参数等效模型可以用于_MOS器件参数的含义

• MOS器件模型分为器件物理模型和等效电路模型两种。

器件物理模型主要依赖器件的几何形状、掺杂分布、载流子输运方程（半导体方程）以及材料特性等预测器件各端的输出特性和输运状态。这类模型大多用于器件物理研究和设计，因为对于现代MOS VLSI，由于其尺寸很小对这些器件的半导体方程只能采用数值方法来进行二维或者三维求解，利用它可以详细了解器件工作的内在物理特性，而且这种模型不适用于电路模拟。

等效电路模型的基本思想是将不同工作区的器件分别等效为一些基本单元组成电路，然后用这些等效电路的特性来描述器件特性。这类模型根据器件特性，将模型中的电路单位由收敛的解析函数或者经验公式导出。因为简单易行的特性，其被广泛应用于电路模拟器中。电路模拟器SPICE就全部采用等效电路进行模拟。

BSIM模型是伯克利开发的，是等效电路模型，从第一代BSIM1模型到第二代BSIM2都是通过简单的DC模型来描述短沟道MOSFET传输特性的，二者都是基于半经验的模型，到了第三代重点涉及到器件在工作时的物理特性，而且考虑了工艺参数和器件尺寸的影响，但随着器件进入深亚微米BSIM3在射频和高速数字电路等方面的不足渐渐体现出来，BSIM4模型在其基础上考虑了更多尺寸缩小带来的影响，功能上有了很大的改进。在CD、CV以及RF部分都实现了优化。

我们知道MOS管有不同的工作区间，如图1：

图1 NMOS器件I-V特性

可变电阻区或三级管区(

)：

（

时，即

很小时，表现为线性电阻，

，可以看做一个阻值由过驱动电压

控制的电阻）

饱和区（

）：

（工作在饱和区时，电流大小受过驱动电压控制，定义

表示电压控制电流的能力，

）

• 二级效应

（一）体效应

体效应也叫背栅效应即衬底电压会影响器件的阈值电压，当衬底电压接更负的电位时，形成反型层所需要的栅电压越大。导致真正的阈值电压是：

式中

是无体效应时的阈值电压，

，称为体效应系数，

是源衬电势差

的典型值在

到

之间。

（二）沟道长度调制效应

当栅和漏之间的电压差增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，

实际上是

的函数，这种效应就是“沟道长度调制效应”。

式中

称为沟道长度调制系数，这种现象在MOS器件的I-V特性中表现为饱和区的出现电流出现上翘。所以当L越大时沟道长度调制效应越小，增大L有助于减小沟道长度效应，在需要更好的电流源时可以等比例增大L。

（三）亚阈值特性

当

时，MOS器件并不会突然关断，而是

与

呈指数规律变化，这种效应被称为“亚阈值特性”。在亚阈值特性中也有饱和区的概念，当

大于200mV左右时：

式中

，是一个非理想因子，

。此时的表现类似于双极型晶体管特性，但MOSFET的跨到特性比双极型晶体管差。

看到上面这些参数，不知道大家会不会对很多MOS器件参数搞晕，这里列出了一些单位和物理参数值。其实如果在电路的设计中，确定工艺后，很多参数值都可以从工艺文件中查到，或者仿真得到。

是电子的迁移率，一般是空穴的迁移率

的1~2倍，所以PMOS器件具有较低的“电流驱动”能力。例如，

的电子迁移率约为350，而空穴迁移率约为100.

图1 单位

图2 MOS器件物理参数

在器件的一级模型中我们可以得到相关参数（

工艺为例）：

表中：