三相pmsm矢量控制仿真模型_传统 PWM 控制器的控制模型和仿真(反激、正激、半桥、全桥)(完)...

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第三部分 传统半桥

传统 PWM 控制的半桥和全桥,一般由电压模式控制,常见的 IC 有 SG3525A,UC3825A。是拿 CT 上的电压斜坡和误差放大器的输出进行比较,然后得到一个占空比去控制管子的脉宽。由于要控制半桥和全桥,需要有两路互补的驱动信号,而且还要限制住两路信号的最大占空比。

SG3525A 的内部逻辑图如下:由 OSC 和触发器发出两路限制占空比的互补信号到 NOR 门。NOR 门默认输出为高电平,需将关断 PWM 的信号送到 NOR 门。在 SG3525A 中分别有下列几个送到 NOR 门用来关断输出,限制脉宽。

❶ PWM 比较器的输出,误差放大器的电压 Vcomp 高于 Vramp 后发出高电平到触发器的 S,触发器发出高电平到 NOR 门,可以关闭当前输出。

❷ OSC 发出的最大占空比限制,通过合理的 RT 和 CT 控制最大的占空比。

❸ ULVO IC 欠压保护

❹ SHUTDOWN 过流保护信号

❺ 触发器发出的两路互补驱动信号。

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图11 SG3525A 的控制逻辑图

在仿真模型中,为了提高仿真速度,我 用可定义的三角波来作为 CT 上的电压斜坡。用 0.2V 和 2.5V 对斜坡电压进行比较,可得到用来限制占空比的信号 CLK。在通过触发器 U6 得到两路互补的驱动信号 A 和 B,分别都送到 NOR 门。在仿真中,我去掉了欠压保护的控制,控制驱动的 NOR 门只有三个条件用来关断当前的脉宽:
❶ A 和 B 互补的驱动。
❷ 最大占空
❸ PWM 比较的输出。

过流保护比较器暂时不使用,电压模式只控制占

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本电路是一个由高功率开关MOSFET组成的H电,由低压逻辑信号控制,如图1所示。该电路为低电平逻辑信号和高功率电提供了一个方便的接口。H电的高端和低端均使用低成本N沟道功率MOSFET。该电路还在控制侧与电源侧之间提供隔离。本电路可以用于电机控制、带嵌入式控制接口的电源转换、照明、音频放大器和不间断电源(UPS)等应用中。 现代微处理器和微控制器一般为低功耗型,采用低电源电压工作。2.5 V CMOS逻辑输出的源电流和吸电流在μA到mA范围。为了驱动一个12 V切换、4 A峰值电流的H电,必须精心选择接口和电平转换器件,特别是要求低抖动时。 ADG787是一款低压CMOS器件,内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。采用5 V直流电源时,有效的高电平输入逻辑电压可以低至2 V。因此,ADG787能够提供驱动半驱动器ADuM7234所需的2.5 V控制信号到5 V逻辑电平的转换。 ADuM7234是一款隔离式半栅极驱动器,采用ADI公司iCoupler:registered:技术,提供独立且隔离的高端和低端输出,因而可以专门在H电中使用N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET有多种好处:N沟道MOSFET的导通电阻通常仅为P沟道MOSFET的1/3,最大电流更高;切换速度更快,功耗得以降低;上升时间与下降时间是对称的。 ADuM7234的4 A峰值驱动电流确保功率MOSFET可以高速接通和断开,使得H电级的功耗最小。本电路中,H电的最大驱动电流可以高达85 A,它受最大容许的MOSFET电流限制。 ADuC7061 是一款低功耗、基于ARM7的精密模拟微控制器,集成脉宽调制(PWM)控制器,其输出经过适当的电平转换和调理后,可以用来驱动H电

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