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STM32F4 本身没有自带 EEPROM,但是 STM32F4 具有 IAP(在应用编程)功能,所以我
们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用。本章,我们将利用 STM32F4 内部的 FLASH 来实
现第三十章实验类似的效果,不过这次我们是将数据直接存放在 STM32F4 内部,而不是存放
在 W25Q128。本章分为如下几个部分:
39.1 STM32F4 FLASH 简介
39.2 硬件设计
39.3 软件设计
39.4 下载验证
39.1 STM32F4 FLASH 简介
不同型号的 STM32F40xx/41xx,其 FLASH 容量也有所不同,最小的只有 128K 字节,最
大的则达到了 1024K 字节。探索者 STM32F4 开发板选择的 STM32F407ZGT6 的 FLASH 容量
为 1024K 字节,STM32F40xx/41xx 的闪存模块组织如图 39.1.1 所示:
STM32F4 的闪存模块由:主存储器、系统存储器、OPT 区域和选项字节等 4 部分组成。
主存储器,该部分用来存放代码和数据常数(如 const 类型的数据)。分为 12 个扇区,前 4
个扇区为 16KB 大小,然后扇区 4是 64KB 大小,扇区5~11 是 128K 大小,不同容量的 STM32F4,
拥有的扇区数不一样,比如我们的 STM32F407ZGT6,则拥有全部 12 个扇区。从上图可以看出
主存储器的起始地址就是 0X08000000, B0、B1 都接 GND 的时候,就是从 0X08000000 开始
运行代码的。
系统存储器,这个主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码,此代码是出厂的时候就固化
在 STM32F4 里面了,专门来给主存储器下载代码的。当 B0 接 V3.3,B1 接 GND 的时候,从
该存储器启动(即进入串口下载模式)。
OTP 区域,即一次性可编程区域,共 528 字节,被分成两个部分,前面 512 字节(32 字节
为 1 块,分成 16 块),可以用来存储一些用户数据(一次性的,写完一次,永远不可以擦除!!),
后面 16 字节,用于锁定对应块。
选项字节,用于配置读保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式
下的复位。
闪存存储器接口寄存器,该部分用于控制闪存读写等,是整个闪存模块的控制机构。
在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正
确地进行;既在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。
闪存的读取
STM32F4 可通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块,本章我们
主要讲解数据读写,即通过 D-Code 数据总线来访问内部闪存模块。
为了准确读取 Flash 数据,
必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR)
中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时,必须关闭预取缓冲器。Flash
等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系,如表 39.1.1 所示:
等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后,CPU 时钟
频率为内部 16M RC 振荡器,LATENCY 默认是 0,即 1 个等待周期。供电电压,我们一般是
3.3V,所以,在我们设置 168Mhz 频率作为 CPU 时钟之前,必须先设置 LATENCY 为 5,否则
FLASH 读写可能出错,导致死机。
正常工作时(168Mhz),虽然 FLASH 需要 6 个 CPU 等待周期,但是由于 STM32F4 具有
自适应实时存储器加速器(ART Accelerator),通过指令缓存存储器,预取指令,实现相当于 0
FLASH 等待的运行速度。关于自适应实时存储器加速器的详细介绍,请大家参考《STM32F4xx
中文参考手册》3.4.2 节。
STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如,我们要从地址 addr,读取一个字(字节为 8
位,半字为 16 位,字为 32 位),可以通过如下的语句读取:
data=*(vu32*)addr;
将 addr 强制转换为 vu32 指针,然后取该指针所指向的地址的值,即得到了 addr 地址的值。
类似的,将上面的 vu32 改为 vu16,即可读取指定地址的一个半字。相对 FLASH 读取来说,
STM32F4 FLASH 的写就复杂一点了,下面我们介绍 STM32F4 闪存的编程和擦除。
闪存的编程和擦除
执行任何 Flash 编程操作(擦除或编程)时,CPU 时钟频率 (HCLK)不能低于 1 MHz。如
果在 Flash 操作期间发生器件复位,无法保证 Flash 中的内容。
在对 STM32F4 的 Flash 执行写入或擦除操作期间,任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻
塞。只有在完成编程操作后,才能正确处理读操作。这意味着,写/擦除操作进行期间不能从
Flash 中执行代码或数据获取操作。
STM32F4 的闪存编程由 6 个 32 位寄存器控制,他们分别是:
⚫ FLASH 访问控制寄存器(FLASH_ACR)
⚫ FLASH 秘钥寄存器(FLASH_KEYR)
⚫ FLASH 选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)
