电压(VDS)**:-20V的额定电压适用于低压应用场合,例如电池供电系统或低压电路。- 阈值电压:-1.2V 至 -2.2V。原创 2024-10-26 11:23:01 · 169 阅读 · 0 评论 -
RQJ0458FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 75mΩ @ VGS原创 2024-10-26 11:21:21 · 141 阅读 · 0 评论 -
RQJ0457FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该产品具有较低的导通电阻(RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V)和适中的门极阈值电压(Vth=-1.2~-2.2V)。1. **便携式电子产品**:由于封装小巧且具有两个通道,RQJ0457FQDQS-VB适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑等。3. **低功耗电路**:由于具有较低的导通电阻和门极阈值电压,RQJ0457FQDQS-VB适用于低功耗电路设计,如传感器接口、待机电源管理等应用场合。4. **便携式电源**:在便携式电源模块中,该产品可用于电池充放电保护、稳压等功能。原创 2024-10-26 11:19:57 · 317 阅读 · 0 评论 -
RQJ0456FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
**产品简介:**RQJ0456FQDQS-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管,具有两个P沟道。该晶体管设计用于中功率电子应用,封装采用SOT23-6,便于安装和布局。具有-20V的漏极-源极电压承受能力和-4A的漏极电流承受能力。在4.5V和12V的栅极-源极电压下,其具有75mΩ的导通电阻(RDS(ON)),阈值电压(Vth)在-1.2V至-2.2V范围内变化。**详细参数说明:**- 电压承受能力:-20V- 漏极电流承受能力:-4A- 导通电阻(RDS(ON)): - VGS=4原创 2024-10-26 11:18:37 · 156 阅读 · 0 评论 -
RQJ0455FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **便携式电子设备:** 由于其小尺寸和低功率特性,适用于便携式电子设备中的充电保护、电源管理和电池保护功能,如智能手机、平板电脑等。4. **传感器接口电路:** 适用于传感器接口电路中的功率开关和控制,如温度传感器、湿度传感器等,为传感器系统提供稳定的工作环境。2. **嵌入式系统:** 在嵌入式系统中,可用于DC-DC转换器、模拟电路保护和电源隔离等应用,为系统提供稳定的电源和保护功能。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):75mΩ(在VGS=4.5V时)、20mΩ(在VGS=12V时)原创 2024-10-26 11:17:16 · 131 阅读 · 0 评论 -
RQJ0454FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **移动设备**:由于其低压、低功率特性,RQJ0454FQDQS-VB适用于移动设备中的电池管理系统、充放电控制等。4. **医疗设备**:在医疗设备中,RQJ0454FQDQS-VB可用于各种低功率电路,例如医疗传感器、控制模块等。4. **阈值电压(Vth)**:阈值电压在-1.2V至-2.2V之间,使得器件易于控制,适用于各种电路设计。1. **额定电压(VDS)**:-20V的额定电压适用于低压应用场合,例如电池供电系统或低压电路。- 阈值电压:-1.2V 至 -2.2V。原创 2024-10-26 11:15:44 · 244 阅读 · 0 评论 -
RQJ0453FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 75mΩ @ VGS原创 2024-10-26 11:14:28 · 160 阅读 · 0 评论 -
RQJ0452FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
其具备较低的导通电阻(RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V)和适中的门极阈值电压(Vth=-1.2~-2.2V)。1. **便携式电子产品**:由于封装小巧且具有两个通道,RQJ0452FQDQS-VB适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑等。3. **低功耗电路**:由于具有较低的导通电阻和门极阈值电压,RQJ0452FQDQS-VB适用于低功耗电路设计,如传感器接口、待机电源管理等应用场合。4. **便携式电源**:在便携式电源模块中,该产品可用于电池充放电保护、稳压等功能。原创 2024-10-26 11:12:38 · 264 阅读 · 0 评论 -
RQJ0451FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
在4.5V和12V的栅极-源极电压下,其具有75mΩ的导通电阻(RDS(ON)),阈值电压(Vth)在-1.2V至-2.2V范围内变化。1. **电源管理模块:** 由于RQJ0451FQDQS-VB具有P沟道结构,适用于负载开关电源、反向电池保护、和电池充放电管理等应用。2. **电池保护电路:** 在便携式设备和电池供电系统中,需要保护电池免受过放电和过充电的损害。3. **电动工具控制器:** 在电动工具和电机控制系统中,需要控制电机的开关和反向运动。**适用领域和模块示例:**原创 2024-10-26 11:11:24 · 279 阅读 · 0 评论 -
RQJ0450FQDQS-VB一款2个P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **移动设备充电保护:** 由于其小尺寸和低功率特性,RQJ0450FQDQS-VB适用于移动设备中的充电保护电路,可防止过电压和过电流损坏设备。2. **小型DC-DC转换器:** 用于小型电子设备的DC-DC转换器,如便携式电子产品和嵌入式系统中,可实现电能的高效转换和稳定的电源输出。3. **电池管理系统:** 在电池管理系统中,这款晶体管可用于电池保护和充放电控制,确保电池的安全和长寿命。- 门-源极阈值电压(Vth):-1.2V至-2.2V(范围)**应用领域和模块示例:**原创 2024-10-26 11:10:15 · 256 阅读 · 0 评论 -
