正电子寿命测量法用于半导体材料中空位型缺陷的测量。这是一种带有测量装置和电源的全寿命正电子寿命测量系统。在寿命（时间）测量系统中，时间是用3GS/s采集卡来测量的，进来信号是由两BaF2的闪烁体产生的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽的情况下，用两个锗半导体探测器符合的波高值制成二维直方图。此外，这些设备可以用来测AMOC，这个寿命和动量相关。

Feature

●功能： Lifetime、CDB和AMOC

●ADC： 时间：2CH 3GSPS 8bit

CDB ：2CH 100MSPS 14bit

●时间分辨： FWHM（半高宽） 192ps （511keV@22Na, BaF2 闪烁体） FWHM（半高宽） 160 – 190 ps (Silica)

●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru） 1.69keV(1.33MeV@60Co)

●PMT高压 ： 2CH, -4000V 对于Ge(锗)半导体： 2CH, +5000V ※包括前放

●接口： Ethernet （TCP/IP）

●附件包括应用指导手册


1、组成部分

（1） 时间谱分析模块
它是用于时间谱分析，每个通道采用高速3 GHz ADC。
输入信号是BaF闪烁检测器的。
DSP内置的时差分析功能。
（2）DSP多通道分析仪模块
它是一个多通道分析仪，配备了用于伽马射线光谱的数字信号处理（DSP）功能。直接输入来自Ge半导体检测器的前置放大器的输出信号。
采样率100 MSPS，ADC增益最大为8192。
（3）前置放大器电源模块
前置放大器电源用于Ge半导体探测器。
通过D-sub 9针连接器供应±24 V（50 mA）和±12 V（50 mA）供电。
连接器的引脚排列符合NIM标准。
（4）高压电源模块
它是两个BaF 2闪烁探测器和两个Ge半导体探测器的高压电源。
CH1和CH2用于Ge半导体探测器，额定功率高达+5000V（或-5000V）。
CH3和CH4用于BaF2闪烁检测器，最大额定值为-4000V。
两者都使用SHV连接器。
（5）VME电源机箱
它是VME标准的7插槽电源机架。
AC 100 V，最大300 W.
为每个模块供电。

除上述内容外，还需要以下东西。
·BaF2闪烁检测器
·Ge半导体探测器
·PC（应用程序执行）
·交换集线器（PC和每个模块用于LAN电缆连接）

2、测量模式（有5种测量模式）
（1）时间寿命模式
寿命（LT）模式是同时测量两个BaF 2闪烁检测器的模式，采用两个波形的上升之间的时间差，并进行正电子寿命测量。
　　


（2）波形模式
波形模式测量来自两个BaF 2闪烁探测器的波形。

 

（3）能量模式
能量模式是用于测量来自两个Ge半导体探测器的能谱的模式。

 

（4）CDB（双探头符合多普勒扩展谱）模式
CDB模式是一种采用两个Ge半导体检测器的重合计数的方式，通过每个峰值计算正电子湮灭符合计数多普勒扩展。

 
（5）AMOC(正电子寿命-动量关联谱）模式
AMOC模式是通过采用两个BaF 2闪烁检测器和一个Ge半导体检测器的重合计数来测量正电子寿命 - 动量相关性的模式。