flash代码_正点原子【STM32-F407探索者】第三十九章 FLASH 模拟 EEPROM 实验

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STM32F4 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32F4 具有 IAP（在应用编程）功能，所以我

们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用。本章，我们将利用 STM32F4 内部的 FLASH 来实

现第三十章实验类似的效果，不过这次我们是将数据直接存放在 STM32F4 内部，而不是存放

在 W25Q128。本章分为如下几个部分：

39.1 STM32F4 FLASH 简介

39.2 硬件设计

39.3 软件设计

39.4 下载验证

39.1 STM32F4 FLASH 简介

不同型号的 STM32F40xx/41xx，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 128K 字节，最

大的则达到了 1024K 字节。探索者 STM32F4 开发板选择的 STM32F407ZGT6 的 FLASH 容量

为 1024K 字节，STM32F40xx/41xx 的闪存模块组织如图 39.1.1 所示：

图 39.1.1 大容量产品闪存模块组织

STM32F4 的闪存模块由：主存储器、系统存储器、OPT 区域和选项字节等 4 部分组成。

主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。分为 12 个扇区，前 4

个扇区为 16KB 大小，然后扇区 4是 64KB 大小，扇区5~11 是 128K 大小，不同容量的 STM32F4，

拥有的扇区数不一样，比如我们的 STM32F407ZGT6，则拥有全部 12 个扇区。从上图可以看出

主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000 开始

运行代码的。

系统存储器，这个主要用来存放 STM32F4 的 bootloader 代码，此代码是出厂的时候就固化

在 STM32F4 里面了，专门来给主存储器下载代码的。当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，从

该存储器启动（即进入串口下载模式）。

OTP 区域，即一次性可编程区域，共 528 字节，被分成两个部分，前面 512 字节（32 字节

为 1 块，分成 16 块），可以用来存储一些用户数据（一次性的，写完一次，永远不可以擦除！！），

后面 16 字节，用于锁定对应块。

选项字节，用于配置读保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式

下的复位。

闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正

确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

闪存的读取

STM32F4 可通过内部的 I-Code 指令总线或 D-Code 数据总线访问内置闪存模块，本章我们

主要讲解数据读写，即通过 D-Code 数据总线来访问内部闪存模块。

为了准确读取 Flash 数据，

必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR)

中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时，必须关闭预取缓冲器。Flash

等待周期与 CPU 时钟频率之间的对应关系，如表 39.1.1 所示：

表 39.1.1 CPU 时钟（HCLK）频率对应的 FLASH 等待周期表

等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后，CPU 时钟

频率为内部 16M RC 振荡器，LATENCY 默认是 0，即 1 个等待周期。供电电压，我们一般是

3.3V，所以，在我们设置 168Mhz 频率作为 CPU 时钟之前，必须先设置 LATENCY 为 5，否则

FLASH 读写可能出错，导致死机。

正常工作时（168Mhz），虽然 FLASH 需要 6 个 CPU 等待周期，但是由于 STM32F4 具有

自适应实时存储器加速器(ART Accelerator)，通过指令缓存存储器，预取指令，实现相当于 0

FLASH 等待的运行速度。关于自适应实时存储器加速器的详细介绍，请大家参考《STM32F4xx

中文参考手册》3.4.2 节。

STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8

位，半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：

data=*(vu32*)addr;

将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。

类似的，将上面的 vu32 改为 vu16，即可读取指定地址的一个半字。相对 FLASH 读取来说，

STM32F4 FLASH 的写就复杂一点了，下面我们介绍 STM32F4 闪存的编程和擦除。

闪存的编程和擦除

执行任何 Flash 编程操作（擦除或编程）时，CPU 时钟频率 (HCLK)不能低于 1 MHz。如

果在 Flash 操作期间发生器件复位，无法保证 Flash 中的内容。

在对 STM32F4 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻

塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从

Flash 中执行代码或数据获取操作。

STM32F4 的闪存编程由 6 个 32 位寄存器控制，他们分别是：

⚫ FLASH 访问控制寄存器(FLASH_ACR)

⚫ FLASH 秘钥寄存器(FLASH_KEYR)

⚫ FLASH 选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)

