ps：其实很多都是初高中物理和大学模拟电路都学到过的知识。
芯片属于半导体
半导体是介于导体和绝缘体之间的物质。
导体能够传导电流。
绝缘体不容易传导电流。
物质中包含 硅 锗 硒 硼 元素的，都属于半导体的范畴。不过目前只有硅元素在集成电路中大规模应用。而且硅元素是自然界储量第二丰富的元素。
制作晶圆
用碳经过化学反应将沙子中的二氧化硅还原成硅。
再将硅熔炼成“晶棒”，晶棒再切割成一片一片的晶圆。
具体流程可以Google或知乎搜索晶圆制作流程,花时间看看科普视频。
提纯后的硅是多晶硅，呈晶体状。
高温熔炼出“晶棒”，大小以寸（及以下）为单位。
晶棒经过切片变成晶圆，大小以英寸（及以下）为单位。
每片晶圆，又可以划分出若干个小格子，每个小格子都是一个芯片电路的物理实现，被称之为晶粒。
接下来对晶圆上的芯片电路进行切割、封装、引出管脚，做成芯片，然后才能焊接到电路板上。
基本的电路原理
先说金属的导电原理
一个原子由质子、中子和核外电子组成。
中子不带电，质子带正电，核外电子带负电，整个原子显中性。
电子的能级分布原理说了：一个原子的最外层电子数为8时最稳定。
如钠原子，核外电子层分布是2-8-1，即最外层只有1个电子，受原子核约束最小，容易脱离原子成为自由移动的电子，这些自由移动的电子在电场的作用下，会发生定向移动形成电流，这就是金属导电的原理。
而氯原子，最外层有7个电子，倾向于从别处捕获1个电子形成最外层8电子的稳定结构，电子不能自由移动，所以不能导电，是绝缘体。
半导体元素，是处于中间的特殊态，一般最外层只有4个电子，常规状态下通过共享电子（即共价键）形成8电子的稳定结构。但是当电子收到能量激发时，电子发生移动，同时在共价键中形成空穴，邻近的电子又很容易地去填补这个空穴，造成空穴的移动（带正电荷），进而产生电流。
再说PN结工作原理
单质的半导体元素导电能力弱，但是可以通过掺杂其他元素增强导电性。
金属导电只有电子的移动，而半导体有两种载体：空穴和电子。
通过掺杂三价元素硼，（最外层有3个电子，容易从附近的原子夺取一个电子，从而导致临近原子产生空穴），增加空穴的浓度，被称为空穴型半导体，也即P型半导体。
通过掺杂五价元素磷，（多出1个电子），增加电子的浓度，被称为电子型半导体，也即N型半导体。
那么，我们将一块半导体的两边分别掺入不同的元素，使之形成不同的半导体，若一边为P型，一边为N型，两者的交汇处就会形成一个特殊的界面，被称之为PN结。
PN结定义总结：
它是两种不同类型的半导体的接触面，它最基本的作用是让电流单向导通，是集成电路中最基本的结构之一（半导体大厦的基石）。
PN结特性
如下是教材中关于PN结的经典示意图。
在PN区的交界处，空穴和自由电子会发生相互扩散；扩散时，N区的电子向P区移动，留下带正电的杂质离子；而P区则失去空穴，留下带负电的杂质离子；扩散到一定程度时，在中间区域形成一个内电场，阻止扩散，直到平衡下来，形成PN结（电荷耗尽层）。
如果这个时候给PN结增加外部电压，P区正电压，N区负电压，外部电压就可以和内部电场抵消，电子从而继续流动形成电流，PN结导通；
而如果P区负电压，N区正电压，则外部电压与内部电场重叠，阻碍电子流动，PN结关闭。
为什么说P区带负电，N区带正电？
p区有大量空穴，n区有大量电子。但是它们各自都是呈中性，不带电的。
n区的电子发生移动，正负守恒，由于缺少了电子，自然带正电。
p区的空穴因为得到了电子，自然带负电。
PN结特性总结：
1、单向导电性，即正向导通，反向截止。
2、反向击穿特性，当施加反向电压时，内部电场增强，直到电流过大时PN结被击穿。
3、曲线特性，其正向电压和电流呈非线性关系，其反向最大电压也可以通过曲线表示出来。
后面的无论是二极管、三极管、MOS管等CMOS管、晶体管电路，都是基于PN结构形成的。
半导体工艺流程
1、晶圆加工
从沙子中提取硅元素，再经过高温熔炼形成“晶棒”，再将晶棒切成一片片晶圆
2、晶圆氧化
在晶圆表面形成保护膜，保护晶圆不受杂志影响
3、光刻
即通过光线将电路图印刷到晶圆上。
光刻可分为涂覆光刻胶，曝光和显影三个步骤
4、刻蚀
去除晶圆上多余的氧化膜，只保留电路图
5、薄膜沉积
沉积一层层薄膜，用于实现加入新材料和隔离保护活性材料
6、元件互联
将晶体管原件连接起来实现电力和信号的发送
7、测试
检测电气特性、老化，修补点墨
8、封装
晶圆切据，附着，成型，引出管脚
封装测试
常见的封装形式有DIP、QFP、BGA、CSP、MCM等。
最早期的8051芯片和8086CPU芯片都采用DIP封装；
单片机芯片如STM32F4xx，144pin及以下采用的都是QFP封装，144pin以上采用的都是QFP封装；
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