第5章 存储器系统
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主要内容：
存储器系统的概念
半导体存储器的分类及其特点
半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接
存储器接口设计(存储器扩展技术)
高速缓存
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§5.1 概 述
主要内容：
存储器系统及其主要技术指标
半导体存储器的分类及特点
两类半导体存储器的主要区别
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一、存储器系统
4
1. 存储器系统的一般概念
将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同
的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法
连接起来
系统的存储速度接近最快的存储器，容量接近
最大的存储器。
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构成存储系统。
2. 两种存储系统
在一般计算机中主要有两种存储系统：
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Cache存储系统
主存储器
高速缓冲存储器
虚拟存储系统
主存储器
磁盘存储器
Cache存储系统
对程序员是透明的
目标：
提高存储速度
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Cache
主存储器
虚拟存储系统
对应用程序员是透明的。
目标：
扩大存储容量
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主存储器
磁盘存储器
3. 主要性能指标
存储容量(S)(字节、千字节、兆字节等)
存取时间(T)(与系统命中率有关)
命中率(H)
T=H*T1+(1-H)*T2
单位容量价格(C)
访问效率(e)
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4. 微机中的存储器
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通用寄存器组及
指令、数据缓冲栈
高速缓存
主存储器
联机外存储器
脱机外存储器
片内存储部件
内存储部件
外存储部件
二、半导体存储器
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1. 半导体存储器
半导体存储器由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的半导体器件组成。
能存放一位二进制数的半导体器件称为一个存
储元。
若干存储元构成一个存储单元。
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2. 半导体存储器的分类
内存储器
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随机存取存储器(RAM)
只读存储器(ROM)
随机存取存储器(RAM)
RAM
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静态存储器(SRAM)
动态存储器(DRAM)
只读存储器(ROM)
只读存储器
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掩模ROM
一次性可写ROM
EPROM
EEPROM
3. 主要技术指标
存储容量
存储单元个数×每单元的二进制数位数
存取时间
实现一次读/写所需要的时间
存取周期
连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间
可靠性
功耗
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§5.2 随机存取存储器
掌握：
SRAM与DRAM的主要特点
几种常用存储器芯片及其与系统的连接
存储器扩展技术
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一、静态存储器SRAM
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1. SRAM的特点
存储元由双稳电路构成，存储信息稳定。
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p196
2. 典型SRAM芯片
掌握：
主要引脚功能
工作时序
与系统的连接使用
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典型SRAM芯片
SRAM6264：
容量：8K X 8b
外部引线图
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6264芯片的主要引线
地址线：A0------A12；
数据线：D0------D7；
输出允许信号：OE；
写允许信号：WE；
选片信号：CS1，CS2。
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6264的工作过程
读操作
写操作
23
工作时序
3. 8088总线信号
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8088
总
线
A19-A0
A15-A0
MEMR、MEMW
IOR、IOW
存储器
输入/输出
RD、WR
4. 6264芯片与系统的连接
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D0~D7
A0
A12
•
•
•
WE
OE
CS1
CS2
•
•
•
A0
A12
MEMW
MEMR
译码
电路
高位地址信号
D0~D7
SRAM 6264
8088总线
+5V
┇
5. 存储器编址
26
00
11
00
00
11
11
00
00
01
01
10
10
低位地址(片内地址)
高位地址(选片地址)
存储器地址
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片选地址
片内地址
高位地址
低位地址
内存地址
6264芯片的编址
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片首地址
A19
A12
A0
A19
A12
A0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
X X X X X X X
X X X X X X X
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
片尾地址
存储器编址
29
00
11
00
00
11
11
00
00
01
01
10
10
CS
0
0
译码器
1
CS
6. 译码电路
将输入的一组高位地址信号通过变换，产
生一个有效的输出信号，用于选中某一个
存储器芯片，从而确定了该存储器芯片在
内存中的地址范围。
将输入的一组二进制编码变换为一个特定
的输出信号。
30
译码方式
全地址译码
部分地址译码
31
全地址译码
用全部的高位地址信号作为译码信号，使
得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯
一的内存地址。
32
全地址译码例
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