⚫ FLASH 状态寄存器(FLASH_SR)

⚫ FLASH 控制寄存器(FLASH_CR)

⚫ FLASH 选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)

STM32F4 复位后，FLASH 编程操作是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入

特定的序列（0X45670123 和 0XCDEF89AB）到 FLASH_KEYR 寄存器才可解除写保护，只有

在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。

FLASH_CR 的解锁序列为：

1， 写 0X45670123 到 FLASH_KEYR

2， 写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR

通过这两个步骤，即可解锁 FLASH_CR，如果写入错误，那么 FLASH_CR 将被锁定，直

到下次复位后才可以再次解锁。

STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置，PSIZE 的设置必须和

电源电压匹配，见表：39.1.2：

表 39.1.2 编程/擦除并行位数与电压关系表

由于我们开发板用的电压是 3.3V，所以 PSIZE 必须设置为 10，即 32 位并行位数。擦除或

者编程，都必须以 32 位为基础进行。

STM32F4 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也

就是其值必须是 0XFFFFFFFF），否则无法写入。STM32F4 的标准编程步骤如下：

1，检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作。

2，将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1，激活 FLASH 编程。

3，针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作：

—并行位数为 x8 时按字节写入（PSIZE=00）

—并行位数为 x16 时按半字写入（PSIZE=01）

—并行位数为 x32 时按字写入（PSIZE=02）

—并行位数为 x64 时按双字写入（PSIZE=03）

4，等待 BSY 位清零，完成一次编程。

按以上四步操作，就可以完成一次 FLASH 编程。不过有几点要注意：1，编程前，要确保

要写如地址的 FLASH 已经擦除。2，要先解锁（否则不能操作 FLASH_CR）。3，编程操作对

OPT 区域也有效，方法一模一样。

我们在 STM32F4 的 FLASH 编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，所以，我们有

必要再介绍一下 STM32F4 的闪存擦除，STM32F4 的闪存擦除分为两种：扇区擦除和整片擦除。

扇区擦除步骤如下：

1，检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁

2，检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作

3，在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并从主存储块的 12 个扇区中选择要擦除的

扇区 (SNB)

