N沟通场效应管深度图解(1)工作原理及Multisim实例仿真

场效应晶体管（Field Effect Transistor, FET）简称场效应管，是一种由多数载流子参与导电的半导体器件，也称为单极型晶体管，它主要分型场效应管（Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET），属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作范围宽等优点。

本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：

 

如上图所示，在一块P型硅片（半导体）衬底（Substrate，也有称为Bulk或Body）上，形成两个高掺杂的N+区，分别命名为源（Source）区与漏（Drain）区，从中引出的电极分别称为源极（S）与漏极（D）。在P型衬底表面覆盖薄薄的一层SiO2（二氧化硅）作为绝缘层，叫栅氧化层或栅绝缘层，再在上面覆盖一层金属（现今广泛使用多晶硅,Poly-Silicon），其引出的电极称为栅极（Gate, S），这就是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)名称的由来。

 

其原理图符号应如下所示：

 

从结构上可以看出，MOS管是完全对称的，因此理论上源极S与漏极D是可以互换使用的。在MOS管中，源极为提供载流子的端子，而漏极为接收载流子的端子，源和漏的命名也由此而来，N沟通MOS管的源极通常连接至电路的最低电位，而P沟通MOS管的源极连接至电路的最高电位（为什么？）。

 

对于单个MOS场效应管，衬底B通常与源极S连接在一起，这样两个电极的电位是一致的，这样可以避免体效应引起阈值电压的漂移（后面会提到），因此，你看到的MOS场效应管符号可能如下图所示：

 

这样场效应管就应该如下图所示：

 

实际的场效应管通常把衬底电极B与源极电极S做在一起，因此，通常我们是看不到衬底电极的。由于N区与P型衬底之间存在PN结（也叫做耗尽层），因此上图中已经形成了两个二极管，如下图所示：