硅中的缺陷和杂质
江 郭丽敏
清华大学
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几种晶体结构
面心立方结构的金属的
铜、银、金、铝、铅
体心立方结构的金属的
钒、钽钼等
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晶体的晶向与晶面
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晶体的晶向与晶面
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Si晶体结构
图1.3 (a)金刚石结构的晶胞 (b)面心立方
5
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晶体缺陷
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点缺陷
晶体中的点缺陷示意图
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位错的几何形态
刃位错
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位错的几何形态
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位错的几何形态
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位错的几何形态
在一般情况下，滑移面和滑移方向是晶体的密排和较密排的面及密排
方向。面心立方晶体的滑移面是{111}，滑移方向是<110>.体心立方
晶体的滑移面通常是{110}。
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位错的产生
在刚长成的晶体中有各种各样的产生位错的源，这些源可
能是：
(1)在籽晶”中存在位错和其它缺陷，其中一些位错传出表面
导致晶体绕着它生长，晶体生成时，位错一起进入成长着的晶
体中。
(2 )凝固 面不同部分的碰挤而产生位错。
(3 )在杂质颗粒或在很大的温度梯度区域由于热收缩不同而
产生的内应力使位错非均匀形核。
(4 )材料之间在外延时接触产生的点阵错配引起位错。
(5 )在急冷或受辐照的材料中的过饱和空位或间隙原子萌生
位错环及位错环的长大。
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位错的产生和增殖
外来颗粒引起的螺位错
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硅中可能的位错
• 硅这样的金刚石结构的晶体中位错线的优先方
向为<110>晶向。这样的位错主要有两种：柏
格斯矢量与位错线平行的纯螺型位错，以及柏
格斯矢量与位错线方向成60度角的60度混合位
错。其他可能有的位错有：滑移面也为{111}
晶面、位错线方向为<211
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