4，将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1，触发擦除操作

5，等待 BSY 位清零

经过以上五步，就可以擦除某个扇区。本章，我们只用到了 STM32F4 的扇区擦除功能，

整片擦除功能我们在这里就不介绍了，想了解的朋友可以看《STM32F4xx 中文参考手册》第

3.5.3 节。

通过以上了解，我们基本上知道了 STM32F4 闪存的读写所要执行的步骤了，接下来，我

们看看与读写相关的寄存器说明。

第一个介绍的是 FLASH 访问控制寄存器：FLASH_ACR。该寄存器各位描述如图 39.1.2

所示：

图 39.1.2 FLASH_ACR 寄存器各位描述

这里，我们重点看 LATENCY[2:0]这三个位，这三个位，必须根据我们 MCU 的工作电压

和频率，来进行正确的设置，否则，可能死机，设置规则见表 39.1.1。其他 DCEN、ICEN 和

PRFTEN 这三个位也比较重要，为了达到最佳性能，这三个位我们一般都设置为 1 即可。

第二个介绍的是 FLASH 秘钥寄存器：FLASH_KEYR。该寄存器各位描述如图 39.1.3 所示：

图 39.1.3 FLASH_KEYR 寄存器各位描述

该寄存器主要用来解锁 FLASH_CR，必须在该寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）

解锁后，才能对 FLASH_CR 寄存器进行写操作。

第三个要介绍的是 FLASH 控制寄存器：FLASH_CR。该寄存器的各位描述如图 39.1.4 所

示：

图 39.1.4 FLASH_CR 寄存器各位描述

该寄存器我们本章只用到了它的 LOCK、STRT、PSIZE[1:0]、SNB[3:0]、SER 和 PG 等位。

LOCK 位，该位用于指示 FLASH_CR 寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列后，

硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后，在下次系统复位之前，该位将不再改变。

STRT 位，该位用于开始一次擦除操作。在该位写入 1 ，将执行一次擦除操作。

PSIZE[1:0]位，用于设置编程宽度，3.3V 时，我们设置 PSIZE =2 即可。

SNB[3:0]位，这 4 个位用于选择要擦除的扇区编号，取值范围为 0~11。

SER 位，该位用于选择扇区擦除操作，在扇区擦除的时候，需要将该位置 1。

PG 位，该位用于选择编程操作，在往 FLASH 写数据的时候，该位需要置 1。

FLASH_CR 的其他位，我们就不在这里介绍了，请大家参考《STM32F4xx 中文参考手册》

第 3.8.5 节。

最后要介绍的是 FLASH 状态寄存器：FLASH_SR。该寄存器各位描述如图 39.1.5 所示：

图 39.1.5 FLASH_SR 寄存器各位描述

该寄存器我们主要用了其 BSY 位，当该位位 1 时，表示正在执行 FLASH 操作。当该位为

0 时，表示当前未执行任何 FLASH 操作。

关于 STM32F4 FLASH 的介绍，我们就介绍到这。更详细的介绍，请参考《STM32F4xx

中文参考手册》第三章。下面我们讲解使用 STM32F4 的官方固件库操作 FLASH 的几个常用函

数。这些函数和定义分布在源文件 stm32f4xx_hal_flash.c/stm32f4xx_hal_flash_ex.c 以及头文件

stm32f4xx_hal_flash.h/stm32f4xx_hal_flash_ex.h 中。

1）锁定解锁函数

上面讲解到在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR

寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）,HAL 库实现很简单：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);//解锁函数

同样的道理，在对 FLASH 写操作完成之后，我们要锁定 FLASH，使用的 HAL 库函数是：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);//锁定函数

2）写操作函数

HAL 库提供了一个通用的 FLASH 写操作函数 HAL_FLASH_Program，该函数声明如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address,

uint64_t Data);//FLASH 写操作函数

该函数有三个入口参数。入口参数 TypeProgram 用来区分要写入的数据类型，取值为：

FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE（字节：8 位），FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD（半

字 ： 16

位 ） ， FLASH_TYPEPROGRAM_WORD （ 字 ： 32

位）和

FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（双字：64 位），用户根据写入数据类型选择即可。

第二个入口参数 Address 用来设置要写入数据的 FLASH 地址。第三个入口参数 Data 顾名思义

就是要写入的数据类型，这个参数默认是 64 位的，如果你要写入小于 64 位的数据比如 16 位，

程序会进行类型转换。

3）擦除函数

HAL 库提供的擦除函数在 stm32f4xx_hal_flash_ex.c 中定义。和编程函数一样，HAL 提供

了一个通用的基于小区擦除的函数 HAL_FLASHEx_Erase，该函数声明如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit,

uint32_t *SectorError);

该函数有 2 个 入 口 参 数 ， 这 里 我 们 主 要 看 第 一 个 入 口 参 数 pEraseInit ，它是

FLASH_EraseInitTypeDef 结构体指针类型，结构体 FLASH_EraseInitTypeDef 定义如下：

typedef struct

{

uint32_t TypeErase;

//擦除类型

uint32_t Banks;

//擦除的 Bank 编号

uint32_t Sector;

//擦除的 sector 号

uint32_t NbSectors;

//擦除的 sector 数量

uint32_t VoltageRange;

//电压范围

} FLASH_EraseInitTypeDef;

成员变量 TypeErase 用来设置擦除类型，是 Sector 擦除还是 BANK 级别的批量擦除，取值

为 FLASH_TYPEERASE_SECTORS 或者 FLASH_TYPEERASE_MASSERASE，这个比较好理

解 ， 如 果 是 一 次 擦 除 一 个 Bank 下 面 的 所 有 Sector ， 那 么 需 要 选 择

FLASH_TYPEERASE_MASSERASE。成员变量 Banks 用来设置要擦除的 Bank 编号，这个只有

设置为批量擦除的时候才有效。成员变量 Sector 用来设置要擦除的 Sector 编号。成员变量

NbSectors 用来设置要擦除的 Sector 数量。成员变量 VoltageRange 用来设置电压范围，一共有

四个值可选 FLASH_VOLTAGE_RANGE_1~ FLASH_VOLTAGE_RANGE_4，分别对应表 41.1.2

的电压范围，这里我们使用的是 3.3V，所以选择 FLASH_VOLTAGE_RANGE_3 即可。

扇区擦除的实例代码如下：

FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型，扇区擦除

FlashEraseInit.Sector=3;

