单结晶体管的导电特性_单结晶体管（UJT）研究

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单结晶体管(UJT)研究

1、单结晶体管结构

在一个低掺杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成PN结，就构成单结晶体管(UJT)。P型半导体引出的电极为发射极e；N型半导体的两端引出两个电极，分别为基极b1和基极b2。单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。发射极所接P区与N型硅棒形成的PN结等效为二极管D；N型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高电阻，二极管阴极与基极b2之间的等效电阻为rb2，二极管阴极与基极b1之间的等效电阻为rb1；rb1的阻值受e-b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。

图 1 单结晶体管的结构示意图和等效电路

    单结晶体管的发射极电流IE与e - b1间电压UEB1的关系曲线称为特性曲线。

图 2 单结晶体管输出特性测试电路

2、单结晶体管仿真

器件结构：

输出特性仿真：

空穴浓度分布：

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