此设备不允许更改其写入高速缓存设置_存储设备

存储器可以用机械、磁性、光学、生物和电子技术来制造。磁性存储器的例子有磁带、软盘、硬盘和铁电存储器（“铁电”现象是指某些材料受一定强度电场作用时会出现极化或改变原极化方向）。光学存储器的例子有CD-ROMs，可重写的CDs。电子存储器由于其最快的可利用率而被广泛应用于计算机设备中。在速度不太重要的应用中，通常使用磁性和光学技术。

今天所有的电子存储器可以是单独的集成电路格式，模块格式，或者可以是集成电路的一部分作为一个宏函数或“单元”。下表是一些电子存储器的概述。

一些电子存储器概述

触发器

触发器基本上是一个双态电路，其中可以存在0或1状态。由于它很简单，触发器工作速度非常快。触发器是数字电路和集成电路的基本元件。当电源电压改变时，触发器将失去工作状态。因此，它是易挥发的。

寄存器

寄存器是一组并行的触发器。典型的寄存器是8、16、32或64位宽。寄存器通常用来保存数据、地址指针等。寄存器是不稳定的，而且非常快，就像触发器一样。

静态随机存取存储器

SRAM是一组可寻址的触发器。可以将数组配置为数据以单位、4位、8位等格式输出。SRAM是一种简单、快速、易失性强的存储单元，其基本原理与触发器类似。SRAM可以在微处理板上找到(无论是在CPU芯片上还是在CPU芯片外)，那里需要的内存量很小，而且为DRAMs构建额外的接口电路不会有什么好处。此外，SRAM由于速度快，常被用作高速缓存。

SRAM有许多速度类，从用于缓存应用程序的几个ns到用于低功耗应用程序的200ns。SRAM同时存在于双极和MOS技术中。CMOS技术具有最高的密度和最低的功耗，BiCMOS技术可以构建高速缓存存储器，这是一种使用双极晶体管作为额外驱动器的混合技术。目前最快的SRAM存储器采用的是双极技术(发射极耦合逻辑)。由于高功耗，该技术的内存大小受到限制。

SRAM内存的一个特殊情况是内容可寻址内存(CAM)（CAM是指“内容寻址存储器”。CAM用来实现高速查找表，但其存储容量要明显小于常规的DRAM和SRAM存储芯片）。在这种技术中，存储器由一组触发器组成，其中每一行都被连接到一个数据比较器。内存通过向它显示数据来寻址(而不是一个地址)然后，所有比较器将同时检查其相应的RAM寄存器是否保存相同的数据。CAM将使用与原始数据对应的行(寄存器)地址进行响应。这种技术的主要应用是快速查找表。这些通常用于网络路由器。

动态随机存取存储器

“动态”一词表示数据不是保存在触发器中，而是保存在存储单元中。由于泄漏，存储单元中的数据必须定期刷新(读取和重写)。刷新时间间隔通常为4到64毫秒。存储单元只需要一个电容器和一个晶体管，而在一个阵列中连接的触发器需要6个晶体管。在沟槽电容存储器技术中，所有现代DRAM都使用这种技术。晶体管是建立在电容器之上的，因此芯片上的s步最终被最小化。由于这个原因，DRAM技术的每比特成本低于SRAM技术。当使用大内存时，每比特较低的价格很容易抵消刷新所需的额外电路的缺点。

DRAM内存，就像SRAM内存一样，被构造成一个内存单元数组然而，SRAM和DRAM之间的主要区别在于寻址技术。使用SRAM时，需要提供一个地址，而芯片的响应是在输出端显示内存单元的数据，或者在接收端接收数据并将其写入所寻址的单元。使用DRAM技术，这种简单的方法是不可能的，因为如果不重写一行数据，就会破坏该行中的所有数据，因为它是动态的。

ROM(只读存储器)

ROM也被称为掩码ROM或掩码编程的ROM。这是因为ROM需要通过在制造时将其单元设置为O或1来编程。通常，O或1是由铝的存在或不存在构成的。这种铝制图案是在最后的生产中使用的光刻掩模。因此，这些设备通常被称为掩码ROM。

ROM的优点是它可以以最低值和最高成本生产。在一些应用程序中的另一个优点是，一旦芯片被制造出来，就不可能改变数据，而且不需要进一步的编程和测试。另一方面，如果数据或代码必须更改，这可能是一个小灾难。剩下的芯片将会被扔进垃圾箱，新的芯片将会被制造出来。

EEPROM(电可擦可编程只读存储器)

这意味着芯片可以像EPROM那样编程，但它可以被电擦除。因此，不需要紫外线源。EEPROMs可以在字节的基础上被擦除。