![18293bd2b9befbd9591c94fab09d8a47.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/81e41cea06f472835ffa52d071eff492.jpeg)
【科技犬】
此前有数码博主测试,华为 Mate 40 Pro 闪存读写性能可达普通 UFS 3.1 约两倍的速度。而近日艾奥科技在拆解华为 Mate 40 保时捷设计时中发现,其搭载的闪存带有海思 Logo,可见该闪存为华为自研。
![f83a07b6f26634b9391d930a2ac825a5.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/4da614a32cd8fda6924aa600cb8577fe.jpeg)
据悉,华为 Mate 40 Pro 及其以上的机型采用的是海思自研的 SFS 1.0 闪存芯片,相比 UFS 3.1,随机读写速度几乎翻倍。
![2f5b8416fc26af123e5c292485eba26f.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/00a795c549c25d9047ee20832f4d4c79.jpeg)
目前主流 UFS 3.1 机型的顺序读取速度平均约为 1800MB/s 左右,顺序写入速度约为 700MB/s 左右,随机写入约在 200-300M/s 范围中。
在华为 Mate 40 Pro 的测试结果中,可发现该机连续读取约为 1966M/s,持续写入 1280M/s,随机读取 383M/s,随机写入更是直接近乎翻倍地达到了 548M/s。
值得一提是,据此前消息,Redmi Note 9 系列国行新机暂定本月中下旬发布,一共会上三款新机,其中一款搭载 1.08 亿像素 HM2 传感器。
![93dace0a5b7d6897a2d584dbca30b9e9.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/08c5b2bffaeceb0bd5e9af626e622f91.jpeg)
数码博主 @数码闲聊站 曝光了 Redmi Note9 系列国行高配的 LCD 面板,称 “单孔孔径已经直逼主流旗舰机了,到时候装机算上 bm 区也就 3.8mm±”。
![dc832ae9425652c1fbe79657b730e139.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/84b7e63942560d240474f82624b2d3a0.jpeg)
该博主还称,明年主流打孔屏旗舰机的孔径大都在 2.4mm±~2.9mm±,配合小直径镜头模组和 0.7μm cis,自拍不会有问题。近期, Redmi Note 9 系列两款新品正式获得 3C 认证。
![569f1cd81e5c3cc36cfbf1bf5143a85f.png](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/e211ed3dd47e3bcc52b5b41b50c7a896.jpeg)