//擦除的扇区号

FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区

FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围 2.7~3.6V

HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError);//进行扇区擦除操作

4）等待操作完成函数

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正

确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，

我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。HAL 库函数为：

HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

该函数在 HAL 库中很多地方用到，比如擦除函数 HAL_FLASHEx_Erase 中在对 FLASH 进

行擦除操作后会调用该函数，等待擦除操作完成。

5）读 FLASH 特定地址数据函数

有写就必定有读，而读取 FLASH 指定地址的数据的函数固件库并没有给出来，这里我们

提供从指定地址一个读取一个字的函数：

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)

{

return *(vu32*)faddr;

}

39.2 硬件设计

本章实验功能简介：开机的时候先显示一些提示信息，然后在主循环里面检测两个按键，

其中 1 个按键（KEY1）用来执行写入 FLASH 的操作，另外一个按键（KEY0）用来执行读出

操作，在 TFTLCD 模块上显示相关信息。同时用 DS0 提示程序正在运行。

所要用到的硬件资源如下：

1） 指示灯 DS0

2） KEY1 和 KEY0 按键

3） TFTLCD 模块

4） STM32F4 内部 FLASH

本章需要用到的资源和电路连接，在之前已经全部有介绍过了，接下来我们直接开始软件

设计。

39.3 软件设计

打开我们的 FLASH 模拟 EEPROM 实验工程，可以看到我们添加了两个文件 stmflash.c 和

stmflash.h。同时我们还引入了 HAL 库 flash 操作文件 stm32f4xx_hal_flash.c 和头文件

stm32f4xx_hal_flash.h。

打开 stmflash.c 文件，代码如下：

//读取指定地址的半字(16 位数据)

//faddr:读地址

//返回值:对应数据.

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)

{

return *(vu32*)faddr;

}

//获取某个地址所在的 flash 扇区

//addr:flash 地址

//返回值:0~11,即 addr 所在的扇区

uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)

{

if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;

else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10;

return FLASH_Sector_11;

}

//从指定地址开始写入指定长度的数据

//特别注意:因为 STM32F4 的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数

// 写地址如果非 0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以

// 写非 0XFF 的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里

// 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.

//该函数对 OTP 区域也有效!可以用来写 OTP 区!

//OTP 区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F

//WriteAddr:起始地址(此地址必须为 4 的倍数!!)

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:字(32 位)数(就是要写入的 32 位数据的个数.)

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)

{

FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;

HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;

u32 SectorError=0;

u32 addrx=0;

u32 endaddr=0;

if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;

//非法地址

HAL_FLASH_Unlock();

//解锁

addrx=WriteAddr;

//写入的起始地址

endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;

//写入的结束地址

if(addrx<0X1FFF0000)

{

while(addrx<endaddr)

//扫清一切障碍.(对非 FFFFFFFF 的地方,先擦除)

{

if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)

//有非 0XFFFFFFFF 的地方,要擦除这个扇区

{

FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;

//擦除类型，扇区擦除

FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);

//要擦除的扇区

FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区

FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;

//电压范围，VCC=2.7~3.6V 之间!!

if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)

{

break;//发生错误了

}

}else addrx+=4;

FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);

//等待上次操作完成

}

}

FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成

if(FlashStatus==HAL_OK)

{

while(WriteAddr<endaddr)//写数据

{

if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,

*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据

{

break;

//写入异常

}

WriteAddr+=4;

pBuffer++;

}

}

HAL_FLASH_Lock(); //上锁

}

//从指定地址开始读出指定长度的数据

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToRead:字(32 位)数

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)

{

u32 i;

for(i=0;i<NumToRead;i++)

{

pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取 4 个字节.

ReadAddr+=4;//偏移 4 个字节.

