微型计算机原理存储器寻址,微机原理存储器部分 微型计算机原理及应用教材.ppt...

微机原理存储器部分 微型计算机原理及应用教材.ppt

* 某计算机的主存为3KB，则内存地址寄存器需______位就足够了。 12 在某一存储系统中，设有只读存储器10KB，随机存储器54KB，使用16位地址来寻址。其中，只读存储器位于低地址段，其地址范围为_______________。 0000～27FFH 若256KB的SRAM具有8条数据线，则它具有________条地址线。 18 设存储器的地址线为20条，存储单元为字节，使用全译码方式组成存储器，该系统构成的最大存储器容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是_________片。 128 一个有16个字的数据区，它的起始地址为70A0:DDF6H，那么该数据区的最后一个单元的物理地址为___________。 7E814H 设存储器的地址线有16条，存储基本单元为字节，若采用2K×4位芯片，按全译码方法组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片的数量是_______。 64片 设某静态RAM芯片的容量为8K×8位，若用它组成32K×8的存储器，所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是_____________。 4片 13根 用74LS138作译码器，如图所示，若将Y1接到存储器的片选信号上，则存储器的地址范围为______。 Y0 Y1 Y7 G1 G2A G2B A B C ＋5V M/IO A15 A14 A13 A12 4000H～4FFFH 某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码电路，得知该芯片的地址范围为3000H～37FFH。试问该芯片的CS端应接到74LS138的_____。 Y0 Y1 Y7 G1 G2A G2B A B C ＋5V M/IO A15 A14 A13 A12 Y6 若要求Y4寻址的存储器范围为8800H~8FFFH，则B，C端应分别接_______。 Y0 Y1 Y7 G1 G2A G2B A B C A15 M/IO A14 A13 A12,A11 上题中，若要求Y4寻址的I/O端口地址范围为0800H~0FFFH，则须相互调换的引脚信号应为______________。 M/IO，A15 使用256KB×4的存储器芯片组成1MB的存储器系统，其地址线至少需要____条 20 在对存储器进行访问时，地址线有效和数据线有效的时间关系应为_____。 A) 同时有效同时无效B) 地址线较先有效 C) 数据线较先有效 B) 地址线较先有效 如图是8片4K×8位的RAM构成的一个随机存取存储器，如果A14A13A12分别为000～111时，则分别被选中的存储区域(范围)的十六机制表示是_____。 RAM0 CS OE A12 A13 A14 Y0 Y1 Y7 RAM0 CS OE RAM0 CS OE A0～A11 MEMR A14A13A12＝000 地址为0000H～0FFFH A14A13A12＝001地址为1000H～1FFFH 现有4K×8位的RAM和ROM存储器芯片各一片，其地址线连接方法如图P88所示。在正常情况下，ROM所占的地址空间为 _________，RAM所占的地址空间为_____。 ROM CS A14 A0～A11 A15 MEMR D0～D7 A0 A11 RAM CS MEMR D0～D7 A0 A11 数据总线 MEMW 4000H～7FFFH 8000H～BFFFH PROM存储器是指_______。 A) 可以读写的存储器 B) 可以由用户一次性写入的存储器 C) 可以由用户反复多次写入的存储器 D) 用户不能写入的存储器 B) 可以由用户一次性写入的存储器 在Intel2164动态RAM存储器中，对存储器的刷新方法是_____。 A) 每次一个单元 B) 每次刷新512个单元 C) 每次刷新256个单元 D) 一次刷新全部单元 B) 每次刷新512个单元 若用1片74LS138、1片6116RAM(2K×8)及2片2732EPROM(4K×8)组成存储器电路，试问： 2732的片内地址线是_____根。 要求2片2732的地址范围为0000H～1FFFH，设高位地址线接至74LS138，此时A15及A12的状态是______。 存储器的总容量是________。 A) A15=1,A12=0 B) A15=0,A12=0或1 C) A15=0, A12=1 D) A15=0,A12=0 10KB 12 B) A15=0,A12=0或1 下述EPROM的改写过程，正确的是_____。 A) 使WR信号有效就可以改写 B) 先用高电压擦除，再改写新数据 C) 先用紫外线擦除，再用高电压写新数据 D)