1. 存储原理
- 磁存储:软盘、硬盘、光盘、CD、磁带:大部分为磁存储。
- 电存储:现代存储发展方向为flash存储,闪存技术是利用电学原理来存储1和0。
2. 外存
2.1、常用外存:
2.1.1、纯粹的Flash(一级):对存储单元做了最基本的读写接口,需要外部SoC来提供flash的读写控制器和时序。
- NorFlash:
总线式访问,接到SROM bank,优点是可以直接总线访问,一般用来启动。 - NandFlash:
分为SLC(容量小,较贵,容易)和MLC(容量大,成本低,麻烦,坏块多)
2.1.2、Flash(二级):内部是flash存储颗粒,比nand芯片多一些外部封装和接口
- SD卡/TF卡/MMC卡/MicroSD
- MMC标准比SD标准早,SD标准兼容MMC标准。
2.1.3、Flash(三级):存储芯片,集合了SD卡的优点,此外多了引脚、可以直接焊接在板子上。
- eMMC/iNand/moviNand:eMMC(embeded MMC)
a. iNand是SanDisk公司出产的eM