excel二极管伏安特性曲线_【电子知识点】半导体二极管&三极管

半导体二极管的结构

1.定义：在PN结两端分别引出一个电极，外加引线和管壳就构成半导体二极管。

2，二极管结构:

a特性:具有单向导电性

b符号:D(文字符号)

c二极管的极性:

3.二极管的分类: 材料:硅二报管，锗二极管，

用途:整流，稳压、开关、普通二极管

结构:工艺、点接触型，面接触型，平面型

a点接触型二报管特点：

PN结面积小，结电容小，不能通过较大电流，高频性能好

b.面接触型二极管特点：

PN结面积大，结电容大，可通过较大电流，工作频率较低

用途：用于低频电路，大电流的整流电路，脉冲数字电路开关

二极管的伏安特性

定义:二极管的伏安特性是表示二极管两端的电压和流过它的电流之间关系的曲线，可用来说明二极的工作情况

1. 反向电流由少子形成，因此反向电流人般很小

2.反向击穿特性

当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这种现象称为二极管的反向击穿，此时加在二极管两端的电压叫做反向击穿电压；

二极管的主要参数

二极管是非线性元件，二极管具有单向导电性

1.最大整流电流IF。

是指二极管长时间连续使用时，允许通过的最大正向平均电流

2.反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM

反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值

3反向饱和电流IR

指没有发生反向击穿时的反向电流值，反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好，其大小受温度影响较大。

4最高工作效率

指二极管所能承受的最高频率，主要由N结的结电容大小决定；

半导体三极管

1半导体三极管的结构.

半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管)，是电子线路中最常用的半导体器件，它在电路中主要起放大和电子开关作用

定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类

晶体三极管有集电区，基区和发射区三个区域

集电区与基区之间的PN结称为集电结，基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向，

发射结正向偏置、使电结反向偏置。

2半导体三极管的电流分配及放大作用

一、三极管的放大作用

1.外部条件：发射结正偏，集电结反偏

2.内部条件：基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度

3.IE、IB、Ic之间关系＇：IE＝IB+Ic.

3晶体三极管的特性曲线

一． 定义：指三极管各电极电压和电流之间的关系曲线，主要包括：输入和输出特性曲线。

二． 输入特性曲线

定义：当集电极和发射极之间的电压UCE保持一定时，晶体三极管的输入电流IB（基极电流）与输入电压UBE（基极和发射极之间的电压之间的关系曲线）

：IB=f（UBE）

三． 输出特性曲线

1.定义：当基极电流IB为某一常数时，晶体三极管的输出电流Ic（集电极电流）与输出电压UCE之间的关系式：IC=f（UCE）

半导体三极管的主要参数

一，共射极电流放大倍数

1:电流放大倍数又称电流放大系数。

①直流放大倍数:在共射极接法下，静态无变化信号输入时，集电极电流与基极电流的比值。

②交流放大倍数:在交流工作状态下，晶体三极管集电极电流变化量与基极电流变化量的比值

③放大倍数越大，稳定性越差

二．集电极和发报之间的穿透电流ICEO

1定义:当IB＝0时，集电极上流过的电流

2由少数载流子的漂移运动形成的

3常温下，值很小，硅管一般为uA级，锗达mA级易受温度影响，温度升高，ICEO明显增大。

三.集电极最大允许耗散率PCM

1定义:保证三极管能正常工作而不致烧坏的最大工作功率，PCM

2.集电级电流流过集电结时所生的功率损耗

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