领先的性能
•350+MHz系统性能
•500+MHz内部性能
•高性能嵌入式FIFO
•支持700 Mb/s LVDS的I/O
规格
•高达200万等效系统门
•高达684 I/O
•多达10752个专用触发器
•高达295 kbits的嵌入式SRAM/FIFO
•采用先进的0.15μm CMOS反熔丝处理技术制造,7层金属
特点
•单芯片、非易失性解决方案
•高达100%的资源利用率和100%的引脚锁定能力
•1.5 V低功耗核心电压
•封装尺寸兼容
•灵活、多标准I/O:–1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3
V混合电压操作–银行可选I/O–每个芯片8个银行–单端I/O标准:LVTTL,LVCMOS、3.3V PCI和3.3V
PCI-X–差分I/O标准:LVPECL和LVDS–电压参考I/O标准:GTL+、HSTL 1级、SSTL2 1级和2级、SSTL3
1级和2级-注册I/O-热插拔兼容I/O(PCI除外)-可编程转换速率和输出驱动强度-可编程延迟和弱上拉/下拉电路输入
•嵌入式内存:–可变方面4608位RAM块(x1、x2,提供x4、x9、x18、x36组织)-独立、宽度可配置的读写端口-可编程嵌入式FIFO控制逻辑
•分段时钟资源
•嵌入式锁相环:–14-200 MHz输入范围-频率合成能力高达1 GHz
•确定性,用户可控制定时
•Microsemi Silicon Explorer II独特的系统内诊断和调试功能
•边界扫描测试符合IEEE标准1149.1(JTAG)
•FuseLock™ 编程技术可防止逆向工程和设计盗窃