OLED作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。由于它自发光的特性,与LCD相比,AMOLED具有高对比度、超轻薄、可弯曲等诸多优点。但是,亮度均匀性和残像仍然是它目前面临的两个主要难题,要解决这两个问题,除了工艺的改善,就不得不提到补偿技术。
补偿方法可以分为内部补偿和外部补偿两大类。内部补偿是指在像素内部利用TFT构建的子电路进行补偿的方法。外部补偿是指通过外部的驱动电路或设备感知像素的电学或光学特性然后进行补偿的方法。
1. 为何要对OLED进行补偿?
介绍补偿技术之前,首先我们来看看AMOLED为什么需要补偿。下图所示为一个最简单的AMOLED像素电路,它由两个薄膜晶体管(TFT)构建像素电路为OLED器件提供相应的电流。
与一般的非晶硅薄膜晶体管(amorphous-Si TFT)相比,LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的迁移率和更稳定的特性,更适合应用于AMOLED显示中。在中小尺寸应用中多采用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT),而在大尺寸应用中多采用氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)。这是因为LTPS TFT迁移率更大,器件所占面积更小,更适合于高PPI的应用。而Oxide TFT均匀性更好,工艺与a-Si兼容,更适合在高世代线上生产大尺寸AMOLED面板。
它们各有缺点。
由于晶化工艺的局限性,在大面积玻璃基板上制作的LTPS TFT,不同位置的TFT常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性,这种非均匀性会转化为OLED显示器件的电流差异和亮度差异,并被人眼所感知,即mura现象。
Oxide TFT 虽然工艺的均匀性较好,但是与a-Si TFT类似,在长时间加压和高温下,其阈值电压会出现漂移,由于显示画面不同,面板各部分TFT的阈值漂移量不同,会造成显示亮度差异,由于这种差异与之前显示的图像有关,因此常呈现为残影现象,也就是通常所说的残像。