android ram rom测试工具,RAM与ROM测试方法

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1、ROM与RAM测试方法在硬件系统出厂前要进行产品测试,在嵌入式系统工作之前,一般也要进行自检,其中ROM和RAM检测必不可少,可是有不少人对于测试目的、原因和方法存在错误理解。为什么要测试ROM和RAM, 怎么测试呢?普遍的看法是:由于担心ROM和RAM芯片损坏,在出厂和使用前应该校验这两种芯片的好坏。测试RAM的方法是写读各个内存单元,检查是否能够正确写入;测试ROM的方法是累加各存储单元数值并与校验和比较。这种认识不能说错,但有些肤浅,照此编出的测试程序不完备。一般来说,ROM和RAM芯片本身不大会被损坏,用到次品的概率也比较小,真正出问题的,大都是其他硬件部分,因此,测试ROM和RAM往。

2、往是醉翁之意不在酒。l ROM测试测试ROM的真正目的是保证程序完整性。嵌入式软件和启动代码存放在ROM里,不能保证长期稳定可靠,因为硬件注定是不可靠的。以flash ROM为例,它会由于以下两种主要原因导致程序挥发:受到辐射。本身工作在辐射环境里/运输过程中受到辐射(如过海关时被X光机检查)。长时间存放导致存储失效,某些0、1位自行翻转。无论如何,在硬件上存放的程序都是不可靠的。如果完全不能运行,那到也不会造成太大的损失。怕就怕程序可以运行,但某些关键数据/关键代码段被破坏,引发致命错误。为此,必须在程序正常工作前,在软件层面上保证所运行的程序100%没有被破坏,保证现在要运行的程序就是当初。

3、写入的。保证程序完整性的方法很多,例如对全部程序进行CRC校验(-16和-32)/累加和校验(移位累加),只要能在数学上确保出错概率极低,工程上就可以认为程序完整。程序完整性测试通过,捎带着也就证明了ROM没有被损坏。即测试ROM是否损坏只是测试的副产品,不是主要目的。l RAM测试测试RAM的真正目的是保证硬件系统的可靠性。大部分问题却可以通过RAM测试反映出来,仔细想想,当硬件被生产出来/被插到背板上究竟会发生什么错误呢!是不是感到自己做的板子出问题的可能性更大!请考虑如下几点:生产工艺不过关,过孔打歪了,与临近信号线距离不满足线规甚至打在了线上。由于搭锡引起的信号线粘连。虚焊/漏焊引起的。

4、接触不良。不按规程操作,把手印儿印在了高频线上。板子脏了也不吹,覆盖了一层灰尘(内含金属微粒)。这些现象比较有趣,试举几例:地址线A0和A1粘连。读出XXX00、XXX01、XXX10三个字节的数据完全一样。数据线D0和D1粘连。D0和D1只要有一个为0,那么两条线都为0。接触不良。时好时坏。器件表面处理不干净,有助焊剂残留。低速访问正常,大负荷高速访问频繁死机。总之,我们做的板子在生产中和使用中都会有出错机会,所以出厂前必须测试,使用前必须自检。如何测试RAM呢?写一个数然后读出来判断显然测不出所有问题,单个测试数据不易覆盖全部测试内容,更不用说定位错误原因了(RAM坏、地址/数据线粘连、接。

5、触不良)。好的测试应尽可能测出粘连、RAM坏、单板高频特性。n 测试地址线1. 0滑动,随机选择一个数如55、AA之类,依次写到FEH、FDH、FBH、F7H、EFH、DFH、BFH、7FH地址单元里去,把地址写成二进制数,可以看到比特0在地址总线上从低到高滑动,谓之0滑动。目的是测试这些地址线在依次变0时是否稳定正常。当每一根线由1变0,会产生下冲,如果下冲控制不好,在高频时会引起错误。单板上地址线不一定一样长,下冲也就不会完全一样,因此,每一根线都单独测一下下冲性能。2. 1滑动,随机选择一个数如55、AA之类,依次写到1H、2H、4H、8H、10H、20H、40H、80H地址单元里去,把。

6、地址写成二进制数,可以看到比特1在地址总线上从低到高滑动,谓之1滑动。目的是测试这些地址线在依次变1时是否稳定正常。当每一根线由0变1,会产生上冲,如果上冲控制不好,在高频时会引起错误。单板上地址线不一定一样长,上冲也就不会完全一样,因此,每一根线都单独测一下上冲性能。上冲和下冲是不同的指标,要分别测一下。3. 全0变全1,随机选择一个数如55、AA之类,写到FFH单元,再写到00H单元,然后写到FFH单元。把地址写成二进制数,可以看到地址线从全0变到全1。由信号处理理论知,在电压阶跃跳变时包含无限宽频谱,其中高频部分对外产生辐射,这些辐射信号是干扰源,对临近线路产生较大影响。地址线一般集束布。

7、线,同时跳变会引起最大干扰。地址线从全0变到全1,干扰、上冲、扇出电流影响最大。4. 全1变全0,紧接上一步,随机选择一个数如55、AA之类,写到00H单元。把地址写成二进制数,可以看到地址线从全1变到全0,产生最大下冲干扰。5. 粘连测试。依次向不同地址单元写入不同数据并读出判断,如:1、2、3、4.此步骤捎带测试了RAM好坏。注意,千万别用相同数据测试,否则测不出粘连。6. 可选全0全1连续高速变化。目的是模拟最恶劣情况(大扇出电流、强干扰、上/下冲)。n 测试数据线(原理与测试地址线相同,1、2两步顺带测试了数据线粘连)1. 0滑动,向某一固定地址依次写入FEH、FDH、FBH、F7H、。

8、EFH、DFH、BFH、7FH并读出判断。2. 1滑动,向某一固定地址依次写入1H、2H、4H、8H、10H、20H、40H、80H并读出判断。3. 全0变全1,所有单元置1(先清零再置1并读出判断)。4. 全1变全0,所有单元清零(清零并读出判断)。5. 可选全0全1连续高速变化。向某一单元高速交替写入若干全0和全1,最后以全0结束。至此,RAM测试完毕,同时全部存储单元清零。对于出厂检测程序,有较大发挥余地,如可以加入错误定位代码,自动指出错误原因和错误位置。每一块单板的高频特性都会因为生产工艺误差(制板、材料、焊接、组装等)和使用情况而各不相同。同一块板子的高频特性在不同情况下表现也不相。

9、同。综上所述,除了测试RAM好坏,大部分代码测的是单板硬件可靠性。如果不关心高频特性,用原来的测试方法就差不多了(如果测试数据没选好,可能测不出数据线粘连),但应该认识到,测试RAM的主要对象不是RAM本身的好坏,而是连接RAM的单板硬件和线路。l 源程序(伪代码)/TEST ROMTestROM()/用移位累加和校验sum=0;for(i=0;i1;if(sum=CHECKSUM) printf(ROM test OK!n);else printf(ROM test ERROR!n);/TEST RAMTestRAM()/地址线测试0滑动;1滑动;全0变全1;全1变全0;粘连测试;可选全0全1连续高速变化;/数据线测试0滑动;1滑动;全0变全1;全1变全0;可选全0全1连续高速变化。

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