⚫ FLASH 状态寄存器(FLASH_SR)
⚫ FLASH 控制寄存器(FLASH_CR)
⚫ FLASH 选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)
STM32F4 复位后,FLASH 编程操作是被保护的,不能写入 FLASH_CR 寄存器;通过写入
特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB)到 FLASH_KEYR 寄存器才可解除写保护,只有
在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。
FLASH_CR 的解锁序列为:
1, 写 0X45670123 到 FLASH_KEYR
2, 写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR
通过这两个步骤,即可解锁 FLASH_CR,如果写入错误,那么 FLASH_CR 将被锁定,直
到下次复位后才可以再次解锁。
STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置,PSIZE 的设置必须和
电源电压匹配,见表:39.1.2:
由于我们开发板用的电压是 3.3V,所以 PSIZE 必须设置为 10,即 32 位并行位数。擦除或
者编程,都必须以 32 位为基础进行。
STM32F4 的 FLASH 在编程的时候,也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的(也
就是其值必须是 0XFFFFFFFF),否则无法写入。STM32F4 的标准编程步骤如下:
1,检查 FLASH_SR 中的 BSY 位,确保当前未执行任何 FLASH 操作。
2,将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1,激活 FLASH 编程。
3,针对所需存储器地址(主存储器块或 OTP 区域内)执行数据写入操作:
—并行位数为 x8 时按字节写入(PSIZE=00)
—并行位数为 x16 时按半字写入(PSIZE=01)
—并行位数为 x32 时按字写入(PSIZE=02)
—并行位数为 x64 时按双字写入(PSIZE=03)
4,等待 BSY 位清零,完成一次编程。
按以上四步操作,就可以完成一次 FLASH 编程。不过有几点要注意:1,编程前,要确保
要写如地址的 FLASH 已经擦除。2,要先解锁(否则不能操作 FLASH_CR)。3,编程操作对
OPT 区域也有效,方法一模一样。
我们在 STM32F4 的 FLASH 编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了,所以,我们有
必要再介绍一下 STM32F4 的闪存擦除,STM32F4 的闪存擦除分为两种:扇区擦除和整片擦除。
扇区擦除步骤如下:
1,检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁,如果没有则先解锁
2,检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位,确保当前未执行任何 FLASH 操作
3,在 FLASH_CR 寄存器中,将 SER 位置 1,并从主存储块的 12 个扇区中选择要擦除的
扇区 (SNB)
4,将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1,触发擦除操作
5,等待 BSY 位清零
经过以上五步,就可以擦除某个扇区。本章,我们只用到了 STM32F4 的扇区擦除功能,
整片擦除功能我们在这里就不介绍了,想了解的朋友可以看《STM32F4xx 中文参考手册》第
3.5.3 节。
通过以上了解,我们基本上知道了 STM32F4 闪存的读写所要执行的步骤了,接下来,我
们看看与读写相关的寄存器说明。
第一个介绍的是 FLASH 访问控制寄存器:FLASH_ACR。该寄存器各位描述如图 39.1.2
所示:
这里,我们重点看 LATENCY[2:0]这三个位,这三个位,必须根据我们 MCU 的工作电压
和频率,来进行正确的设置,否则,可能死机,设置规则见表 39.1.1。其他 DCEN、ICEN 和
PRFTEN 这三个位也比较重要,为了达到最佳性能,这三个位我们一般都设置为 1 即可。
第二个介绍的是 FLASH 秘钥寄存器:FLASH_KEYR。该寄存器各位描述如图 39.1.3 所示:
该寄存器主要用来解锁 FLASH_CR,必须在该寄存器写入特定的序列(KEY1 和 KEY2)
解锁后,才能对 FLASH_CR 寄存器进行写操作。
第三个要介绍的是 FLASH 控制寄存器:FLASH_CR。该寄存器的各位描述如图 39.1.4 所
示:
该寄存器我们本章只用到了它的 LOCK、STRT、PSIZE[1:0]、SNB[3:0]、SER 和 PG 等位。
LOCK 位,该位用于指示 FLASH_CR 寄存器是否被锁住,该位在检测到正确的解锁序列后,
硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后,在下次系统复位之前,该位将不再改变。
STRT 位,该位用于开始一次擦除操作。在该位写入 1 ,将执行一次擦除操作。
PSIZE[1:0]位,用于设置编程宽度,3.3V 时,我们设置 PSIZE =2 即可。
SNB[3:0]位,这 4 个位用于选择要擦除的扇区编号,取值范围为 0~11。
SER 位,该位用于选择扇区擦除操作,在扇区擦除的时候,需要将该位置 1。
PG 位,该位用于选择编程操作,在往 FLASH 写数据的时候,该位需要置 1。
FLASH_CR 的其他位,我们就不在这里介绍了,请大家参考《STM32F4xx 中文参考手册》
第 3.8.5 节。
