场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET),属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作范围宽等优点。
本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管,其基本结构如下图所示:
如上图所示,在一块P型硅片(半导体)衬底(Substrate,也有称为Bulk或Body)上,形成两个高掺杂的N+区,分别命名为源(Source)区与漏(Drain)区,从中引出的电极分别称为源极(S)与漏极(D)。在P型衬底表面覆盖薄薄的一层SiO2(二氧化硅)作为绝缘层,叫栅氧化层或栅绝缘层,再在上面覆盖一层金属(现今广泛使用多晶硅,Poly-Silicon),其引出的电极称为栅极(Gate, S),这就是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)名称的由来。
其原理图符号应如下所示:
从结构上可以看出,MOS管是完全对称的,因此理论上源极S与漏极D是可以互换使用的。在MOS管中,源极为提供载流子的端子,而漏极为接收载流子的端子,源和漏的命名也由此而来,N沟通MOS管的源极通常连接至电路的最低电位,而P沟通MOS管的源极连接至电路的最高电位(为什么?)。
对于单个MOS场效应管,衬底B通常与源极S连接在一起,这样两个电极的电位是一致的,这样可以避免体效应引起阈值电压的漂移(后面会提到),因此,你看到的MOS场效应管符号可能如下图所示:
这样场效应管就应该如下图所示:
实际的场效应管通常把衬底电极B与源极电极S做在一起,因此,通常我们是看不到衬底电极的。由于N区与P型衬底之间存在PN结(也叫做耗尽层),因此上图中已经形成了两个二极管,如下图所示: