单片机io口输入输出实验报告_【晟矽课堂】MCU中的IO口输入输出状态详解

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 随着电子行业的迅猛发展，微控制单元(Microcontroller Unit；MCU，以下简称MCU)已经成为大多数电子产品上不可或缺的一部分。使用MCU，必然接触到IO(Input，Output)口，对于IO口的输入输出状态就要有所了解。什么是漏极开路输出？什么是推挽电路？什么时候要加上拉电阻？什么时候加下拉电阻。要学习IO口状态，首先要知道三极管及mos管是MCU内部电路的重要组成部分，漏极开路的漏指的就是mos管的漏极(Drain——D)，所以首先我们要先搞清楚三极管及mos管的工作原理。

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PN结

 PN结是三极管以及场效应管中最基本的组成部分，要想彻底搞明白三极管以及场效应管的工作原理，必须先搞清楚PN结形成的原理和工作特性。

 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置就形成了P型半导体。采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一片硅片上，他们的交界面就形成了PN结。对于PN结的理解需要注意几点：

(1)N型半导体和P型半导体都是电中性的，所谓的P和N不代表电性，代表的是多数载流子的电性。

(2)加入这些杂质元素后就会形成多余载流子(空穴或者自由电子)的根本原因在于在原子内部，负电荷可分(每个电子带一个负电荷)，正电荷不可分(全部集中于原子核)。

(3)空穴本身无法运动，所以空穴作为载流子的根本还在于吸收电子。也就是说空穴传输电流的本质还是电子的移动产生的电流。

 PN结具体单向导电性，当给PN结加正向电压(正向偏置)，即与内电场方向相反的外加电场时，内电场被削弱，最终的结果是N区的电子不断的进入P区，且N区可以从外加的电源中源源不断的汲取电子，于是就形成了较大的正向电流，如下图所示。

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 如果反过来加反向电压(反向偏置)，即外电场与内电场方向相同，导致的是多子难以扩散，少子的漂移运动加强。但是由于少子数量极少，所以无法形成持续不断的电流，此时PN结处于截止状态。

 PN结外加正向电压时处于导通状态，PN结外加反向电压时处于截止状态。

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三极管

      晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管(BJT)，又称半导体三极管，简称晶体管。根据掺杂方式的不同在同一硅片上制造出三个掺杂区域，并且形成两个PN结，这就构成了晶体管三极管。晶体管三极管根据PN结不同分为NPN和PNP型。采样平面工艺制成的NPN型硅材料晶体管位于中间的P区称为基区，它很薄切杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下方的N区是集电区，面积很大；三个区引出的电极分别称为基极b、发射极e和集电极c。发射区与基区之间的PN结称为发射结，基区与集电区之间的PN结称为集电结。三极管的结构及符号如下图所示：

图2

     三极管的主要功能有：交流信号放大、直流信号放大和电路开关。同时三极管有三个工作区间，分别是：放大区、饱和区和截止区。

      输出特性曲线描述基极电流Ib为一常量的时候，集电极电流Ic与管压降Uce之间的函数关系，对于每一个确定的Ib，都有一条曲线，对于某一条曲线，当Uce从零逐渐增大时，集电结电场随之增强，收集基区非平衡少子的能力逐渐增强，因而Ic也就逐渐增大。当Uce增大到一定数值的时候，集电结电场足以将基区非平衡少子的绝大部分收集到集电区来，Uce再增大，收集能力已经不能显著提高，表现为曲线几乎