最后要介绍的是 FLASH 状态寄存器:FLASH_SR。该寄存器各位描述如图 39.1.5 所示:
该寄存器我们主要用了其 BSY 位,当该位位 1 时,表示正在执行 FLASH 操作。当该位为
0 时,表示当前未执行任何 FLASH 操作。
关于 STM32F4 FLASH 的介绍,我们就介绍到这。更详细的介绍,请参考《STM32F4xx
中文参考手册》第三章。下面我们讲解使用 STM32F4 的官方固件库操作 FLASH 的几个常用函
数。这些函数和定义分布在源文件 stm32f4xx_hal_flash.c/stm32f4xx_hal_flash_ex.c 以及头文件
stm32f4xx_hal_flash.h/stm32f4xx_hal_flash_ex.h 中。
1)锁定解锁函数
上面讲解到在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR
寄存器写入特定的序列(KEY1 和 KEY2),HAL 库实现很简单:
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);//解锁函数
同样的道理,在对 FLASH 写操作完成之后,我们要锁定 FLASH,使用的 HAL 库函数是:
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);//锁定函数
2)写操作函数
HAL 库提供了一个通用的 FLASH 写操作函数 HAL_FLASH_Program,该函数声明如下:
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address,
uint64_t Data);//FLASH 写操作函数
该函数有三个入口参数。入口参数 TypeProgram 用来区分要写入的数据类型,取值为:
FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE(字节:8 位),FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD(半
字 : 16
位 ) , FLASH_TYPEPROGRAM_WORD ( 字 : 32
位)和
FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD(双字:64 位),用户根据写入数据类型选择即可。
第二个入口参数 Address 用来设置要写入数据的 FLASH 地址。第三个入口参数 Data 顾名思义
就是要写入的数据类型,这个参数默认是 64 位的,如果你要写入小于 64 位的数据比如 16 位,
程序会进行类型转换。
3)擦除函数
HAL 库提供的擦除函数在 stm32f4xx_hal_flash_ex.c 中定义。和编程函数一样,HAL 提供
了一个通用的基于小区擦除的函数 HAL_FLASHEx_Erase,该函数声明如下:
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit,
uint32_t *SectorError);
该函数有 2 个 入 口 参 数 , 这 里 我 们 主 要 看 第 一 个 入 口 参 数 pEraseInit ,它是
FLASH_EraseInitTypeDef 结构体指针类型,结构体 FLASH_EraseInitTypeDef 定义如下:
typedef struct
{
uint32_t TypeErase;
//擦除类型
uint32_t Banks;
//擦除的 Bank 编号
uint32_t Sector;
//擦除的 sector 号
uint32_t NbSectors;
//擦除的 sector 数量
uint32_t VoltageRange;
//电压范围
} FLASH_EraseInitTypeDef;
成员变量 TypeErase 用来设置擦除类型,是 Sector 擦除还是 BANK 级别的批量擦除,取值
为 FLASH_TYPEERASE_SECTORS 或者 FLASH_TYPEERASE_MASSERASE,这个比较好理
解 , 如 果 是 一 次 擦 除 一 个 Bank 下 面 的 所 有 Sector , 那 么 需 要 选 择
FLASH_TYPEERASE_MASSERASE。成员变量 Banks 用来设置要擦除的 Bank 编号,这个只有
设置为批量擦除的时候才有效。成员变量 Sector 用来设置要擦除的 Sector 编号。成员变量
NbSectors 用来设置要擦除的 Sector 数量。成员变量 VoltageRange 用来设置电压范围,一共有
四个值可选 FLASH_VOLTAGE_RANGE_1~ FLASH_VOLTAGE_RANGE_4,分别对应表 41.1.2
的电压范围,这里我们使用的是 3.3V,所以选择 FLASH_VOLTAGE_RANGE_3 即可。
扇区擦除的实例代码如下:
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型,扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=3;
//擦除的扇区号
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围 2.7~3.6V
HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError);//进行扇区擦除操作
4)等待操作完成函数
在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正
确地进行;既在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前,
我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。HAL 库函数为:
HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
该函数在 HAL 库中很多地方用到,比如擦除函数 HAL_FLASHEx_Erase 中在对 FLASH 进
行擦除操作后会调用该函数,等待擦除操作完成。
5)读 FLASH 特定地址数据函数
有写就必定有读,而读取 FLASH 指定地址的数据的函数固件库并没有给出来,这里我们
提供从指定地址一个读取一个字的函数:
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return *(vu32*)faddr;
}
39.2 硬件设计
本章实验功能简介:开机的时候先显示一些提示信息,然后在主循环里面检测两个按键,
其中 1 个按键(KEY1)用来执行写入 FLASH 的操作,另外一个按键(KEY0)用来执行读出
操作,在 TFTLCD 模块上显示相关信息。同时用 DS0 提示程序正在运行。
所要用到的硬件资源如下:
1) 指示灯 DS0
2) KEY1 和 KEY0 按键
3) TFTLCD 模块
4) STM32F4 内部 FLASH
本章需要用到的资源和电路连接,在之前已经全部有介绍过了,接下来我们直接开始软件
设计。
39.3 软件设计
打开我们的 FLASH 模拟 EEPROM 实验工程,可以看到我们添加了两个文件 stmflash.c 和
stmflash.h。同时我们还引入了 HAL 库 flash 操作文件 stm32f4xx_hal_flash.c 和头文件
stm32f4xx_hal_flash.h。
打开 stmflash.c 文件,代码如下:
//读取指定地址的半字(16 位数据)
//faddr:读地址
//返回值:对应数据.
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return *(vu32*)faddr;
}
//获取某个地址所在的 flash 扇区
//addr:flash 地址
//返回值:0~11,即 addr 所在的扇区
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10;
return FLASH_Sector_11;
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为 STM32F4 的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
// 写地址如果非 0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
// 写非 0XFF 的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
// 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对 OTP 区域也有效!可以用来写 OTP 区!
//OTP 区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为 4 的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32 位)数(就是要写入的 32 位数据的个数.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
u32 SectorError=0;
u32 addrx=0;
u32 endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;
//非法地址
HAL_FLASH_Unlock();
//解锁
addrx=WriteAddr;
//写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;
//写入的结束地址
if(addrx<0X1FFF0000)
{
while(addrx<endaddr)
//扫清一切障碍.(对非 FFFFFFFF 的地方,先擦除)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)
//有非 0XFFFFFFFF 的地方,要擦除这个扇区
{
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
//擦除类型,扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);
//要擦除的扇区
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
//电压范围,VCC=2.7~3.6V 之间!!
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//发生错误了
}
}else addrx+=4;
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);
//等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,
*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
{
break;
//写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上锁
}
//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(32 位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{
u32 i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取 4 个字节.
ReadAddr+=4;//偏移 4 个字节.
}
}
//测试用///
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u32 WriteData)
{
STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}
该部分代码,我们重点介绍一下 STMFLASH_Write 函数,该函数用于在 STM32F4 的指定
地址写入指定长度的数据,该函数的实现基本类似第 30 章的 W25QXX_Flash_Write 函数,不
过该函数使用的时候,有几个要注意要注意:
1, 写入地址必须是用户代码区以外的地址。
2, 写入地址必须是 4 的倍数。
第 1 点比较好理解,如果把用户代码给卡擦了,可想而知你运行的程序可能就被废了,从
而很可能出现死机的情况。不过,因为 STM32F4 的扇区都比较大(最少 16K,大的 128K),
所以本函数不缓存要擦除的扇区内容,也就是如果要擦除,那么就是整个扇区擦除,所以建议
大家使用该函数的时候,写入地址定位到用户代码占用扇区以外的扇区,比较保险。
第 2 点则是每次必须写入 32 位,即 4 字节,所以地址必须是 4 的倍数。
关于 STMFLASH_GetFlashSector 函数,这个就比较好理解了,根据地址确定其 sector 编号。
其他函数我们就不做介绍了。
对 于 头 文 件 stmflash.h , 这 里 面 有 一 点 提 一 下 , 就 是 我 们 定 义 了 从
ADDR_FLASH_SECTOR_0~ ADDR_FLASH_SECTOR_11 等一系列宏定义标识符,实际上这些
标识符的值就是对应的 sector 的起始地址值,相信也比较好理解。
最后我们打开 main.c 文件,代码如下:
//要写入到 STM32 FLASH 的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32 FLASH TEST"};
#define TEXT_LENTH sizeof(TEXT_Buffer)
//数组长度
#define SIZE TEXT_LENTH/4+((TEXT_LENTH%4)?1:0)
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08010000
//设置 FLASH 保存地址(必须为 4 的倍数,且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.
//否则,写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.
int main(void)
{
u8 key=0;u16 i=0;u8 datatemp[SIZE];
HAL_Init();
//初始化 HAL 库
Stm32_Clock_Init(336,8,2,7);
//设置时钟,168Mhz
delay_init(168);
//初始化延时函数
uart_init(115200);
//初始化 USART
usmart_dev.init(84);
//初始化 USMART
LED_Init();
//初始化 LED
KEY_Init();
//初始化 KEY
LCD_Init();
//初始化 LCD
POINT_COLOR=RED;//设置字体为红色
LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4");
LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST");
LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/9");
LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write KEY0:Read");
while(1)
{
key=KEY_Scan(0);
if(key==KEY1_PRES) //KEY1 按下,写入 STM32 FLASH
{
LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH....");
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE);
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成
}
if(key==KEY0_PRES) //KEY0 按下,读取字符串并显示
{
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE);
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is: ");//提示传送完成
LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串
}
i++; delay_ms(10);
if(i==20)
{
LED0=!LED0;//提示系统正在运行
i=0;
}
}
}
至此,我们的软件设计部分就结束了。
39.4 下载验证
在代码编译成功之后,我们通过下载代码到 ALIENTEK 探索者 STM32F4 开发板上,伴随
DS0 的不停闪烁,提示程序在运行,通过先按 KEY1 按键写入数据,然后按 KEY0 读取数据,
得到如图 39.4.1 所示:
伴随 DS0 的不停闪烁,提示程序在运行。本章的测试,我们还可以借助 USMART,调用: TMFLASH_ReadWord 和 Test_Write 函数,大家可以测试下 OTP 区域的读写,注意:OTP 区域, 最后 16 字节,不要乱写!!是用于锁定 OTP 数据块的的!!
另外,OTP 的一次性可编程,也并不像字面意思那样,只能写一次。而是要理解成:只能写 0,不能写 1。举个例子,你在地址:0X1FFF7808,第一次写入 0X12345678。读出来,发现 是对的,和你写入的一样。而当你在这个地址,再次写入:0X12345673 的时候,再读出来,变 成了:0X12345670,不是第一次写入的值,也不是第二次写入的值,而是两次写入值相与的值, 说明第二次也发生了写操作。所以,要理解成:只能写 0,不能写 1。