1、四个标志位：
C：进位标志位，有时表示为C Y在进行加法或减法运算时，如果操作结果的最高
位有进位或借位时，C=1，反之C=0。
AC：半进位标志位，在进行加法或减法运算时，如果低半字节向高半字节有进位或借位时，AC=1，反之AC=0。
P：奇偶标志位，若累加器A中含1的个数是奇数，P=1(奇校验)；否则P=0(偶校验)。
OV：溢出标志位，带符号数加减运算时，如果结果发生溢出，则OV标志置1；否则，置0。
2、MOS型RAM分三类：(1SRAM：静态RAM，存储单元使用双稳态触发器，状态稳定，带电信息可长期保存，不需要定时刷新，存储)DRAM：动态RAM，使用电容作存储元件，集成度高，反应快，需要刷新电路，控制信号复杂。(2)器的控制信号简单，工作速度快，集成度低，适合单片机用。(3)NVRAM：非易失性RAM，是一种掉电自保护的RAM，信息不易丢失，但容量小。
3、ROM根据其中信息的写入方式不同分：1)掩膜ROM：不可改写ROM。由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。2)PROM：可编程ROM。用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，
某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。3)EPROM：可擦除PROM。用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。
4)EEPROM：可电擦除PROM。既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又
能失电保存信息。5)闪烁存储器，性能优于EEPROM，存取速度快，容量相当大。
4、同一优先级中，优先级排列顺序如下：
中断源中断级别中断入口地址
外部中断0 最高 0003H
定时器T0中断 00BH
外部中断 1 0013H
定时器T1中断 001BH
串行口中断最低 0023H
5、中断请求被响应，需满足以下必要条件：
(1)允许中断。(2)无同级或更高级中断正在被服务。(3)当前正处于所执行指令的最后一个机器周期。(4)正在执行的指令不是RETI指令。
6、单片机实现定时常用的三种途径：软件定时、硬件定时和可编程定时器定时。
7、MCS-51单片机内部有2个16位可编程定时器/计数器T0和T1，它们具有计数和定时两种功能以及四种工作方式(方式0、1、2、3)。使用灵活，编程方便。
8、定时器的工作方式由M1、M0两位的状态确定：
M1 M0 工作方式功能说明
0 0 方式0 13位定时器/计数器
0 1 方式1 16位定时器/计数器
1 0 方式
2 具有自动重新装入常数的8位定时器/计数器
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