MT47H64M16NF-25EM相关参数介绍

MT47H64M16NF-25EM相关参数介绍

特征
·Vop = + 1.8V±0.1V，VDDO = + 1.8V±0.1V
·JEDEC标准1.8V1 / O（SSTL_18兼容）
·差分数据选通（DQS，DQS＃）选项
·4n位预取架构
·x8的重复输出选通（RDQS）选项。
·DLI将DQ和DQS转换与CK对齐
·8个内部银行同时运作
·可编程CAS延迟（CL）
·发布CAS附加延迟（AL）
·WRITE延迟= READ延迟-1CK
·MT47H64M16NF-25EM:http://www.dzsc.com/ic-detail/9_7568.html
·可选突发长度（BL）：4或8
·可调节的数据输出驱动强度
·64ms，8192周期刷新
·片上终端（ODT）
·工业温度（IT）选项
·符合RoHS标准
·支持JEDEC时钟抖动规范

选项
·组态
-256Meg×4（32 Megx4x8组）256M4
-128 Megx8（16 Meg x8x8 bank）128M8-64Meg x16（8 Megx 16×8 bank）64M16
·FBGA封装（无铅）-x16
-84-ball FBGA（8mmx12.5mm）HR Rev.G.H
·FBGA封装（无铅） - ×4，x8
-60-ball FBGA（8mmx11.5mm）HQ Rev.G
·FBGA封装（无铅） - ×4，x8
-60-ball FBGA（8mmx 10mm）Rev.H CF.
·FBGA封装（铅焊料）-x16
-84-ball FBGA（8mmx12.5mm）Hw Rev.G，H
·FBGA封装（铅焊料） - ×4，x8
-60-球FBGA（8mmx11.5mm）HV Rev.G
·FBGA封装（铅焊料）-X4，x8
-60-ball FBGA（8mmx 10mm）ReV.H JNbr/>·定时循环时间
-1.875ns@CL=7（DDR2-1066）-187E
-2.5ns@CL=5（DDR2-800）-25E
-2.5ns@CL=6（DDR2-800）-25-3.0ns令CL = 4（DDR2-667）-3Ebr/>-3.0ns@CL=5（DDR2-667）-3-
-3.75ns@CL=4（DDR2-533）-37E
·自刷新 - StandardNone
-低电量
·工作温度

• 商业（0" ℃≤Tc≤85' ℃）无
• 工业（-40°℃sTc595'GrT
  -40℃≤T/≤85℃）
• 汽车（-40' ℃STC，TAS1050C）AT

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