RQJ0419FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **LED照明**:在LED照明系统中,RQJ0419FQDQS-VB可用于LED驱动器和调光系统,提供稳定的功率输出和高效的能量转换。1. **电源管理**:由于其较高的额定电压和额定电流,RQJ0419FQDQS-VB适用于开关电源、直流-直流转换器等高功率电源管理应用。1. **额定电压(VDS)**:100V的额定电压使得该器件能够应对较高的电压要求,适用于多种工业和汽车电子应用。2. **额定电流(ID)**:25A的额定电流使得它能够处理较大的电流负载,适用于要求较高功率的应用场合。原创 2024-10-23 11:53:59 · 306 阅读 · 0 评论 -
RQJ0418FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 55mΩ @ VGS = 10V。- **最大栅极—源极电压 (VGS原创 2024-10-23 11:46:45 · 322 阅读 · 0 评论 -
RQJ0417FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **工业控制**:在工业控制领域,RQJ0417FQDQS-VB可用于各种工业控制设备,如PLC、变频器、伺服驱动器等。1. **电源管理模块**:RQJ0417FQDQS-VB适用于各种电源管理应用,包括开关电源、逆变器、电池管理系统等。4. **电源开关**:该产品也适用于电源开关应用,如开关电源、UPS(不间断电源系统)、电源适配器等。总的来说,RQJ0417FQDQS-VB适用于需要处理高电压、高功率和高性能的各种领域和模块,包括电源管理、汽车电子、工业控制和电源开关等。原创 2024-10-23 11:41:37 · 130 阅读 · 0 评论 -
RQJ0416FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该晶体管在10V和20V的栅极-源极电压下,具有55mΩ的导通电阻(RDS(ON)),阈值电压(Vth)为1.4V。1. **电源开关模块:** RQJ0416FQDQS-VB适用于中功率电源开关模块中,用于开关稳压电源和DC-DC转换器。2. **LED照明驱动器:** LED照明应用通常需要高电压和电流的驱动器来提供足够的功率。4. **工业自动化设备:** 在各种工业自动化设备中,需要处理中等功率和电压的电子部件。3. **电动工具控制器:** 在电动工具和电机驱动器中,需要处理中等功率的情况。原创 2024-10-23 11:40:29 · 314 阅读 · 0 评论 -
RQJ0415FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **服务器电源供应:** 在数据中心和服务器应用中,需要稳定的电源管理和功率分配,以确保设备的稳定运行。3. **可再生能源系统:** 在太阳能和风能等可再生能源系统中,需要高效的功率开关器件来实现能量转换和电网连接。1. **电动车辆电源控制:** RQJ0415FQDQS-VB可用于电动车辆的电源管理系统中,包括电池管理、电机驱动和充电系统。2. **工业自动化系统:** 在工业自动化领域,这款晶体管可用于控制各种机器和设备的开关操作,例如工厂自动化生产线上的马达控制、阀门控制等。原创 2024-10-23 11:38:55 · 242 阅读 · 0 评论 -
RQJ0414FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理**:RQJ0414FQDQS-VB适用于开关电源和直流-直流转换器,特别是在需要高效率和高功率的应用中。4. **航空航天**:在航空航天领域,这种高功率、高效率的MOSFET可用于航空电子设备和航天器件中的功率控制和开关。2. **电机驱动**:在工业电机控制系统中,这款MOSFET可用于电机驱动和电流控制,提供了可靠的性能和低功率损耗。2. **额定电流(ID)**:75A的额定电流使其适用于高功率应用,如电源管理和电机驱动。- 阈值电压:1.9V。- 额定电压:60V。原创 2024-10-23 11:36:08 · 220 阅读 · 0 评论 -
RQJ0413FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 11mΩ @ VGS = 10V。- **最大栅极—源极电压 (VGS(max)):** ±20V。- **电压额定值 (VDS):** 60V。- **阈值电压 (Vth原创 2024-10-23 11:34:45 · 217 阅读 · 0 评论 -
RQJ0412FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **照明控制**:在LED照明控制领域,该MOSFET可用于调光、调色等功能,通过控制LED的通断实现不同亮度和颜色的调节。1. **电源管理模块**:由于其较高的额定电压和电流能力,RQJ0412FQDQS-VB适用于电源管理模块,如开关电源、DC-DC转换器等。2. **电机驱动**:在电机驱动领域,该MOSFET可用于控制电机的启停、速度和方向,例如用于电动车、工业自动化、机器人等领域。3. **电源开关**:在电源开关应用中,RQJ0412FQDQS-VB可用作开关器件,实现电路的开关功能。原创 2024-10-23 11:33:33 · 133 阅读 · 0 评论 -
RQJ0411FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
该型号RQJ0411FQDQS-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,具有60V的漏极-源极电压承受能力和75A的漏极电流承受能力。2. **电动汽车控制系统:** 在电动汽车的控制系统中,需要处理大电流和高电压的情况。1. **电源管理模块:** 由于该晶体管具有较高的电压和电流承受能力,因此非常适合用于电源管理模块中的开关电源、直流-直流转换器和逆变器等部分。3. **工业自动化设备:** 在工业自动化领域,大多数设备需要处理高功率和高电压的情况。**应用领域和模块示例:**原创 2024-10-23 11:32:26 · 250 阅读 · 0 评论 -
RQJ0410FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **汽车电子:** 在汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)、电动车辆充电器等,需要高功率开关器件来实现电流控制和保护功能。1. **电源管理模块:** 由于其高电流承受能力和低导通电阻,RQJ0410FQDQS-VB可用于开关电源、直流-直流变换器和逆变器等电源管理模块中,实现高效的能量转换和稳定的电源输出。2. **电动工具控制:** 在电动工具中,如电动钻、电动锯等,需要控制电机的开关和速度。3. **工业自动化:** 在工业自动化系统中,需要控制各种设备和机器的开关和功率分配。原创 2024-10-23 11:20:26 · 287 阅读 · 0 评论