IGBT的驱动参数说明和计算公式
作者:微叶科技 时间:2015-11-19 10:58
IGBT驱动概述
本文介绍了在特定应用条件下门极驱动性能参数的计算方法。通过本应用手册得出的一些参数值可以作为选择一款合适驱动器的基本依据。IGBT厂家的产品数据手册中所给出的参数在实际应用中是可以直接使用的。驱动器内部功率损耗以及其他内部参数不必进一步降额或者修正。对于快速预览,公式1,4及5是最重要的。
所需驱动功率
驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。为了实现此功能,驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on,或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off。门极电压的两种电平间的转换过程中,在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。这个参数我们称为驱动功率PDRV。驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。驱动功率可以从门极电荷量QGate,开关频率fIN,以及驱动器实际输出电压摆幅?VGate计算得出:
如果门极回路放置了一个电容CGE(辅助门极电容),那么驱动器也需要对该电容进行充放电,如图1所示:
图1.带外接阻容的门级驱动
只要CGE在一个周期内被完全的充放电,那么RGE值并不影响所需驱动功率。驱动功率可以从以下公式得出:
以上公式是在门极驱动电流不发生谐振的条件下得出的。只要这个开关过程是IGBT门极从完全打开到完全关断或者反过来,则驱动功率并不依赖于门极电阻及占空比的变化而变化。接下来我们来看如何确定门极电荷量QGate。
门极电荷量
QGate绝不能从IGBT或MOSFET的输入电容Cies计算得出。Cie