}

}

//测试用///

//WriteAddr:起始地址

//WriteData:要写入的数据

void Test_Write(u32 WriteAddr,u32 WriteData)

{

STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字

}

该部分代码，我们重点介绍一下 STMFLASH_Write 函数，该函数用于在 STM32F4 的指定

地址写入指定长度的数据，该函数的实现基本类似第 30 章的 W25QXX_Flash_Write 函数，不

过该函数使用的时候，有几个要注意要注意：

1， 写入地址必须是用户代码区以外的地址。

2， 写入地址必须是 4 的倍数。

第 1 点比较好理解，如果把用户代码给卡擦了，可想而知你运行的程序可能就被废了，从

而很可能出现死机的情况。不过，因为 STM32F4 的扇区都比较大（最少 16K，大的 128K），

所以本函数不缓存要擦除的扇区内容，也就是如果要擦除，那么就是整个扇区擦除，所以建议

大家使用该函数的时候，写入地址定位到用户代码占用扇区以外的扇区，比较保险。

第 2 点则是每次必须写入 32 位，即 4 字节，所以地址必须是 4 的倍数。

关于 STMFLASH_GetFlashSector 函数，这个就比较好理解了，根据地址确定其 sector 编号。

其他函数我们就不做介绍了。

对 于 头 文 件 stmflash.h ， 这 里 面 有 一 点 提 一 下 ， 就 是 我 们 定 义 了 从

ADDR_FLASH_SECTOR_0~ ADDR_FLASH_SECTOR_11 等一系列宏定义标识符，实际上这些

标识符的值就是对应的 sector 的起始地址值，相信也比较好理解。

最后我们打开 main.c 文件，代码如下：

//要写入到 STM32 FLASH 的字符串数组

const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32 FLASH TEST"};

#define TEXT_LENTH sizeof(TEXT_Buffer)

//数组长度

#define SIZE TEXT_LENTH/4+((TEXT_LENTH%4)?1:0)

#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08010000

//设置 FLASH 保存地址(必须为 4 的倍数，且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.

//否则,写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.

int main(void)

{

u8 key=0;u16 i=0;u8 datatemp[SIZE];

HAL_Init();

//初始化 HAL 库

Stm32_Clock_Init(336,8,2,7);

//设置时钟,168Mhz

delay_init(168);

//初始化延时函数

uart_init(115200);

//初始化 USART

usmart_dev.init(84);

//初始化 USMART

LED_Init();

//初始化 LED

KEY_Init();

//初始化 KEY

LCD_Init();

//初始化 LCD

POINT_COLOR=RED;//设置字体为红色

LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4");

LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST");

LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");

LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/9");

LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write KEY0:Read");

while(1)

{

key=KEY_Scan(0);

if(key==KEY1_PRES) //KEY1 按下,写入 STM32 FLASH

{

LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH....");

STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE);

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成

}

if(key==KEY0_PRES) //KEY0 按下,读取字符串并显示

{

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");

STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE);

LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is: ");//提示传送完成

LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串

}

i++; delay_ms(10);

if(i==20)

{

LED0=!LED0;//提示系统正在运行

i=0;

}

}

}

至此，我们的软件设计部分就结束了。

39.4 下载验证

在代码编译成功之后，我们通过下载代码到 ALIENTEK 探索者 STM32F4 开发板上，伴随

DS0 的不停闪烁，提示程序在运行，通过先按 KEY1 按键写入数据，然后按 KEY0 读取数据，

得到如图 39.4.1 所示：

图 39.4.1 程序运行效果图

伴随 DS0 的不停闪烁，提示程序在运行。本章的测试，我们还可以借助 USMART，调用： TMFLASH_ReadWord 和 Test_Write 函数，大家可以测试下 OTP 区域的读写，注意：OTP 区域， 最后 16 字节，不要乱写！！是用于锁定 OTP 数据块的的！！

另外，OTP 的一次性可编程，也并不像字面意思那样，只能写一次。而是要理解成：只能写 0，不能写 1。举个例子，你在地址：0X1FFF7808，第一次写入 0X12345678。读出来，发现 是对的，和你写入的一样。而当你在这个地址，再次写入：0X12345673 的时候，再读出来，变 成了：0X12345670，不是第一次写入的值，也不是第二次写入的值，而是两次写入值相与的值， 说明第二次也发生了写操作。所以，要理解成：只能写 0，不能写 1。